Resolution (electron density)とは 意味・読み方・使い方

To increase the number and density of primary electron beamlet spots formed at a time while maintaining a desired image forming resolution of an electron microscope device.例文帳に追加

電子顕微鏡装置の所望の結像解像度を維持しながら、一度に形成される一次電子ビームスポットの数や、密度を高める。 - 特許庁

To provide an electron source which can reduce a work function of an electron emission surface rather than a currently-used Zr/O/W electron source and can attain emitted electrons with narrow energy width and high current density and has longer lifetime, an electron microscope which can attain high resolution image for a short period, and an electron beam lithography device having high throughput.例文帳に追加

現用のＺｒ／Ｏ／Ｗ電子源よりも電子放出面の仕事関数を減少させ、狭エネルギー幅かつ高電流密度の放出電子が得られ、長寿命な電子源を提供し、高分解能像が短時間に得られる電子顕微鏡や高スループットな電子線描画装置を実現する。 - 特許庁

To realize an oxide-coated cathode capable of smoothening the current density distribution of the discharge electron and of allowing no deterioration in the electron discharge characteristic even after a use for a long time and provide a cathode-ray tube of a high resolution and without the visibility of the of the moire phenomenon.例文帳に追加

放出電子の電流密度分布が滑らかで、かつ長時間動作させても電子放射特性を劣化させることのない酸化物陰極を実現し、高解像度でかつモアレ現象の視認されない陰極線管を提供する。 - 特許庁

To increase contrast, and resolution, and enlarge the margin of the quantity of exposure, by adjusting the quantity of auxiliary exposure, according to the density of patterns, in a scattering angle limitating system of an electron beam exposure method which performs the proximity effect correction by a ghost method at the same time with pattern exposure.例文帳に追加

ゴースト法による近接効果補正をパターン露光と同時に行う散乱角制限方式電子線露光方法において、パターン密度に応じて補助露光量を調整することにより、コントラストを増大させ、解像度を向上し、露光量マージンを大きくすることにある。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain techniques to improve the performance in microprocessing of a semiconductor element using high energy rays, in particular, KrF excimer laser light, X-rays, electron beams or EUV (extreme UV) rays, and to provide a negative resist composition satisfying the requirements for high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and preferable dependence on the pattern density.例文帳に追加

高エネルギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好な疎密依存性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁