単一電子トランジスタの英語

ドレイン−ソース間電圧に係らず、ゲート−ソース間電圧のみでＯＮ状態（電流最大値をとる状態）、ＯＦＦ状態（電流最小値をとる状態）を制御できる単一電子トランジスタを提供することである。例文帳に追加

To provide a single electronic transistor which can control the on state (wherein a maximum current value is obtained) and the off-state (wherein a minimum current value is obtained) only with the gate-source voltage regardless of the drain-source voltage. - 特許庁

本発明の画像検出装置１は、量子ドット１２を集積したトランジスタ構造を有し、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット１２中の１個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知するミクロ／マクロ変換を行うようになっている。例文帳に追加

The image detector 1 has such transistor structure as quantum dot 12 is integrated, and performs micro/macro conversion to detect absorbing of a single photon by a macro observation value such as increase of current in the channel of a transistor based on decrease of a single photon in the quantum dot 12. - 特許庁

個々の光誘導電子の電荷（ｅ）は、単一電子トランジスタを通る電荷キャリヤ輸送を変調し、その結果の電流は入射光子を個々に検出するために電圧出力（Ｖｏｕｔ）を生成する増幅器（Ａ１）によって検出される。例文帳に追加

Charge (e) of individual optically inducted electrons modulate charge carrier transfer passing through the single electronic transistor, and a current resulting from this is detected by an amplifier A1 which generates a voltage output (Vout) for individually detecting incident photons. - 特許庁

領域１に電極（３）によって加えられるバイアス（Ｖ_b）は、ソースドレインパス（６）を有する単一電子トランジスタの形の電位計（４）に個々の電子がゲート電界を加えるようにして反対の荷電電子及び正孔を分離し、ソースドレインパス（６）に沿うキャリヤ電荷の輸送はクーロン遮断で制限される。例文帳に追加

A bias (Vb) applied to the region 1 by an electrode 3 separates oppositely charged electrons and holes, so that individual electrons applies a gate electric field to an electrometer 4 having a type of single electronic transistor with a source-drain path 6, and the transfer of carrier charges along the source/drain path 6 is limited by the Coulomb screening. - 特許庁