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Second Foundationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 『第二ファウンデーション』(Second Foundation) は、アイザック・アシモフのSF小説。
「Second Foundation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 119件
The first and second foundation piles 30 and 31 are added in the foundation pile adding operation hole 3a, so as to be turned into an elongated foundation pile 32a.例文帳に追加
第1の基礎杭30と第2の基礎杭31を基礎杭継ぎ足し作業穴3aで継ぎ足し、延伸基礎杭32aとする。 - 特許庁
The foundation is thought to have started in India around the second century.発音を聞く 例文帳に追加
根本は2世紀頃のインドで始まったと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Applicants started to decrease in the second year after its foundation, straining the school budget.発音を聞く 例文帳に追加
開校翌年から応募生徒は減少し財政を圧迫した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To provide a foundation field bus device using a processor and foundation field bus protocol through a network and a control system that utilizes both foundation field bus protocol and second protocol.例文帳に追加
ネットワークにより、プロセッサと、ファンデーションフィールドバスプロトコルを使用するファンデーションフィールドバス装置及びセカンドプロトコルの両方を利用する制御システムを提供する。 - 特許庁
The second semiconductor layer is provided between the foundation layer and the light-emitting layer.例文帳に追加
第2半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。 - 特許庁
A substrate side GaN foundation layer nearest to the silicon substrate among the plurality of GaN foundation layers includes a first and a second low concentration foundation parts of low Si concentration, and a local high concentration foundation part of high Si concentration thinner than a total thickness of the first and the second low concentration foundation parts.例文帳に追加
複数のGaN下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側GaN下地層は、低Si濃度の第1、第2低濃度下地部と、高Si濃度で、第1、第2低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 - 特許庁
The fray-preventing warp knitted fabric partially has at least a foundation knitted texture portion 3 obtained by forming at least double chain stitch textures with at least two kinds of foundation yarns, wherein a first foundation yarn 1 is a non-elastic yarn in the foundation yarns and a second foundation yarn 2 is an elastic yarn, and any of the foundation yarns is not melt-bonded.例文帳に追加
少なくとも2種類の地糸にて、鎖編組織を2重以上に形成してなる地編組織の部分3を少なくとも一部に有し、前記地糸のうち第1の地糸1は非弾性糸であり、第2の地糸2は弾性糸であり、前記地糸のいずれもが熱融着していない状態とする。 - 特許庁
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「Second Foundation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 119件
A packing 21 for adjusting a foundation level that a first packing body 22 is combined together with a second packing body 23 is installed between a foundation 11 and a sill 14 laid on the foundation 11.例文帳に追加
基礎11と、この基礎11上に敷設する土台14との間に、第1のパッキング体22と第2のパッキング体23とを互いに組み合わせた基礎レベル調整パッキング21を設置する。 - 特許庁
The foundation layer includes a convexoconcave provided on the second principal surface and having recesses, side parts and salients.例文帳に追加
下地層は、第2主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。 - 特許庁
A foundation beam member 2 precast at part or all of a foundation beam KB is suspended on the PC footing member 1 in the second process.例文帳に追加
第二工程において、PCフーチング部材1の上面に、基礎梁KBの一部又は全部をプレキャスト化したPC基礎梁部材2を架け渡す。 - 特許庁
The dynamic friction damping mechanism 60 comprises a second plate 61 having a predetermined area provided to the ground side concrete foundation and a tumbling mechanism 62 movable together with the house side concrete foundation along the second plate provided to the house side concrete foundation corresponding to the second plate.例文帳に追加
動摩擦軽減機構60は、地盤側コンクリート基礎に設けられた所定の面積を持つ第2の板材61と、該第2の板材に対応する住宅側コンクリート基礎に設けられて第2の板材に沿って住宅側コンクリート基礎とともに移動可能な転動機構62とから成る。 - 特許庁
A cover member 81, on which a bolt penetrating hole 811 for penetrating the foundation bolt is formed, is clamped by the foundation bolt under the state where the cover member 81 with the bolt penetrating hole 811 for penetrating the foundation bolt, and which is formed thereon is abutted against the second position regulating member 71.例文帳に追加
基礎ボルトを貫通させるボルト貫通穴811が形成されたカバー部材81を第2の位置調整部材71に当接させた状態で基礎ボルトにより締め付ける。 - 特許庁
In this outdoor unit 2, a second front plate 24 of a casing 20 is positioned above the foundation legs 98.例文帳に追加
室外ユニット2では、ケーシング20の第2前板24が、基礎脚98の上方に位置している。 - 特許庁
The upper end section of the second board material for the exterior wall is fixed onto a foundation material 3 by a fixture.例文帳に追加
その後第2の外壁用板材の上端部を固着具で下地材3に固着する。 - 特許庁
On the foundation layer 2, an upper layer 3 is formed epitaxially with a second group III nitride rich in Al.例文帳に追加
下地層2の上に、上部層3をAlリッチな第2のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。 - 特許庁
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