Spin diffusionとは 意味・読み方・使い方

THIN FILM MAGNETORESISTANCE(MR) SPIN VALVE READING SENSOR EQUIPPED WITH DIFFUSION BARRIER AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

拡散障壁を備えた薄膜磁気抵抗（ＭＲ）スピン・バルブ読取りセンサおよび磁気ディスク・ドライブ - 特許庁

An improved spin valve sensor 300 is obtd., and the sensor 300 has a diffusion barrier 348 between a free layer 318 and a spacer layer 322.例文帳に追加

自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の間に挟まれた拡散障壁（３４８）を有する改良されたスピン・バルブ・センサ（３００）。 - 特許庁

The surface of the solid sample is structure-analyzed by measuring the diffusion process of the ^1H spin as ^13C NMR.例文帳に追加

この^1Hスピンの拡散過程を^13C NMRとして測定することにより、固体試料の表面の構造解析が可能となる。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

To provide a spin conductive device having improved characteristics by suppressing diffusion of metal atoms of magnetized free layers, magnetized fixed layers, and tunnel insulating layers to channel layers.例文帳に追加

磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

During heat treating the improved spin valve sensor 300 in the production process, the spacer layer 322 is inserted between the free layer 318 and a pinning layer 320 so as to effectively prevent diffusion of the free layer 318 and the spacer layer 322.例文帳に追加

製造中の改良したスピン・バルブ・センサ（３００）の熱処理の間に自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の拡散を有効に防止するために、自由層（３１８）とピン止め層（３２０）の間にスペーサ層（３２２）を挟む。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁