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copper atomsとは 意味・読み方・使い方
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「copper atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 56件
A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and one or more group-III atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises lithium, copper, silver, or gold as an additive.例文帳に追加
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。 - 特許庁
To provide means for preventing migration by slowing down and suppressing the movement of the copper atoms themselves from fine copper wiring formed by copper plating.例文帳に追加
銅めっきで形成される微細な銅配線から、銅原子そのものの移動を鈍化・抑制させ、マイグレーションを防ぐ手段を提供すること。 - 特許庁
Then, copper atoms are diffused gradually into tin, to form an alloy layer on an interface.例文帳に追加
すると、銅原子がスズ中に徐々に拡散し界面に合金層が形成される。 - 特許庁
The semiconductor device has the copper wiring 3 formed in a first insulating film 2 on a substrate 1 and a silicon carbonitride film 4 formed on the copper wiring 3 and a first insulating film 2, wherein copper atoms in the copper wiring 3 and constituent atoms of the silicon carbonitride film 4 are microscopically bonded together.例文帳に追加
基板1上の第1の絶縁膜2中に形成された銅配線3と、銅配線3及び第1の絶縁膜2の上に形成されたシリコン炭化窒化膜4を有し、銅配線3内の銅原子とシリコン炭化窒化膜4の構成原子とが微視的に結合する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a regenerated silicon wafer, which can cope with a regeneration process of a silicon wafer containing a various quantity of copper atoms, and can effectively reduce the content of the copper atoms.例文帳に追加
様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method also comprises the steps of anodizing a cover member 4 to the upper side of the substrate 3 in which the copper atoms are bonded.例文帳に追加
その銅原子が結合した半導体基板3の上側に蓋部材4を陽極接合する。 - 特許庁
In the copper complex compound, heterocyclic groups having two nitrogen atoms are crosslinked to each other through a covalent group bonded to a pair of one nitrogen atoms respectively, and the pair and a pair of the other nitrogen atoms are coordinated to a central copper atom.例文帳に追加
銅錯化合物は、窒素原子を二つ有する複素環基同士が夫々、一方の窒素原子同士の対に結合している共有結合基を介して架橋し、その対と他方の窒素原子同士の対とが、中心の銅原子に配位したものである。 - 特許庁
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「copper atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 56件
In the manufacturing method of the polyhalogenated copper phthalocyanine pigment above, the average number of bromine atoms is 11-15 and the average number of chlorine atoms is 1-4 in one molecule of polyhalogenated copper phthalocyanine in the polyhalogenated copper phthalocyanine pigment.例文帳に追加
さらには、ポリハロゲン化銅フタロシアニン顔料中のポリハロゲン化銅フタロシアニン1分子中の臭素原子の平均個数が11から15個、塩素原子の平均個数が1から4個であることを特徴とする上記ポリハロゲン化銅フタロシアニン顔料の製造方法。 - 特許庁
In the copper wiring 10 with such a structure constructed, current is likely to relatively easily flow in more the central section than the upper section, and the scattering of copper atoms in the upper section is likely to be suppressed, further, this allows the scattering of copper atoms from an interface at a cap film 14 to be suppressed.例文帳に追加
このような構造にしたCu配線10では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のCu原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜14界面からのCu原子の拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁
Thus the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S before the copper wiring forming step, thereby the diffusion of copper atoms (including copper compounds) from the back surface of the semiconductor substrate 1S can be prevented.例文帳に追加
このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板1Sの裏面に銅拡散防止膜DCF1bを形成することにより、半導体基板1Sの裏面から銅原子(銅化合物を含む)が拡散することを防止できる。 - 特許庁
The semiconductor device has a wiring layer composed of copper or a copper alloy containing oxygen and chlorine in a mean concentration of 1.0×10^16 to 2.0×10^18 atoms/cm^3 respectively.例文帳に追加
酸素及び塩素を、いずれも平均濃度1.0×10^16〜2.0×10^18atoms/cm^3で含む銅又は銅合金からなる配線層を具備する。 - 特許庁
The fine particle is preferably an inorganic particle, which may contain at least one kind of metal atoms selected from gold, silver, copper, platinum, and titanium or may contain silicon atoms.例文帳に追加
微粒子としては無機微粒子が好ましく、前記無機微粒子が、金、銀、銅、白金およびチタンから選択された少なくとも1種の金属原子、またはケイ素原子を含有していてもよい。 - 特許庁
(1) A method for forming a metal gettering layer by rubbing particulates having a concentration of copper of 10^14 (atoms cm^-3) or lower in sand particles into the ground surface of a thinned semiconductor wafer.例文帳に追加
[1] サンド粒子中の銅濃度が10^14 atoms・cm^-3以下の微粒子を、薄厚化した半導体ウェーハ研削面に擦り込むことで研削面に金属ゲッタリング層を形成する方法。 - 特許庁
Metal atoms of the non-platinum group are iron, cobalt, nickel, copper, zinc, lanthanum, yttrium, samarium, zirconium, molybdenum, and tungsten.例文帳に追加
非白金系金属クラスターの金属原子が鉄,コバルト,ニッケル,銅,亜鉛,ランタン,イットリウム,サマリウム,ジルコニウム,モリブデン,及びタングステンである。 - 特許庁
A metal copper film is produced by coating a copper-containing composition to form a coating film and heating the coating film in inert gas, hydrogen or a mixed gas of inert gas and hydrogen, the copper-containing composition comprising a copper compound, a linear, branched or cyclic alcohol having 1-18 carbon atoms, a Group VIII metal catalyst, a binder resin, a binder resin curing agent and a copper complex.例文帳に追加
銅化合物;直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類;VIII族金属触媒;バインダー樹脂;バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス;水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 - 特許庁
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