crack groupとは 意味・読み方・使い方

To obtain a structure without causing damage such as a crack at the inner peripheral edge of a surface layer 3b formed of an aluminum alloy group composite material.例文帳に追加

アルミニウム合金基複合材料製の表層部３ｂの内周縁に亀裂等の損傷が発生しにくい構造を実現する。 - 特許庁

To provide a wound body electrode group in which an electrode crack is not generated at the time of manufacture as a wound body electrode group for an accumulator and to provide an alkali accumulator suitable for a large current usage using such a wound body electrode group.例文帳に追加

蓄電池用の捲回体電極群として製造時に電極割れの生じない捲回体電池群を実現するとともに、そのような捲回体電極群を用いて大電流用途に適したアルカリ蓄電池を実現する。 - 特許庁

To provide a group III nitride single crystal ingot having a reduced crack generation rate during lengthwise growth, and to provide a group III nitride single crystal substrate manufactured by using the ingot, a method for manufacturing a group III nitride single crystal ingot, and a method for manufacturing a group III nitride single crystal substrate.例文帳に追加

長尺成長時のクラック発生率が低減されたIII族窒化物単結晶インゴットとこのインゴットを用いて製造したIII族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate causing no crack and small warpage even using a different kind substrate therewith, and a group III nitride crystal substrate obtained by using the method.例文帳に追加

異種基板を用いて割れがなく反りの少ないＩＩＩ族窒化物結晶基板を製造する方法およびその製造方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁

Even if a micro defect is formed in the film part 14c, this constitution can stop the progress of crack developed with the defect set as an origin at the rib group 15.例文帳に追加

これにより、膜部１４ｃに微小な欠陥が生じても、その欠陥を起点として発生する亀裂の進行をリブ群１５で止めることができる。 - 特許庁

To reduce shape defects such as crack and chipping of a side surface of a group III nitride light emitting diode having a light emitting layer etc., provided on a nonpolar principal surface of a support base made of hexagonal group III nitride.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物からなる支持基体の非極性主面上に設けられた発光層等を有するIII族窒化物発光ダイオードにおいて、側面における欠けやチッピングといった形状不良を低減する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate capable of reducing the generation of crack at an Al_bGa_1-bN (0<b≤1)layer on the substrate surface and reducing a dislocation density and to provide a manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the subject composition capable of giving cured products excellent in heat resistance and toughness and useful in semiconductor devices excellent in crack resistance by compounding an epoxy resin with an aromatic polyamide resin having phenolic hydroxyl group and phenolic resin.例文帳に追加

本発明は従来のエポキシ樹脂では得られなかった優れた耐熱性と強靭性が達成されるエポキシ樹脂組成物及びその硬化物を提供する。 - 特許庁