「anode sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INTEGRATED ANODE AND ACTIVATED REACTIVE GAS SOURCE FOR USE IN MAGNETRON SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源 - 特許庁

To provide a rotating anode X-ray tube which enables the deformation or slackness of a rotating anode member to be suppressed and to prevent the occurrence of evaporation or sputtering of solders which connect the rotating anode members.例文帳に追加

高温度になっても回転陽極の各部材の変形や緩み、接合部のろう材の蒸発・飛散が発生しないように改善した回転陽極Ｘ線管を提供する。 - 特許庁

An anode 3 made of an ITO film is formed by sputtering on the surface of a glass substrate 2 in the mixed gas atmosphere of Ar and O2.例文帳に追加

Ar:O_2 混合ガス雰囲気でガラス基板２の表面にITO 膜の陽極３をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the increase in the temperature of an anode is suppressed and the suppression of particles is possible in a film deposition stage.例文帳に追加

成膜過程においてアノードの温度上昇を抑制し、パーティクルを抑制することが可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering anode is disclosed wherein the anode is in the form of a container or vessel; and, wherein the conductive surface communicating with a cathode is the inside surface of the container or vessel.例文帳に追加

アノードがコンテナすなわち容器の形態であり、かつカソードと連絡する導電性表面がこのコンテナすなわち容器の内部表面であるようなスパッタリング・アノードを開示する。 - 特許庁

Preferably, the anode catalyst layer 28 is manufactured by sputtering so that using amount of platinum may become 0.02 mg/cm^2 or less.例文帳に追加

好ましくは、アノード触媒層２８は、白金使用量が０．０２ｍｇ／ｃｍ^２以下となるようにスパッタリングにより作製される。 - 特許庁

A thin film of ITO is formed on the surface of a transparent substrate 1 by deposition or sputtering to form a transparent electrode (anode) 2.例文帳に追加

透明基板１の表面に、ＩＴＯ薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により製膜し、透明電極（陽極）２を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a structure which suppresses the deflection of electroconductive rods (anode rods) toward the downward side due to its self weight, in a sputtering apparatus for performing sputtering by arranging a substrate to be treated on an lower side or an upper side of a target in parallel to the target so as to oppose the target, while tilting the substrate against the vertical direction.例文帳に追加

平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

A magnetron sputtering apparatus has a correction magnetic circuit (32) provided in the inner part of an anode portion (30) or in the vicinity thereof, and forms a magnetic field in which a part of magnetic lines of force, which penetrate a target (18), detours around a deposition shield (27) and penetrates a part of the anode portion (30).例文帳に追加

陽極部(30)の内部又はその近傍に補正磁気回路(32)を設け、ターゲット(18)を貫通する磁力線の一部が防着板(27)を迂回して陽極部(30)の一部を貫通する磁界を形成する。 - 特許庁

A surface protection layer 18 made of an inorganic compound is laminated on the anode 16 by a sputtering process with a plasma-supporting magnetron sputter of an inductive coupling type.例文帳に追加

陽極１６の上に無機化合物からなる表面保護層１８を誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタでスパッタ処理により積層する。 - 特許庁

To prevent the insulation of an anode in the case an insulator thin film is to be formed by d.c. discharge according to a reactive sputtering process, and to stabilize the discharge.例文帳に追加

反応性スパッタ法で直流放電により絶縁物薄膜を形成しようとする場合、アノードの絶縁化を防ぎ放電を安定させる。 - 特許庁

The transparent anode 11 and the transparent cathode 16 are formed of an amorphous transparent electrode that a metal oxide is formed by sputtering method and ion plating method.例文帳に追加

透明陽極１１および透明陰極１６は金属酸化物をスパッタ法またはイオンプレーティング法により形成したアモルファス透明電極で構成される。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus 1 is provided with a cathode electrode 5, a magnetic field forming part 7 for forming the magnetic field above a workpiece 10, and an anode electrode 13.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置１において、カソード電極５と、被加工体１０上に磁界を形成する磁界形成部７と、アノード電極１３とを備える。 - 特許庁

The solid oxide thin film is formed by depositing a solid oxide on an anode 3 by RF magnetron sputtering without interposing an intermediate layer, and heat-treating without forming a reaction layer between the anode and the solid oxide.例文帳に追加

固体酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリングでアノード電極３上に中間層を介在させずに固体酸化物を堆積させ、前記アノード電極３との間に反応相を生成させずに熱処理して形成した。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT, AND Al ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING REFLECTION FILM WHICH CONSTITUTES ANODE LAYER OF THE UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a rotary anode X-ray tube of such a structure that evaporated particles of tungsten from a filament are precluded from sputtering onto the glass bulb inner wall in the neighbourhood of a convergence electrode.例文帳に追加

フィラメントからのタングステンの蒸発粒子が、集束電極近傍のガラスバルブ内壁に飛散しないようにした回転陽極Ｘ線管を提供する。 - 特許庁

The orbit of sputtering particles 30 whose flying direction is bent by the anode electrode 4 is corrected, and the particles are vertically made incident on the surface of a substrate 17 on the substrate stand 16.例文帳に追加

アノード電極４で飛行方向が曲げられたスパッタリング粒子３０の軌道が修正され、基板台１６上の基板１７表面に垂直に入射する。 - 特許庁

A ZnO target 28 which is the raw material of the thin film is sputtered using a magnetron sputtering device to form the flow of the raw material (raw material flow) from a cathode 23 to an anode 24 in a plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット２８をスパッタし、プラズマ中に陰極２３から陽極２４に向かう原料の流れ（原料流）を形成する。 - 特許庁

The magnetron provided with a cathode 1 and an anode 2 having vanes 3 has an insulated surface 4 which opposes to the cathode and receives a material from the cathode due to sputtering at the cathode.例文帳に追加

陰極１とベイン３を備える陽極２とを有するマグネトロンは、絶縁表面４を有し、該表面は、陰極と対面し、陰極でのスパッタリングによる陰極からの材料を受け取る。 - 特許庁

In the gas flow sputtering device, argon or the like is introduced from a sputtering gas guide-in port 11, a target 15 is sputtered by plasma generated in discharge between an anode 13 and the target 15, and sputter particles flicked off are transported by coercive flow of argon or the like to a base board 16 to be deposited.例文帳に追加

ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口１１からアルゴン等を導入し、アノード１３及びターゲット１５間での放電で発生したプラズマによりターゲット１５をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の強制流にて基板１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

The sputtering system 100 includes the sputtering chamber 30, a plasma gun 40 capable of forming plasma by discharging between a cathode unit 41 and an anode A, and magnetic field generating means 24A and 24B, capable of deforming plasma 22 discharged from the plasma gun 40 to a sheet by action of magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

Plasma beams PB from a plasma gun main body 30 are guided to a magnetic field fixed by a steering coil 40 or the like to form high density plasma in a space over a gun anode 51 and a sputtering target 52.例文帳に追加

プラズマガン本体３０からのプラズマビームＰＢは、ステアリングコイル４０等により決定される磁界に案内されてガン・アノード５１及びスパッタ・ターゲット５２上空に高密度のプラズマを形成する。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

To provide an upper-emission-type organic EL element in which the emission brightness hardly deteriorates with time and to provide an Al-alloy sputtering target used for forming a reflection film constituting an anode layer of the same.例文帳に追加

発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the sputtering system having at least one or more magnetron electrodes for film-depositing a thin film layer on a base material, the anode electrodes 5, 6 in the magnetron electrode are rotary type electrodes.例文帳に追加

基材上に薄膜層を成膜するために、少なくとも１つ以上のマグネトロン電極を有することを特徴とするスパッタリング装置において、前記マグネトロン電極におけるアノード電極５，６が回転式電極であるスパッタリング装置。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is alternately changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 100 includes: a sputtering chamber 30 housing a target 35B made of Al and a substrate 34B having an aperture formed therein; a plasma gun 40 for forming plasma by the discharge between a cathode unit 41 and an anode A; and magnetic field generating means 24A, 24B deforming plasma emitted from the plasma gun 40 by the effect of the magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

In the plasma-addressed liquid crystal display device provided with a liquid crystal display panel comprising a display cell 1 with a liquid crystal layer 13, a discharging cell 2 with an anode 25 and the cathode 22, etc., the cathode 22 has its surface 24 composed of a mixture of conductive particles with high secondary electron emission and excellent sputtering resistance and insulating particles with low secondary electron emission and excellent sputtering resistance.例文帳に追加

液晶層１３を有する表示セル１、陽極２５及び陰極２２を有する放電セル２、等からなる液晶表示パネルを備えるプラズマアドレス液晶表示装置において、陰極２２は、その表面２４が、高二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる導電性粒子と低二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる絶縁性粒子との混合物からなる。 - 特許庁

The magnetron sputtering device comprises a cathode 4 which is located in a vacuum chamber 2 to hold a target 3, an anode 6 for holding a substrate 5 facing the target 3 side of the cathode 4, and a magnet unit 7 located below the cathode 4 for generating the magnetic field.例文帳に追加

真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、このカソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット７と、からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pure copper plate which has a fine crystal structure and has suitable hardness, and imparts a high special grain boundary length ratio, and a pure copper plate for a target for sputtering, an anode for plating or the like, produced by the manufacturing method.例文帳に追加

微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。 - 特許庁

A cathode is formed first, and a luminous layer is formed by deposition, followed by forming by sputtering of an anode, forming by deposition of multi-layer interference layers, and coating of a protective layer, and finally, a package is completed as well as a device test is carried out to complete the organic EL full color panel.例文帳に追加

先にカソードを形成し、更に発光層を蒸着形成し、さらにアノードをスパッタ形成し、さらに複数層の干渉層を蒸着形成し、さらに保護層を塗布し、最後にパッケージ完成し並びにデバイス試験を行い有機ＥＬフルカラーパネルを完成する。 - 特許庁

When forming the nonlinear element (for example TFD 13) on the flexible plastic substrate 10, first a wiring film 141 for energization for anode oxidization is formed in a line on the plastic substrate 10 by using a mask sputtering method and a droplet discharge method.例文帳に追加

可撓性を有するプラスチック基板１０上に非線形素子（例えばＴＦＤ１３）を形成する場合に、まず、係るプラスチック基板１０の上に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、陽極酸化のための通電用の配線膜１４１をライン状に形成する。 - 特許庁

This film-forming method includes the steps of: introducing an inert gas such as argon gas from an inlet 11 for a sputtering gas into a chamber 20; producing sputtered particles by electric discharge generated between an anode 13 and a cathode 15; transporting the sputtered particles to a substrate 16 by a forced flow of the inert gas such as argon; and depositing them on the substrate 16.例文帳に追加

スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123.例文帳に追加

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。 - 特許庁

A metal very high in adhesion to the insulating film is formed so as to cover the edge of the insulating film 4, the guard ring 3, and the certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering, and an anode electrode layer 6 formed of metal superior in wettability by solder or gold is provided thereon.例文帳に追加

絶縁被膜４との接着強度が非常に強い金属を絶縁被膜４の縁部とガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に覆うように蒸着，スパッタリング等の手段で形成した後、その上にはんだや金とのぬれ性が良い金属でアノード電極層６を構成している。 - 特許庁

A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.例文帳に追加

テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁

The reflection film for constituting an anode layer of the upper-emission-type organic EL element and the sputtering target used for forming the reflection film are each formed from an Al-alloy having a component composition comprising, by mass, 0.05-0.5% of Ca and 2-6% of Ni as alloy components and the balance being Al with inevitable impurities (but, ≤0.01%).例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pure copper sheet, in which cold forging and cold rolling after hot forging and hot rolling and heat treatment after that are unnecessary, and a pure copper sheet which has fine structure obtained by the method, to which a high special intercrystalline rate is imparted by forming twin crystal structure by partial recrystallization and which is especially suitable for a copper target base stock for sputtering, a plating anode or the like.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁