「Trenched」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURE OF HIGH-DENSITY TRENCHED DMOS USING SIDEWALL SPACER例文帳に追加

側壁スペーサを用いる高密度トレンチ形ＤＭＯＳの製造 - 特許庁

To reduce sound from a trenched road, sufficiently ventilate the trenched road, and secure brightness in the road while reducing a flicker phenomenon.例文帳に追加

堀割道路の騒音を低減し、かつ換気も十分行われ、フリッカー現象を軽減しつつ道路内の明るさも確保できる。 - 特許庁

TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a trenched capacitor whose electric capacitance is increased almost without increasing the size of a trench part of the trenched capacitor.例文帳に追加

トレンチ型キャパシタのトレンチ部のサイズを殆ど大きくすることなく、電気的容量の増大が図られたトレンチ型キャパシタを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

Came in a little hotter than we planned. i'm sorry we trenched the lawn here.例文帳に追加

計画より刺激的な登場となりました 芝生を掘ってしまってすいません - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタを製造する方法 - 特許庁

A trenched phase shift mask (104) having portions of a light-blocking layer (206) thereon is formed (1102).例文帳に追加

遮光層の部分（２０６）を上に有する、溝のある位相シフトマスク（１０４）が形成される（１１０２）。 - 特許庁

The semiconductor device 7 includes a semiconductor substrate 1 and at least one trenched capacitor 10.例文帳に追加

半導体装置７は、半導体基板１および少なくとも１個のトレンチ型キャパシタ１０を具備する。 - 特許庁

To achieve a high degree of integration in forming a trenched DRAM memory cell by facilitating the connection between a vertical transistor and a trench capacitor.例文帳に追加

トレンチ型ＤＲＡＭメモリセルの形成において、垂直型トラジスタとトレンチ型キャパシタの接続を容易化し、高集積化する。 - 特許庁

The ESD protection device of the present invention includes a transistor structure having trenched active regions, and a pedestal gate region is formed.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護デバイスは、トレンチ状の能動領域を有するトランジスタ構造を含み、その間にペデスタル・ゲート領域を形成する。 - 特許庁

A layer (802) comprising an anti-reflective material is formed on the trenched phase shift mask (104) and the portions of the light-blocking layer (206) (1104).例文帳に追加

次に、反射防止材料からなる層（８０２）が、溝のある位相シフトマスク（１０４）および遮光層の部分（２０６）上に形成される（１１０４）。 - 特許庁

To provide a trenched MOSFET structure which does not require any additional masking steps to form a channel stop for prevention of surface channeling phenomena.例文帳に追加

表面チャネリング現象を防止するためのチャンネルストップの形成に余分のマスキング構成を要しないトレンチ型ＭＯＳＦＥＴの構造を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 10 is provided with a MISFET 12 that is provided on an element forming region isolated by a shallow-trenched element isolation region 16.例文帳に追加

本半導体装置１０は、浅溝素子分離領域１６により素子分離された素子形成領域に設けられたＭＩＳＦＥＴ１２を備える半導体装置である。 - 特許庁

The anti-reflective material (802) is then removed on horizontal surfaces of the trenched phase shift mask (104) and of the portions of the light-blocking layer (206).例文帳に追加

次いで、反射防止材料（８０２）は、溝のある位相シフトマスク（１０４）の水平表面上、および遮光層の部分（２０６）の水平表面上で除去される（１１０６）。 - 特許庁

To provide a trench field effect transistor which includes a trenched heavy body that allows for reduction of cell pitch while maintaining good ruggedness and overall performance.例文帳に追加

良好な堅固さおよび全体的な性能を維持しつつセル・ピッチの低減を可能とする、トレンチとされた高重基体を含むトレンチ型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a disassembling method of an optical cable core and a disassembling apparatus thereof, capable of surely cutting off and removing rough winding threads for preventing coated optical fibers from dropping out of the trenched slots.例文帳に追加

光ファイバ心線がスロットの溝から脱落するのを防止する粗巻き紐を、確実に切断除去することができる光ケーブルコアの解体方法及び解体装置を提供する。 - 特許庁

Further, the semiconductor substrate 10 has a structure in which a source region side lateral region 15 in the region immediately under the gate insulating film 13 is trenched in the region immediately under the gate insulating film 13.例文帳に追加

さらに、半導体基板１０が、ゲート絶縁膜直下領域１３に対して、ゲート絶縁膜直下領域１３のソース領域側側部領域１５が掘り込まれた構造を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having a element isolation trenched film, which can gradually adjust the top rounding angle and can remove the etching loss layer generated after trench etching.例文帳に追加

トップラウンド角度を緩やかに制御でき、トレンチエッチング後に発生されたエッチング損失層を除去できるトレンチ型素子分離膜を備えた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a trenched DMOS transistor having a deep diffusion region which minimizes a region required to provide the deep body diffusion region having a sufficient depth.例文帳に追加

十分な深さを有する深いボディ拡散領域を設けるために必要とされる領域を最小化する、深い拡散領域を有するトレンチ形ＤＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

In the trenched road extending approximately north and south, the soundproof panel 4 is desirably disposed to face north with an upward inclination so as to shield direct sunlight s.例文帳に追加

概ね南北に延びる堀割道路において、前記防音パネル４を北側方向に向けて上向きの傾斜を設けて配置した形態とするのが、太陽光ｓの直射を遮るので好ましい。 - 特許庁

This photovoltaic generator is constructed on an SOI N^- layer which is subdivided into a series of connected isolated tubs whereby the isolated tubs are subdivided by a matrix of trenched wells.例文帳に追加

ＳＯＩ Ｎ^−層上に構築される光起電力発生装置であって、ＳＯＩ Ｎ^−層は、一連の分離され接続されたタブに再分割され、分離されたタブがトレンチウェルのマトリックスによって再分割される光起電力発生装置である。 - 特許庁

By forming a trench 115 trenched from a wafer surface at both sides of a ridge stripe 110, the level difference generated in the vicinity of an active layer 105 on the end face of a resonator can be prevented from reaching the ridge stripe 110 at cleaving.例文帳に追加

リッジストライプ１１０の両脇に、ウェハ表面より掘り込まれたトレンチ１１５を形成することにより、劈開時において、共振器端面の活性層１０５付近で生じる段差がリッジストライプ１１０にまで延びることを防ぐことができる。 - 特許庁

A corrugated cardboard (202) is formed by applying vacuum to an edge (224) of a core member (208) comprising a trenched liner board, which is provided with overlapped plane liner boards (204, 206) and adhesive (212) and is held tight, so that they are sucked mutually in manufacturing the corrugated cardboard.例文帳に追加

段ボールの製造において、重ねられた平坦ライナボード(204、206)および接着剤(212)が付され挟持された溝付きライナボードの芯材(208)の縁部(224)に対して減圧が付与されることで、それらは相互に吸引されて段ボール(202)が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a memory of small storage capacity is formed at high yield even if, related to a system LSI on which a memory comprising a trenched capacitor is mounted, an etching condition is standardized for forming a deep trench among generations.例文帳に追加

トレンチ型のキャパシタを有するメモリ部を搭載したシステムＬＳＩにおいて、各世代でディープトレンチを形成する際のエッチング条件の標準化した場合でも、低記憶容量のメモリを歩留まりよく形成することができる半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 and a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 10 and the semiconductor substrate 10 has a structure in which a drain region side lateral region 14 in a region immediately under the gate insulating film 13 is trenched in the region immediately under the gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１１と、を備え、半導体基板１０が、ゲート絶縁膜直下領域１３に対して、ゲート絶縁膜直下領域１３のドレイン領域側側部領域１４が掘り込まれた構造を有する。 - 特許庁

In the substrate surface, the region from the supply opening to at least the front of an individual channel disposed in the periphery of the end of the supply opening or the region from the supply opening to at least the interior of the individual channel disposed in the periphery of the end of the supply opening is trenched deeper than the other part of the surface.例文帳に追加

基板表面の、供給口から、少なくとも供給口の端周辺に配置された個別流路の手前に至る領域、もしくは供給口から、少なくとも供給口の端周辺に配置された個別流路の内部に至る領域が他面よりも掘り込まれている。 - 特許庁

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20.例文帳に追加

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory part where, provided in an element formation region within a chip region of a wafer, a cell is formed using a trenched capacitor, a bonding pad 304 provided around the element formation region, and a dummy trench 303 formed, at least, either above a dicing line 305 of the wafer or below the bonding pad 304.例文帳に追加

ウェハにおけるチップ領域中の素子形成領域に設けられ、セルがトレンチ型キャパシタを用いて形成されたメモリ部と、前記素子形成領域の周辺に設けられたボンディングパッド３０４と、前記ウェハにおけるダイシングライン３０５上、前記ボンディングパッド３０４下方の少なくともいずれかに形成されたダミートレンチ３０３とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁