Tisinとは 意味・読み方・使い方

After a Cu film 111 is deposited on the surface of a TiSiN film 110 by a physical vapor-phase growth method, a Cu film 112 is deposited on the surface of the Cu film 111 by an electrolytic plating method.例文帳に追加

次に、ＴｉＳｉＮ膜１１０の表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１１を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１１の表面にＣｕ膜１１２を堆積する。 - 特許庁

For example, the oxide resistance layer is formed of a material obtained from the group of the materials constituted of TiN, TaN, TiAlN_x, TaAlN_x, TaSiN, TiSiN and RuTiN.例文帳に追加

例えば、酸化耐性層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＡｌＮ_ｘ、ＴａＡｌＮ_ｘ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、およびＲｕＴｉＮから構成される材料の群から得られる材料から形成される。 - 特許庁

In this barrier metal layer interposed between a silicon layer or a silicon, containing layer 64 containing silicon and copper layers 68 and 70 for preventing the suction of the silicon, a TiSiN film 66 is used as the barrier metal layer.例文帳に追加

シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層６４と銅層６８，７０との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜６６を用いる。 - 特許庁

To provide a metal wiring of a semiconductor element which can be applied also to a semiconductor element of 65 nm or less, and a method for manufacturing it, by using CVD TiSiN as a material of a barrier metal layer of a copper wiring.例文帳に追加

銅配線のベリア金属層の物質としてＣＶＤ ＴｉＳｉＮを用いて６５ｎｍ以下の半導体素子にも適用できるようにした半導体素子の金属配線およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The high dielectric-constant layer 64, the upper-part electrode 71, barrier layer 72, stopper layer 73, and adhesive layer 74 employ BST (barium titanate strontium), Pt or PtO3, TiN or TiSiN, PtSixOyNz (0<x, y, z<1), and TiN, respectively.例文帳に追加

高誘電率層６４、上部電極７１、バリア層７２、ストッパ層７３，密着層７４は、それぞれＢＳＴ、ＰｔあるいはＰｔＯ_a、ＴｉＮあるいはＴｉＳｉＮ、ＰｔＳｉ_xＯ_yＮ_z（０＜ｘ，ｙ，ｚ＜１）、ＴｉＮが採用される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which controls a threshold voltage of a transistor by controlling a composition at the time of depositing by forming a gate electrode caused by a TaSiN-based film or a TiSiN-based film by a CVD method, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＶＤ法でＴａＳｉＮ系又はＴｉＳｉＮ系膜によるゲート電極を形成することで、成膜時の組成を制御することトランジスタの閾値電圧を制御する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a layer insulating film which is formed on an entire structure, and in which a damascene pattern is formed, a metal layer formed in the damascene pattern, and a barrier metal layer formed between the metal layer and the layer insulating film and comprises WN or TiSiN.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、全体構造上に形成され、ダマシンパターンが形成された層間絶縁膜、ダマシンパターンに形成された金属層、及び金属層と層間絶縁膜との間に形成され、ＷＮまたはＴｉＳｉＮからなる障壁金属層を含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁