Ta-Siとは 意味・読み方・使い方

In the formula, M1 represents at least one selected from the group consisting of Zr, Si and Sn, and M2 represents at least one selected from the group consisting of V, Ta and Bi.例文帳に追加

上記式において、前記M1はZr、Si及びSnから成る群から選択される少なくとも１つであり、前記M2はV、Ta及びBiから成る群から選択される少なくとも1つである。 - 特許庁

The insulating film 25 holds Ta+Si+O=100% and 60 mol%≤O≤75 mol%.例文帳に追加

絶縁膜２５はＴａ＋Ｓｉ＋Ｏ＝１００％、６０モル％≦Ｏ≦７５モル％である。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The heating resistor is formed of a nonmetallic substance consisting of four elements Ta, Si, O and N.例文帳に追加

発熱抵抗体を、Ｔａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの４元素から成る非金属的物質で形成する。 - 特許庁

The Si alloy contains, in addition to the above, 3% or less in total of one or two of Ta and W.例文帳に追加

また上記に加えて、Ｔａ，Ｗの１種または２種を合計で３％以下含有させたこと。 - 特許庁

The wafer 101 is formed by successively depositing a Ta film and a Cu film on a Si substrate.例文帳に追加

ウェハ１０１は、Ｓｉ基板上にＴａ膜及びＣｕ膜をスパッタ法で順次堆積したものである。 - 特許庁

The metal is preferably Ti, Ta, Cr, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W or Si.例文帳に追加

金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＷまたはＳｉであることが好ましい。 - 特許庁