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Radical 6とは 意味・読み方・使い方
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「Radical 6」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
The H_2O gas supplied to the radical generating chamber 3 is decomposed into the O radical, OH radical and H radical by an ultraviolet light source 6.例文帳に追加
そして、ラジカル生成室３内に供給されたＨ_２Ｏガスは、紫外光光源６からの紫外光の照射により、Ｏラジカル、ＯＨラジカル、Ｈラジカルに分解される。 - 特許庁
The radical generating chamber 2 includes radical generating means 6 for generating a radical of a material gas by generating plasma of the material gas.例文帳に追加
ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。 - 特許庁
In the general formula [1], a ring A shows a single ring of 5 to 6 membered rings, such as a benzene ring, or an aromatic ring of its 2-condensed ring, and R^0 shows preferably a methyl amino radical, and -NR3R4 shows an amino radical, an alkylamino radical, a pyrrolidyl radical, etc.例文帳に追加
（［Ｉ］式中、環Ａはベンゼン環等の５〜６員環の単環又はその２縮合環の芳香族環を表し、Ｒ^０は好ましくはメチルアミノ基を表し、−ＮＲ^３Ｒ^４はアミノ基、アルキルアミノ基、ピロリジル基等を示す。） - 特許庁
A defect in the strong field drift layer 6' is passivated, by applying a hydrogen radical on a surface of the strong field drift layer 6'.例文帳に追加
次に、強電界ドリフト層６’の表面に水素ラジカルを照射することで強電界ドリフト層６’中の欠陥をパッシベーションする。 - 特許庁
Afterwards, radical nitriding treatment is applied to the silicon oxide film 6 and to the silicon oxide nitride films 8 and 10.例文帳に追加
その後、シリコン酸化膜６並びにシリコン酸窒化膜８及び１０に対して、ラジカル窒化処理を行う。 - 特許庁
A radical oxygen water generating device comprises a solid electrolyte membrane 5, an anode part 6, and a cathode part 4.例文帳に追加
ラジカル酸素水生成装置は、固体電解質膜５と、陽極部６と、陰極部４とを具備する。 - 特許庁
On the other hand, since the radical 19 is generated in the vicinity of the object and disappears in a short period of time, the physical damage to the vacuum chamber 6 can be prevented by the radical 19.例文帳に追加
一方でラジカル１９は対象物の近傍で発生して短時間で消滅するので、ラジカル１９による真空チャンバ６の物理的ダメージも防止できる。 - 特許庁
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「Radical 6」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
A processed body 2 having a tin-containing solder layer 8 arranged on the metallic post 6 is irradiated with a hydrogen radical.例文帳に追加
金属製ポスト６上に錫を含む半田層８を配置した処理物２に、水素ラジカルを照射する。 - 特許庁
The hydroxy radical is introduced into a scum surfacing tank 6, and the pressure is reduced, so that a substrate oxidized by the hydroxy radical and flocculated in the water as the object for treatment is surfaced as scum, and is removed.例文帳に追加
これをスカム浮上槽６に導いて減圧することにより、ヒドロキシラジカルによって酸化し、凝集した処理対象水中の基質をスカムとして浮上させ、除去する。 - 特許庁
However, the radical Edo faction was unsatisfied and sought independence from Kuranosuke, thus the leader of the radical Edo faction, Yasube HORIBE, relocated to Kyoto.発音を聞く 例文帳に追加
しかし江戸急進派は納得せず、内蔵助をはずして独自に決起することを模索しつつ、ついに6月には江戸急進派の頭目堀部安兵衛が自ら京都へ乗り込んでくる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In the method of electrolyzing the oxide of the group II element, a negative electrode capable of occluding and releasing ion of the group II element and a positive electrode containing the oxide of the group II element and a compound having a stable radical skeleton (for example, 2, 2, 6, 6-tetra methyl piperidoxyl radical (TEMPO radical)) are arranged separately from each other in a non-aqueous ion conductive body.例文帳に追加
第２族元素の酸化物の電解方法では、まず、第２族元素のイオンを吸蔵放出可能な負極と、第２族元素の酸化物及び安定なラジカル骨格（例えば２，２，６，６−テトラメチルピペリドキシルラジカル（ＴＥＭＰＯラジカル））を有する化合物を含む正極とを、非水系のイオン伝導体に離間して配置する。 - 特許庁
The insulating film on the surface of powder is preferred to comprise a compound containing alkill radical of carbon-number 6 or higher.例文帳に追加
粉体表面の絶縁性皮膜は、炭素数６以上のアルキル基を含む化合物よりなるものが好ましい。 - 特許庁
The radical obtained in this manner is supplied onto the surface of an object 6 to be treated, thus speedily achieving desired reaction.例文帳に追加
このようにして得られたラジカルを被処理物６の表面に供給することにより、所望の反応を高速度で実現する。 - 特許庁
The liquid crystal device can suppress the reactivity of a radical to suppress the polymerization of a liquid crystal molecule 30 because even if the radical is generated in the liquid crystal molecule 30 in a liquid crystal layer 6 having received a light from a light source 107, the radical reacts with a polymerization inhibitor 31 comprising a hydroquinone having a benzene ring with a hydroxy group as a basic skeleton to eliminate the radical.例文帳に追加
光源１０７からの光を受けた液晶層６内の液晶分子３０にラジカルが発生しても、そのラジカルは、ヒドロキシ基を有するベンゼン環を基本骨格としたヒドロキノンからなる重合抑制剤３１と反応することによって消失するので、ラジカルの反応性を抑え、ひいては液晶分子３０の重合を抑えることができる。 - 特許庁
A radical nitride film nitrided by a radical nitriding method is used as the constituting material of the insulation layer 4 for the ferromagnetic tunnel junction 6 formed of the film structure of a first magnetic layer 3/an insulation layer 4/a second magnetic layer 5.例文帳に追加
本発明は、第１の磁性層３／絶縁層４／第２の磁性層５の膜構造からなる強磁性トンネル接合６の絶縁層４を構成する材料として、ラジカル窒化法で窒化したラジカル窒化膜を用いる。 - 特許庁
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