chemical sputteringとは 意味・読み方・使い方

When all the layers are formed using a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor phase growth method, a solid lithium ion secondary battery can be obtained.例文帳に追加

全ての層をスパッタ法、蒸着法、または化学気相成長法を用いて形成すれば、固体リチウムイオン二次電池も実現することができる。 - 特許庁

To reduce the surface roughness of a TiN film as a lower electrode without steps such as chemical mechanical polishing, sputtering by Ar, deposition of Ta film, etc.例文帳に追加

下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。 - 特許庁

The light shielding film 2 is composed of a metal-containing thin film deposited by a vacuum deposition process, a sputtering process, or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) which hold the treatment temperature of ≤150°C.例文帳に追加

遮光膜２は１５０℃以下の処理温度を維持できる真空蒸着法、スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法にて成膜された金属を含む薄膜からなる。 - 特許庁

To provide a composition for a housing of an automobile rear lamp, which satisfies all of large-size part moldability (flowability), heat resistance, chemical resistance, aluminium sputtering ability and silver color coating ability.例文帳に追加

大型部品成形性（流動性）、耐熱性、耐薬品性、アルミ蒸着性、銀色塗装性を全て満足する自動車リアランプハウジング用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To reduce damage to a color filter due to heating during vapor deposition of or sputtering of transparent conductive film and damage at patterning time, by improving the heat resistance and the chemical resistance of a color filter or the like.例文帳に追加

カラーフィルタ等の耐熱性や耐薬品性を向上させ、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージを低減すること。 - 特許庁

In succession, a copper (Cu) as a conductive material is deposited to a thickness of 2 to 2 μm by a sputtering method over the entire surface and is then subjected to a planatarization treatment by polishing the material by CMP(chemical and mechanical polishing) until the surface of the lower shielding layer 3 thereafter is exposed.例文帳に追加

続いて、全面に導電材料として銅（Ｃｕ）をスパッタ法により２〜３μｍの厚さに堆積した後、ＣＭＰ（Chemical andMechanical Polishing : 化学的機械研磨）により下部シールド層３の表面が露出するまで研磨し、平坦化処理を行う。 - 特許庁

To prevent electro-chemical reactions with hillock, etching residues, ITO, and the like, and control dust occurrence at sputtering time, when manufacturing low-resistance wiring for a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。 - 特許庁

The method is suitably used for a dry deposited film including hydrogen derived from at least Si-H bond or N-H bond, which is formed by a means selected from among vapor deposition, reactive vapor deposition, sputtering, reactive sputtering, and chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 - 特許庁