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主な意味trenchの過去形、または過去分詞。(深い)溝(みぞ)、 壕(ごう)、 堀、 掘り割り

Trenchedの
文法情報

trenched」は動詞「trench」の過去形、または過去分詞です

Trenchedの
学習レベル

レベル6英検準1級以上の単語学校レベル大学以上の水準TOEIC® L&Rスコア730点以上の単語大学入試最難関大対策レベル

Wiktionary英語版での「Trenched」の意味

trenched

出典:『Wiktionary』 (2010/10/29 16:42 UTC 版)

動詞

trenched

  1. Simple past tense and past participle of trench.


「Trenched」を含む例文一覧

該当件数 : 32



例文

letters trenched into the stone発音を聞く例文帳に追加

石に刻まれた文字 - 日本語WordNet

TRENCHED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

溝型半導体装置 - 特許庁

TRENCHED CAPACITOR例文帳に追加

トレンチ型キャパシタ - 特許庁

He trenched his military camp発音を聞く例文帳に追加

彼は、軍のキャンプを堀で囲んだ - 日本語WordNet

SOUNDPROOF DEVICE OF TRENCHED ROAD例文帳に追加

堀割道路の防音装置 - 特許庁

To reduce sound from a trenched road, sufficiently ventilate the trenched road, and secure brightness in the road while reducing a flicker phenomenon.例文帳に追加

堀割道路の騒音を低減し、かつ換気も十分行われ、フリッカー現象を軽減しつつ道路内の明るさも確保できる。 - 特許庁

例文

MANUFACTURE OF HIGH-DENSITY TRENCHED DMOS USING SIDEWALL SPACER例文帳に追加

側壁スペーサを用いる高密度トレンチ形DMOSの製造 - 特許庁

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「Trenched」を含む例文一覧

該当件数 : 32



例文

TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタ - 特許庁

The semiconductor device 7 includes a semiconductor substrate 1 and at least one trenched capacitor 10.例文帳に追加

半導体装置7は、半導体基板1および少なくとも1個のトレンチ型キャパシタ10を具備する。 - 特許庁

A trenched phase shift mask (104) having portions of a light-blocking layer (206) thereon is formed (1102).例文帳に追加

遮光層の部分(206)を上に有する、溝のある位相シフトマスク(104)が形成される(1102)。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタを製造する方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a trenched capacitor whose electric capacitance is increased almost without increasing the size of a trench part of the trenched capacitor.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタのトレンチ部のサイズを殆ど大きくすることなく、電気的容量の増大が図られたトレンチ型キャパシタを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

A layer (802) comprising an anti-reflective material is formed on the trenched phase shift mask (104) and the portions of the light-blocking layer (206) (1104).例文帳に追加

次に、反射防止材料からなる層(802)が、溝のある位相シフトマスク(104)および遮光層の部分(206)上に形成される(1104)。 - 特許庁

To achieve a high degree of integration in forming a trenched DRAM memory cell by facilitating the connection between a vertical transistor and a trench capacitor.例文帳に追加

トレンチ型DRAMメモリセルの形成において、垂直型トラジスタとトレンチ型キャパシタの接続を容易化し、高集積化する。 - 特許庁

例文

In the trenched road extending approximately north and south, the soundproof panel 4 is desirably disposed to face north with an upward inclination so as to shield direct sunlight s.例文帳に追加

概ね南北に延びる堀割道路において、前記防音パネル4を北側方向に向けて上向きの傾斜を設けて配置した形態とするのが、太陽光sの直射を遮るので好ましい。 - 特許庁

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Text is available under Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA) and/or GNU Free Documentation License (GFDL).
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