bipolar leadとは 意味・読み方・使い方

A bipolar transistor chip 1 is held on a collector lead 2, and a emitter lead 4 is arranged facing opposite the long side of the bipolar transistor chip 1.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ・チップ１がその下面においてコレクタリード２により保持されていると共に、エミッタリード４がバイポーラトランジスタ・チップ１の長辺と対向するように配置されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a bipolar transistor provided with a base structure wherein the electrical resistance between a base and a lead-out electrode is low.例文帳に追加

ベースと引き出し電極との間の電気抵抗が小さいベース構造を備えたバイポーラトランジスタを作製する方法を提供する。 - 特許庁

VDD and VDDR pacing (atrial synchronized, ventricular inhibited pacing) are implemented via a single standard ventricular pacing lead 14 (unipolar or bipolar) and preferably a subcutaneous electrode array 13 (SEA).例文帳に追加

単一標準心室ペーシングリード１４、皮下電極アレイ１３介して、ＶＤＤ及びＶＤＤＲペーシング（心房同期心室抑制ペーシング）を実施する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor capable of further decreasing a resistance of a base lead-out electrode to speed up an element speed higher than ever before, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

従来に比べてベース引出電極の抵抗を一層低減し、さらなる素子の高速化を図ることが可能なバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a heterojunction bipolar transistor in which parasitic base-collector capacity is reduced significantly in a base electrode lead-out region 12 without requiring any special process.例文帳に追加

特殊なプロセスを必要とせずに、ベース電極引き出し領域１２の寄生のベース・コレクタ容量が大幅に低減されたヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an HBT(Hetero Junction Bipolar Transistor) of which the operational characteristics are improved by reducing the resistance of a base lead-out region, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＨＢＴの動作特性を悪化させることなく、ベース引出領域の低抵抗化を図ることにより、ＨＢＴの動作特性をさらに良好なものとする、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This bipolar transistor comprises a base region and the base lead-out layer 13 for connecting a base region with a base electrode, and at least a part of the base lead-out layer 13 is composed of a laminate film 3 consisting of a high melt-point metal silicide layer/a high melt-point metal/a high melting-point metal silicide layer.例文帳に追加

本発明のバイポーラトランジスタは、ベース領域とベース電極とを接続するベース引き出し層１３を備えており、ベース引き出し層１３の少なくとも一部は、高融点金属シリサイド／高融点金属／高融点金属シリサイドからなる積層膜３で構成される。 - 特許庁