anode sputteringとは 意味・読み方・使い方

An anode 3 made of an ITO film is formed by sputtering on the surface of a glass substrate 2 in the mixed gas atmosphere of Ar and O2.例文帳に追加

Ar:O_2 混合ガス雰囲気でガラス基板２の表面にITO 膜の陽極３をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the increase in the temperature of an anode is suppressed and the suppression of particles is possible in a film deposition stage.例文帳に追加

成膜過程においてアノードの温度上昇を抑制し、パーティクルを抑制することが可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering anode is disclosed wherein the anode is in the form of a container or vessel; and, wherein the conductive surface communicating with a cathode is the inside surface of the container or vessel.例文帳に追加

アノードがコンテナすなわち容器の形態であり、かつカソードと連絡する導電性表面がこのコンテナすなわち容器の内部表面であるようなスパッタリング・アノードを開示する。 - 特許庁

Preferably, the anode catalyst layer 28 is manufactured by sputtering so that using amount of platinum may become 0.02 mg/cm^2 or less.例文帳に追加

好ましくは、アノード触媒層２８は、白金使用量が０．０２ｍｇ／ｃｍ^２以下となるようにスパッタリングにより作製される。 - 特許庁

A thin film of ITO is formed on the surface of a transparent substrate 1 by deposition or sputtering to form a transparent electrode (anode) 2.例文帳に追加

透明基板１の表面に、ＩＴＯ薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により製膜し、透明電極（陽極）２を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a structure which suppresses the deflection of electroconductive rods (anode rods) toward the downward side due to its self weight, in a sputtering apparatus for performing sputtering by arranging a substrate to be treated on an lower side or an upper side of a target in parallel to the target so as to oppose the target, while tilting the substrate against the vertical direction.例文帳に追加

平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。 - 特許庁