cathodic depositionとは 意味・読み方・使い方

To reduce the number of macroparticles sticking on a substrate for film-deposition while maintaining a film deposition rate when a film is deposited by an FCA (Filtered Cathodic Arc) method, with respect to a film deposition apparatus and method.例文帳に追加

成膜装置及び成膜方法に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。 - 特許庁

Plasma beams B containing carbon ions are generated by colliding a carbon target 11 with the cathodic arc discharge, and the film deposition surface 41a is irradiated with the plasma beams B to deposit a carbon film.例文帳に追加

陰極アーク放電によりカーボンターゲット１１を衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームＢを生成し、そのプラズマビームＢを成膜面４１ａに照射してカーボン膜を成膜する。 - 特許庁

This method relates to a cathodic-arc film deposition method where a carbon target 11 is collided by cathode-arc discharge to form a plasma beam B containing carbon ions and a substrate 41 is irradiated with the plasma beam B to deposit a carbon film, and gaseous hydrogen is introduced during film deposition from a gaseous hydrogen feeding device 44 into a film deposition chamber 4.例文帳に追加

陰極アーク放電によりカーボンターゲット１１を衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームＢを生成し、そのプラズマビームＢを基板４１に照射してカーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法に関するものであって、成膜中に水素ガス供給装置４４から成膜チャンバ４内へと水素ガスを導入する。 - 特許庁

The reactive species which react cathodically at the potential nobler than the cathodic deposition potential of the metal to be recovered in a solution having the reactive species reacting cathodically at the potential nobler than the cathodic deposition potential of the metal to be recovered are changed to the form that the reactive species do not react electrochemically as a hydroxide or chelate matter, by which the metal to be recovered is cathodically deposited in the form of maintaining ionicity and reacting electrochemically.例文帳に追加

回収しようとする金属の陰極析出電位より貴な電位で陰極反応をする反応種を有する溶液中で、前記回収しようとする金属の陰極析出電位より貴な電位で陰極反応する反応種を水酸化物またはキレート物として電気化学反応しない形態に変えることにより、前記回収しようとする金属はイオン性を保持し電気化学反応する形態で前記回収しようとする金属を陰極析出させる。 - 特許庁

A bipolar photo-electrochemical process is disclosed for electroless deposition (referred to as photo Bi-OCD) of a metallic compound onto the top surface of a semiconducting substrate whereby differential illumination of the front side of the substrate versus the back side of the substrate provides a driving force to separate the cathodic and anodic partial reactions leading to high yield deposition of the metallic compound.例文帳に追加

半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。 - 特許庁

The method comprises: providing an article substrate 32 having a substrate surface; forming a bond coat on the substrate by depositing a beta-phase Ni-Al bond coat by cathodic arc deposition; processing the bond coat by peening to improve the coating structure; and heat treating the bond coat.例文帳に追加

基板表面を有する部品基板３２を準備し、陰極アーク蒸着によりβ層Ｎｉ−Ａｌ基ボンドコーティングを蒸着させることによって、基板にボンドコーティングを形成し、ピーニングによりボンドコーティングを加工処理し、被膜構造を改良し、ボンドコーティングを加熱処理することを含む。 - 特許庁