bipolar devicesとは 意味・読み方・使い方

To provide a bipolar transistor with a protruberant extrinsic self-aligned base that uses a selective epitaxial growth for BICMOS integration, and to provide a high-performance BiCMOS structure with minimum process complexity, without having to sacrifice the performances of either the bipolar transistors or CMOS devices.例文帳に追加

ＢＩＣＭＯＳ統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタを提供する。 - 特許庁

Each conduction path (378-384) includes a plurality of switching devices (388-402 and 410-424), such as heterojunction bipolar transistors.例文帳に追加

各導通経路（３７８〜３８４）は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのような、複数のスイッチング・デバイス（３８８〜４０２、４１０〜４２４）を含む。 - 特許庁

A high-performance bipolar transistor with a raised extrinsic self-aligned base is integrated into a BiCMOS structure including CMOS devices.例文帳に追加

隆起した外因性自己整合型ベースを有する高性能バイポーラ・トランジスタが、ＣＭＯＳデバイスを含むＢｉＣＭＯＳ構造と統合される。 - 特許庁

To provide a circuit for parallel sensing of a current in a field effect transistor that is configured with a circuit comprising only field effect transistors without the need for bipolar devices.例文帳に追加

電界効果トランジスタの電流を並列検知する回路をバイポーラデバイスを用いることなく、FETのみで構成された回路で構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein a plurality of IIL devices and a bipolar transistor are formed on the same semiconductor substrate, by which ion implantation process into bases of the IIL devices and the bipolar transistor is made common to manufacture at low cost, the device is compact, and the flexibility of the design of a logic circuit will not deteriorate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数のＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタとが同じ半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、ＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタのベースのイオン注入工程を共通化して安価に製造することができ、小型で、論理回路設計の自由度が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

No specialized devices, such as bipolar transistors, Zener or Schottky diodes, or specially-processed resistors, are required by the TCR circuit.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ、ツェナーダイオードもしくはショットキーダイオード、または特別に処理された抵抗器などの特化されたデバイスは、ＴＣＲ回路では必要とされない。 - 特許庁

IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor) 1a and 1b as semiconductor switching elements and FWDs 2a and 2b as wide bandgap devices formed of silicon carbide are connected in reverse parallel on circuit patterns 10a and 10b.例文帳に追加

回路パターン１０ａ，１０ｂ上で、半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ１ａ，１ｂと炭化ケイ素で構成されたワイドバンドギャップデバイスであるＦＷＤ２ａ，２ｂとが逆並列に接続されている。 - 特許庁