W onceとは 意味・読み方・使い方

The water drops W falling down in the first slits 5 once stay on the bottom part of the first slits 5, and thereafter, are discharged to the outside of the container from the through-holes 6.例文帳に追加

第１スリット５を落下した水滴Ｗは、一旦、第１スリット５の底部に溜まり、その後、貫通穴６から容器外部に排出される。 - 特許庁

The wafer (W) is put near to the upper heating panel 71 by moving up the elevator pin 80 and treated once by heat at 90°C.例文帳に追加

昇降ピン８０を上昇させることにより上側加熱板７１に近づけたウェハＷを一旦９０℃で加熱処理する。 - 特許庁

In this held state, the plurality of the wafers W are film-formed at once in a reactor 80 for large size.例文帳に追加

この保持状態で大サイズ用のリアクタ８０において前記複数ウェハＷを一度に成膜処理する。 - 特許庁

When this feeding is once finished, a water level sensor 20 is washed by means of a shower 31 and successively, the water level of the sludge water W is detected (C).例文帳に追加

この供給が一旦終了すると、シャワー３１によって水位センサ２０を洗浄し、続いてスラッジ水Ｗの水位を検出する（Ｃ）。 - 特許庁

The rotation means 18, 19 turn the can shell W around its axial line in such a way that, while the conveyed can shell W is being irradiated with the light from the projection means 3, the boundary of the welded overlapped part of the can shell W is irradiated with the light at least once in the tangential direction.例文帳に追加

回転手段１８，１９は、搬送される缶胴Ｗに投光手段３から光が照射されている間に、缶胴Ｗの溶接された重合部分の境界に対して接線方向に少なくとも一回光が照射されるように、缶胴Ｗをその軸線回りに回転させる。 - 特許庁

When the wafer W is heated to 450°C in the chamber 23 and then cooled to 23°C C, the wafer W is once mounted on the plate 35 of the chamber 24, the wafer W is lowered to 200°C, and then cooled to 23°C by another cooling unit.例文帳に追加

そして，ウェハＷを高温加熱室２３内で４５０℃に加熱してから２３℃に冷却する場合に，一旦降温室２４の降温板３５上に載置して，ウェハＷを２００℃に降温させた後，他のクーリングユニットで２３℃まで冷却する。 - 特許庁

As erasing or re-display processing of the window (w), pne-down is once performed in an area 60 in the figure, for example, all the displayed windows (plural windows) are erased and when pen-down is performed once again, these windows are displayed again.例文帳に追加

そして、ウインドウｗの消去または再表示の処理としては、例えば図中の特定の領域６０に１回ペンダウンすると、表示中のウインドウ（複数の場合も有る）が全て消去され、もう１回ペンダウンすると再表示される。 - 特許庁

In the burying process of the W plug, the W film is etched back while a silicon substrate is electrostatically attracted to the stage, electrostatic attraction in the silicon substrate is cancelled once during an etchback, and then the silicon substrate is electrostatically attracted to the silicon substrate again.例文帳に追加

上記Ｗプラグを埋め込む工程は、シリコン基板をステージに静電吸着した状態で、Ｗ膜にエッチバックを行い、このエッチバックの途中で、シリコン基板の静電吸着を一旦解除した後、再びシリコン基板をステージに静電吸着するものである。 - 特許庁