A non-silicon light-sensing device located in a least a portion of a crystalline material can output electrons generated by light absorption therein.例文帳に追加

結晶材料の少なくとも一部にある非シリコン光センスデバイスは、内部の光吸収によって生成された電子を出力することができる。 - 特許庁

The two-photon absorption optical recording material includes at least (1) a two-photon absorption optical compound, (2) a recording component whose absorption spectrum changes by electron movement or energy movement from the excited condition of the two-photon absorption compound, (3) an electron donating compound capable of donating electrons to the two-photon absorption compound or/and a compound constituting a recording component.例文帳に追加

少なくとも（１）２光子吸収化合物、（２）２光子吸収化合物の励起状態から電子移動またはエネルギー移動によって吸収スペクトルが変化する記録成分、（３）２光子吸収化合物または／および記録成分を構成する化合物へ電子を供与することのできる電子供与性化合物を含む２光子吸収光記録材料。 - 特許庁

A far-infrared pulse laser beam is made to enter a target, consisting of a low atomic number substance, thereby high-speed electrons caused by resonance absorption phenomenon is generated; and this high-speed electrons are made to collide with a high atomic number substance, thereby characteristic X-rays of short-pulse high luminance point-like light source is generated.例文帳に追加

遠赤外パルスレーザー光を低原子番号物質からなるターゲットに入射させることにより共鳴吸収現象に起因する高速電子を発生させ、該高速電子を高原子番号物質に衝突させることにより、短パルス高輝度点光源の特性Ｘ線を発生させる。 - 特許庁

Numerical values based on the photoelectrons and Auger electrons and another numerical values based on the fluorescent X rays are brought to correspond with each other in a processing section 29, and then the numerical value based on the photoelectrons and Auger electrons is subtracted from the numerical value based on the fluorescent X rays, thereby obtaining an absorption coefficient with respect only to the inward side of the sample S.例文帳に追加

処理部２９で光電子及びオージェ電子に基づく数値と蛍光Ｘ線に基づく数値とを対応させた後、蛍光Ｘ線に基づく数値から光電子及びオージェ電子に基づく数値を減じて、試料Ｓの内部側だけの吸収係数を得る。 - 特許庁

The effects of the inelastic scattering of electrons on elastic scattering may be described by a complex optical potential, which is composed (in real space) of a real crystal potential and an imaginary absorption potential.発音を聞く 例文帳に追加

弾性散乱への電子の非弾性散乱の効果は、(実空間において)実数の結晶ポテンシャルと虚数の吸収ポテンシャルから構成される複素光学ポテンシャルによって記述できるであろう。 - 科学技術論文動詞集

By collision of electron beam B into rhodium particulates 31, X-rays are generated from rhodium particulates 31, and X-rays are also generated from the beryllium thin film 32 by scattering and absorption of a part of electrons to the beryllium thin film 32.例文帳に追加

電子ビームＢのロジウム微粒子３１への衝突によりロジウム微粒子３１からＸ線が発生するとともに、一部の電子のベリリウム薄膜３２への散乱・吸収でベリリウム薄膜３２からもＸ線が発生する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a dye-sensitized solar cell in which photoelectric conversion efficiency is improved by reducing loss of electrons generated by light absorption of dye, and by improving an electromotive force and current density.例文帳に追加

色素の光吸収によって発生した電子の消失を低減させて起電力及び電流密度を改善することにより、光電変換効率を向上させた色素増感型太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁

Since the migration distance of conduction electrons generated by absorption of light in the power generation layer 14 is short in the transparent conductive film 16, a voltage drop caused by the resistance of the second transparent conductive film 16 is small and hence there is little loss.例文帳に追加

発電層１４内部で光の吸収により発生した伝導電子の透明導電膜１６における移動距離は短いため、第２の透明導電膜１６の抵抗による電圧降下が小さく、ロスが少ない。 - 特許庁

An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加

２次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を１０ｎ秒以上保持し、単一光子の吸収に対して１００万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁

The holographic recording composition contains: a compound that is rendered into an excited state by absorption of light in a sensitive wavelength region to generate electrons and/or energy; and a cyanine coloring moiety-containing compound that can induce a wavelength shift of λmax to a shorter side or decrease in a molar absorbance upon receiving electrons and/or energy.例文帳に追加

感応波長域の光を吸収することにより励起状態となり電子および／またはエネルギーを発生する化合物と、電子および／またはエネルギーを与えることによりλｍａｘの短波長シフトやモル吸光係数の減少を起こし得るシアニン系色素部位含有化合物と、を含有するホログラフィック記録用組成物。 - 特許庁

By measuring the peak intensity of the infrared absorption of an O-N-O complex, due to transition of electrons between energy levels by ultra-low temperature FTIR measurement to determine the concentration of the O-N-O complex, the concentration of a very small quantity of added nitrogen is determined quantitatively.例文帳に追加

極低温ＦＴＩＲ測定によりＯ−Ｎ−Ｏ複合体の電子準位間遷移による赤外吸収のピーク強度または積分強度を測定し、Ｏ−Ｎ−Ｏ複合体濃度を決定することにより、微量添加窒素濃度を定量する。 - 特許庁

In the film formed from a semiconductor oxide which produces electrons and holes upon absorption of light, the semiconductor oxide is a semiconductor oxide film being W-containing Fe_2O_3 of a W/Fe atomic ratio of 0.02-0.08, a production method thereof, and a hydrogen generation apparatus using the film.例文帳に追加

光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＷの原子数比０．０２〜０．０８のＷ含有Ｆｅ_2Ｏ_3である半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに、当該膜を用いた水素発生装置。 - 特許庁

At this point, since there is no recombination center nor a trap level inside the crystalline photoelectric conversion film 21, the reduction in photoelectric current due to the absorption of the electrons created by photoelectric conversion by a recombination center or a trap level and the occurrence of after-image due to the emission of the carrier from the trap level can be suppressed.例文帳に追加

このとき、結晶性の光電変換膜２１中には再結合中心やトラップ準位が無いため、光電変換により生じた電子が再結合中心やトラップ準位に吸収されることによる光電流の減少や、トラップ準位からのキャリア放出による残像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To correctly obtain an electronic state of a portion which makes up the inward side of a sample, and to enable the inward side and the pole surface side of the sample to be analyzed individually, by directly comparing two X-ray absorption spectra obtained from fluorescent X rays and photoelectrons/Auger electrons emitted from the sample irradiated with X rays.例文帳に追加

Ｘ線を照射した試料から放出された光電子及びオージェ電子と蛍光Ｘ線とに基づいて得た２つのＸ線吸収スペクトルを直接比較できるようにすることで、試料の内部側を構成する部分の電子状態を正確に得て、試料の極表面側と内部側とを個別に分析できるようにする。 - 特許庁

There is provided the semiconductor inspection device that evaluates a contact hole interface state and a thin film of the wafer 23 by using an absorption current measuring method using an electron beam, wherein the wafer 23 and a thin film periphery are indirectly irradiated with electrons emitted from outside the wafer 23 and then a measurement point of the wafer 23 or thin film, etc., is irradiated with the electron beam to take a measurement.例文帳に追加

電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 - 特許庁