channel structuresとは 意味・読み方・使い方

To stabilize the shapes of gate electrodes of an N-channel insulating gate type field effect transistor and a P-channel insulating gate type field effect transistor, of which gate electrode structures are different.例文帳に追加

ゲート電極構造が異なるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極形状を安定化させる。 - 特許庁

This vacuum chuck for holding a wafer of a constituent of a wafer polishing apparatus has a vacuum sucking channel 20 and a fluid channel 21 inside ceramic structures 22, 23.例文帳に追加

ウェハ研磨装置を構成するウェハ保持用真空チャックにおいて、セラミックス構造体２２，２３内部に真空吸引経路２０および流体流路２１が配設されている。 - 特許庁

The respective structures disposed in the channel have asymmetrical shapes to a straight line parallel with the development direction of a lipid film.例文帳に追加

流路内に配置された各構造体は、脂質膜の展開方向に平行な直線に対して非対称な形状を有する。 - 特許庁

The electrophoretic chip equipped with a flow channel (233) for separating a sample by isoelectric point electrophoresis has a plurality of columnar structures arranged so as to be spread all over the whole of the flow channel (233), and the columnar structures are arranged so as to obstruct the flow of the sample solution going in a straight line along the flow channel (233) in the longitudinal direction.例文帳に追加

等電点電気泳動により試料を分離する流路（233）を備える電気泳動チップであって、流路（233）全体に渡って敷き詰められて配置された複数の柱状構造を有し、柱状構造は、流路（233）の長手方向に沿って一直線で向かう試料溶液の流れを妨害するように配置されている。 - 特許庁

Then, the n^+ impurity areas 11 are provided corresponding to the respective channel areas CH1a to CH1d of structures 200a to 200d and formed only under the channel areas CH1a to CH1d.例文帳に追加

そして、ｎ^+不純物領域１１は、構造２００ａ〜２００ｄの各チャネル領域ＣＨ１ａ〜ＣＨ１ｄに対応して設けられ、かつチャネル領域ＣＨ１ａ〜ＣＨ１ｄの下方のみに形成されている。 - 特許庁

To provide a chip member for microchemistry systems and its manufacturing method which enables the formation of a channel for analysis of three-dimensional structures by using a single member.例文帳に追加

三次元構造の分析用流路を１つの部材で形成することができるマイクロ化学システム用チップ部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

In the common channel 102, cylindrical structures 120 are disposed along the vertical direction of the common channel 102 in the sections between the line (broken lines 122) extended from the positions at which the nozzles 110 are disposed.例文帳に追加

共通流路１０２内には、ノズル１１０が配置された位置の延長線（破線１２２）上の区間内に共通流路１０２の上下方向に沿って円柱状の構造体１２０が配設されている。 - 特許庁