arsenic structureとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor product is constituted in such a structure that the drain diffusion of the phosphorus-diffused ESD protective off-transistor is not provided adjacently to an off-gate and the arsenic N+ diffusion 5 is provided in the adjacent area of an element separating region 8.例文帳に追加

リン拡散のESD保護オフトランジスタのドレイン拡散をオフゲートに隣接せず、かつ素子分離領域８と隣接する領域に砒素N+拡散５を設ける構造とした。 - 特許庁

After a gate structure 4, an LDD area 6 and a side wall are formed in this order, arsenic ions 8 are implanted in the upper face of a silicon substrate 1 by oblique injection.例文帳に追加

ゲート構造４、ＬＤＤ領域６、及びサイドウォール７をこの順に形成した後、斜方注入法によって、ヒ素イオン８をシリコン基板１の上面内に注入する。 - 特許庁

The invention comprises adding one or more elements selected from phosphorus, bismuth, tin, arsenic and antimony, and silicon to a steel for a machine structure having an ordinary composition, in a prescribed ratio.例文帳に追加

本発明は、通常の組成を有する機械構造用鋼に、リン、ビスマス、錫、砒素およびアンチモンの中から選択された１つまたはいくつかの元素と、珪素とを、所定の割合で添加することからなる。 - 特許庁

In this method for analyzing organic tin or arsenic in the antifouling paint applied to the skeleton 11 of the marine mobile or marine structure, the paint applied to the skeleton 11 is peeled by a peeling means 12, and organic tin or arsenic in the peeled sample (mixture of the paint powder, sand, iron powder and the like) 13 is then analyzed by arc emission method 14.例文帳に追加

海洋移動体、海洋構造物等の駆体１１に塗装された防汚塗料中の有機スズ、砒素を分析する方法であって、駆体１１に塗装された塗料を剥離手段１２により剥離等した後、該剥離された試料（塗料粉、砂、鉄粉等の混合物）１３中の有機スズ、砒素をアーク発光法１４により分析する。 - 特許庁

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.例文帳に追加

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing, inexpensively, a semiconductor device which is improved in the breakdown voltage while a gate insulating film of a trench structure is not damaged by arsenic ions when an emitter layer or the like is formed.例文帳に追加

トレンチ構造のゲート絶縁膜がエミッタ層等を形成するときの砒素イオンよる損傷を受けることがなく、その絶縁耐圧が向上する半導体装置を低コストで製造できる方法を確立する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

This polyimide film is characterized by having <100 ppm arsenic (As) content and consisting of a polyimide benzoxazole obtained from the condensation of a tetracarboxylic acid anhydride with a diamine having the benzoxazole structure, as a main component.例文帳に追加

砒素（Ａｓ）含有量が１００ｐｐｍ未満であるポリイミドフィルムであり、ポリイミドフィルムがテトラカルボン酸無水物とベンゾオキサゾール構造を有するジアミンとの縮合から得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする前記のポリイミドフィルム。 - 特許庁