al 101とは 意味・読み方・使い方

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al.例文帳に追加

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。 - 特許庁

The connecting material 10 is produced by superposing an Al-based alloy layer 102 on at least a first Zn-based alloy layer 101 and further superposing a second Zn-based alloy layer 101 on the Al-based alloy layer 102, and then by clad-rolling them at the rolling rate of 60% or more.例文帳に追加

少なくとも第一のＺｎ系合金層１０１の上にＡｌ系合金層１０２を重ね、前記Ａｌ系合金層１０２の上に第二のＺｎ系合金層１０１を重ねて、クラッド圧延により圧延率を６０％以上で接続材料１０を製造する方法である。 - 特許庁

This FC switch monitoring device 10 separates an FC device in which an abnormality occurs among FC devices 101 to 104 connected to the FC-AL through the FC switch 100 from the FC-AL to monitor the FC device with the abnormality all the time, and connects the FC device to the FC-AL when the FC device is normally restored.例文帳に追加

ＦＣスイッチ監視装置１０は、ＦＣスイッチ１００を介してＦＣ−ＡＬに接続されたＦＣデバイス１０１〜１０４のうち異常が発生したものをＦＣ−ＡＬから切り離して常時監視するとともに、正常に復旧した場合にはＦＣ−ＡＬに接続する。 - 特許庁

The joining material specifically has Al content of 99 to 100 wt.% in the Al-based alloy layer 102, or Zn content of 90 to 100 wt.% in the Zn-based alloy layer 101.例文帳に追加

特に、前記Ａｌ系合金層１０２のＡｌ含有率が９９〜１００ｗｔ．％、または、前記Ｚｎ系合金層１０１のＺｎ含有率が９０〜１００ｗｔ．％である接続材料とする。 - 特許庁

The gate electrode 6 is covered with an interlayer insulation film 7 and an Al source electrode 101 stretches to over the interlayer insulation film 7.例文帳に追加

ゲート電極６上は層間絶縁膜７によって覆われており、Ａｌのソース電極１０１は、層間絶縁膜７上に延在する。 - 特許庁

A semiconductor device has W via plugs 106 filled in vias 105 which pierces a second layer insulation film 104, an Al alloy upper wiring 103, a first insulation film 102 and an Al alloy lower wiring 101.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０４，Ａｌ合金上層配線１０３，第１の層間絶縁膜１０２及びＡｌ合金下層配線１０１を貫通するヴィアホール１０５にＷヴィアプラグ１０６が埋め込み形成されている。 - 特許庁

Between the source electrode 101 and the interlayer insulation film 7 and between the gate pad 102 and the gate electrode 6, barrier metal layers 99 inhibiting Al diffusion are respectively provided.例文帳に追加

ソース電極１０１と層間絶縁膜７との間、並びにゲートパッド１０２とゲート電極６との間のそれぞれに、Ａｌの拡散を抑制するバリアメタル層９９が配設される。 - 特許庁

The machining method includes a process for forming a water soluble protective film 109 on an Al film 107 on a substrate 101, a process for selectively removing a machining area of the protective film 109 and the Al film 107 by emitting a machining beam 110, and a process for dissolvingly removing the protective film 109 with water.例文帳に追加

基板１０１上のＡｌ膜１０７上に水溶性の保護膜１０９を形成する工程と、加工光１１０を照射し、保護膜１０９及びＡｌ膜１０７の加工領域を選択除去する工程と、保護膜１０９を水により溶解除去する工程とを含む。 - 特許庁