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TI-36とは 意味・読み方・使い方
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ウィキペディア英語版での「TI-36」の意味 |
TI-36
出典:『Wikipedia』 (2011/03/03 17:42 UTC 版)
「TI-36」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
A unit wave extraction part 36 extracts a unit wave W0 for one cycle specified by the virtual phase θ(ti) set by the phase setting part 34 from the frequency time series FA for each of the plurality of time points ti.例文帳に追加
単位波抽出部36は、位相設定部34が設定した仮想位相θ(ti)で特定される1周期分の単位波W0を複数の時点tiの各々について周波数時系列FAから抽出する。 - 特許庁
An Al-Cu alloy wiring is formed by a method where a Ti/TiN laminated film 34, an Al-Cu alloy layer 36 and a TiN/Ti laminated film 38 are deposited on an interlayer insulating film 32, such as an SiO2 film, to form a wiring layer 40.例文帳に追加
本方法では、SiO_2 膜等の層間絶縁膜32上に、Ti/TiN積層膜34、Al−Cu合金層36、及びTiN/Ti積層膜38を堆積して、配線層40を形成する。 - 特許庁
A cathode 35 made of stainless steel or Ti is placed facing a cylindrical aluminum anode 36 in the state of concentric circles, and is fixed to an upper flange 28.例文帳に追加
円筒状のアルミ陽極36に同心円状に対抗してステンレスやチタン等の陰極35設けられ上部フランジ28に固定されている。 - 特許庁
The ferroelectric film 36 is formed of PZT, and the Ti content at the center portion in the film-thickness direction is larger than other regions.例文帳に追加
強誘電体膜36は、PZTから形成され、膜厚方向の中央部分のTiの含有量が他の領域の比べて多くなっている。 - 特許庁
The scanning time Ti is compared with a reference time TO at a comparison control part 36, a reference clock frequency FO generated from a reference clock generation part 37 is multiplied by the ratio Ti/TO of shift quantity of the scanning time Ti with respect to the reference time TO and a write clock Fi used for i-th scanning is generated.例文帳に追加
比較制御部36において走査時間Tiを基準時間T0と比較し、走査時間Tiの基準時間T0に対するずれ量の比率Ti/T0を基準クロック発生部37から発せられた基準クロックの周波数F0に乗じてi回目の走査に用いる書込みクロックFiを生成する。 - 特許庁
The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加
半導体基板10の上方に形成された層間絶縁膜36と、層間絶縁膜36内に形成されたCuより成る配線50と、層間絶縁膜36と配線50の間に形成され、Ti膜42とTa膜44との積層膜より成るバリアメタル膜46とを有し、配線50表面に、TiとSiとを含む界面層54が形成されている。 - 特許庁
Then the metal film, for example 450 nm Au layer 38, is deposited on the Ti/Au laminate film 36 by means of electrolytic plating process, and a gate opening 34 is embedded.例文帳に追加
次いで、電解メッキ法で金属層、例えば膜厚450nmのAu層38をTi/Au積層金属膜36上に堆積させ、かつゲート開口34を埋め込む。 - 特許庁
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「TI-36」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.例文帳に追加
続いて、SiN膜32上のTi/Au積層膜36及びAu層38をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図2(f)に示すように、ゲート開口34のみに金属層36/38を残してゲート電極40を形成する。 - 特許庁
A metal film, for example a laminated metallic film 36 of 20 nm thickness Ti film and 200 nm thickness Au film is deposited, for example by means of an electron beam irradiation.例文帳に追加
本製造方法は、GaAs基板12全面に例えば電子ビーム法で金属膜、例えば膜厚20nmのTi膜/膜厚200nmのAu膜の積層金属層36を堆積する。 - 特許庁
Ti-48/14×N-48/36×S≥6×C (1) and 900-325×C+33×Si+287×P+80×Al-92×(Mn+Mo+Cu)-46×(Cr+Ni)>0 (2).例文帳に追加
Ti−48/14×N−48/36×S≧6×C … (1) 900−325×C+33×Si+287×P+80×Al−92×(Mn+Mo+Cu)−46×(Cr+Ni)>0 … (2) - 特許庁
The material for the shadow-masking contains Ni of 28-36%, Co of 1-3.5%, Mn of 0.1% or below, and at least one kind selected from Zr, Nb, Ti and V, and the residue is composed of Fe.例文帳に追加
本発明のシャドウマスク用材料は、Ni28〜36%、Co1〜3.5%、Mn0.1%以下、およびZr、Nb、Ti、Vから選ばれる少なくとも1種の元素0.1〜4.0%含み、残部がFeから成る。 - 特許庁
In the piezoelectric device wherein a piezoelectric vibration chip 32 is housed inside a package 36 and a cover 39 hermetically seals the package 36, a configuration member 40 comprising a material such as a brazing member and a substrate used for sealing the package 36 with the cover 39 is characterized in to adopt a member 44 with a gettering effect such as Ti (titanium).例文帳に追加
パッケージ36の内側に圧電振動片32を収容して、蓋体39により前記パッケージ36を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体39で前記パッケージ36を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材40に、Ti(チタン)等のゲッタリング効果を有する部材44が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。 - 特許庁
The balance bodies 30 comprise the pair of balances 32, 36, and they are mixed body made by coagulating metal powders of tungsten or the like having a larger specific gravity than that of the Ti alloy of the head body 12 using a dumping material such as rubber and a binder.例文帳に追加
上記バランス体30は一対のバランス32,36からなり、これらはヘッド本体12のTi合金よりも比重の大きいタングステン等の金属粉末をゴム等の緩衝材とバインダで固めた混合体である。 - 特許庁
A golf putter 1 includes a putter head 10 provided with a metal head body 12 made of Ti alloy and balance bodies 30 (32, 36) with a damping characteristic attached respectively to a toe part 22 and a heel part 18 of the body 12.例文帳に追加
Ti合金からなる金属製のヘッド本体12と、この本体12のトウ部22とヒール部18にそれぞれ装着した制振性を有するバランス体30(32,36)と、を備えたパターヘッド10を含む、ゴルフ用パター1。 - 特許庁
In order to form an electrode 3, for example, on a θ rotation Y-cut (θ=36° to 42°) LiTaO_3 piezoelectric substrate 2, an underlying electrode layer including Ti or Cr as a primary component is formed, and an Al electrode layer 4 including Al as a primary component is then formed on this underlying electrode layer 5.例文帳に追加
たとえばθ回転Yカット(θ=36°〜42°)のLiTaO_3圧電基板2上に電極3を形成するため、TiまたはCrを主成分とする下地電極層5を形成し、その上にAlを主成分とするAl電極層4を形成する。 - 特許庁
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praesentationibus
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2
Petreşti, Ungheni
百科事典
3
inoculatio
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4
praesentationes
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5
Alimpeşti
百科事典
6
Ciumești
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7
abominatione
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praesentatione
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praesentationum
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Ludești
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