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VS Pとは 意味・読み方・使い方
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「VS P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
I have not written such an email that accused her of emphasizing p vs. np problem例文帳に追加
P対NP問題を 重要視してると彼女を非難していた そんなメールは書いてない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
For this image forming device, the number of grooves are provided on the developer carrier, so as to establish a relation between traveling speed Vs of the developer carrier, and the pitch P (mm) of the grooves to the effect that the pitch P is ≥2 times that of Vs/Vp.例文帳に追加
像担持体の移動速度Vpと、現像剤担持体の移動速度Vsと、溝のピッチP(mm)との間に、ピッチPがVs/Vpの2倍以下という関係が成立するように現像剤担持体に溝を設ける。 - 特許庁
An operational amplifier circuit is constituted by using thin-film transistors formed on a quartz substrate, in which 90% or more of N-channel type thin-film transistor have the mobility of 260 (cm2/Vs) or larger and 90% or more of P-channel type thin-film transistors have the mobility of 150 (cm2/Vs) or larger.例文帳に追加
Nチャネル型の薄膜トランジスタの90%以上はその移動度が260(cm^2/Vs) 以上の値を有し、Pチャネル型の薄膜トランジスタの90%以上はその移動度が150(cm^2/Vs) 以上の値を有している石英基板上に形成された薄膜トランジスタでもってオペアンプ回路を構成する。 - 特許庁
When streamer propagation velocity is represented by Vs and discharge occurrence frequency between the electrodes is represented by f, then the plasma waste gas treatment facility P is put into operation that satisfies the conditions of 5-1 (d/vs)≤τ≤5(d/vs) and f≤1 kpps.例文帳に追加
いま、ストリーマ放電進展速度をv_s、電極間における放電の発生頻度をfとすると、このプラズマ排ガス処理設備Pは、5^-1(d/v_s)≦τ≦5(d/v_s)及びf≦1kppsなる条件を満たした状態で運用される。 - 特許庁
The voltages VS and VR are inputted into a voltage comparator 11 comprising a P-channel input type differential amplifier and to obtain an output voltage VC when the voltage VS becomes lower than the voltage VR.例文帳に追加
Pチャンネル入力型の差動アンプで構成される電圧比較器11に電位V_S及び電位V_Rを入力し、電位V_Sが電位V_Rより低くなったときに立ち上げられる出力電位V_cを得る。 - 特許庁
An n^+-type source region 133 of an nMOSFET and connected to a VS terminal is formed in the main surface of the p-well 131.例文帳に追加
nMOSFETが有する、VS端子に接続されたn^+型ソース領域133は、pウェル131の主面内に形成されている。 - 特許庁
The field effect mobility of the bipolar polymer film is, at least, as high as 10-3 cm2/Vs when it operates as an N-type or a P-type device.例文帳に追加
バイポーラポリマー膜の電界効果移動度は、nタイプおよびpタイプデバイスとして動作する場合、少なくとも10^-3cm^2/Vsである。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「VS P」の意味 |
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vsp
| fly | 遺伝子名 | vsp |
| 同義語(エイリアス) | l(1)G0218; 142932_at; l(1)G0367; domeless; CT33841; DOME; l(1)G0405; l(1)G0321; anon-18DEb; Cytokine receptor precursor; CG14226; Dome; Protein domeless; mom; l(1)G0441; l(1)G0468; dome; l(1)G0282; l(1)G0217; l(1)G0264; verstopft; master of marelle | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9VWE0 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:32976 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0043903 |
| mouse | 遺伝子名 | Vsp |
| 同義語(エイリアス) | AVP-NPII; Vasopressin-neurophysin 2-copeptin precursor; Avp; Vp; arginine vasopressin | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P35455 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:11998 | |
| その他のDBのID | MGI:88121 |
| mouse | 遺伝子名 | VSP |
| 同義語(エイリアス) | Vimentin-specific protease; Ctsg; Cathepsin G precursor; cathepsin G | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P28293 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:13035 | |
| その他のDBのID | MGI:88563 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「VS P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
An n-channel-type MOSFET 7U is arranged on the side of the power source Vs of a brushless motor 1, and a p-channel-type MOSFET 8U is arranged on the side of a ground GND.例文帳に追加
ブラシレスモータ1の電源Vs側にNチャンネル形MOSFET7Uを配置し、接地GND側にはPチャンネル形MOSFET8Uを配置する。 - 特許庁
An electrode 41 is formed on the p^+-type impurity region 33, and the electrode 41 is connected to the high-voltage side floating offset voltage VS.例文帳に追加
p^+型不純物領域33上には電極41が形成されており、電極41は高圧側浮遊オフセット電圧VSに接続されている。 - 特許庁
An electrode 41 is formed on the p+ type impurity region 33 and the electrode 41 is connected to a high-voltage-side floating offset voltage VS.例文帳に追加
p^+型不純物領域33上には電極41が形成されており、電極41は高圧側浮遊オフセット電圧VSに接続されている。 - 特許庁
The controller 50 has a control part 52 for converging the high pressure P in the refrigerating cycle to the set pressure Ps in accordance with a target converging speed Vs and a change part 51 for changing the target converging speed Vs of the control part 52 depending on a deviation dP between the high pressure P and the set pressure Ps.例文帳に追加
このコントローラ(50)は、冷凍サイクルにおける高圧圧力Pを目標収束速度Vsに基づいて設定圧力Psに収束させる制御部(52)と、該制御部(52)の目標収束速度Vsを高圧圧力Pと設定圧力Psとの偏差dPに応じて変更する変更部(51)とを備えている。 - 特許庁
The configuration to satisfy the relation n≥(L×Vp)/(P×Vs) when the maximum pitch of the pitch unevenness in the state unable to visually recognize the stripe-form pitch unevenness corresponding to the grooves 13 appearing on a toner image any more is defined as P.例文帳に追加
トナー像上に現れる溝13と対応したスジ状のピッチムラを視認できなくなる状態のピッチムラの最大ピッチをPとしたとき、n≧(L・Vp)/(P・Vs)の関係式を満足する構成とする。 - 特許庁
The discharge pressure P of the liquid object is increased to the discharge pressure PL over the discharge pressure P when continuously coating in the area where the coating velocity V is lower than the determined velocity Vs so that discharge of the liquid object is stabilized.例文帳に追加
塗布速度Vが所定速度Vsよりも遅い領域で、連続塗布時の吐出圧力Pを越える吐出圧力PLまで液状体の吐出圧力Pを高め、液状体の吐出を安定させる。 - 特許庁
The D/A converters 1 are provided in numbers less than those of the external output terminals P, and designed to output a display voltage Vs on the basis of inputted image signals Vd.例文帳に追加
D/A変換器1は、外部出力端子Pよりも少ない数で設けられ、入力された画像信号Vdに基づいて、表示電圧Vs を出力する。 - 特許庁
Together with this charge, a source line of a cell of a block which is made unselected, a p type well P, and an n type well are charged to the second voltage Vs between a grounding potential VSS and a first voltage Vb by a voltage generation circuit 10.例文帳に追加
この充電とともに、電圧発生回路10により、非選択とされたブロックのセルのソース線、p型ウェルP、n型ウェルを、接地電位VSSと第1の電圧Vbとの間の第2の電圧Vsに充電する。 - 特許庁
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| ※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。 | |
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