crystallographic structureとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor structure and its method for fabrication include a first surface semiconductor layer of a first crystallographic orientation located upon a dielectric surface of a substrate.例文帳に追加

半導体構造およびその製作方法は、基板の誘電体表面に配置された第１の結晶方位の第１の表面半導体層を含む。 - 特許庁

The surface-emitting laser element includes a substrate 101 with a normal direction of a mirror finished plane inclining 15 degrees toward a crystallographic orientation [1 1 1] with respect to a crystallographic orientation [1 0 0], and a mesa structure in which a cross section parallel to the substrate 101 has a long axis and a short axis.例文帳に追加

鏡面研磨面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］方向に向かって１５度傾斜した基板１０１を用い、基板１０１に平行な断面が長軸と短軸を有するメサ構造体を有している。 - 特許庁

The improved seed layer according to the invention can be formed of a face-centered-cubic(FCC) structure having a (111) crystallographic plane parallel with an underlying substrate.例文帳に追加

本発明の改善されたシード層は、下にある基板に対して平行な（１１１）結晶学的平面を持つ面心立方（ＦＣＣ）材料によって形成することができる。 - 特許庁

A crystallographic structure is introduced into these dielectric thin films to minimize a piezoelectric coefficient of a metal, and electromechanical stresses are reduced.例文帳に追加

これらの誘電体薄膜に結晶学的構造を導入することによって金属の圧電係数が最少化されるとともに、電気機械的応力が低減される。 - 特許庁

To provide a method for producing a low-stress or stress-poor single crystal having a hexagonal crystal structure with a crystallographic c-axis perpendicular to a [0001] face.例文帳に追加

［０００１］面に対して垂直な結晶学的ｃ軸をもつ六方晶系結晶構造を有する低応力あるいは応力に乏しい単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for an optical element capable of solving conventional problems by forming a light scattering layer with nitride-oxide, and by forming a capping layer which can prevent a crystallographic mismatch between the light scattering layer and a protective layer, and to provide a method of manufacturing the structure for the optical element.例文帳に追加

光散乱層を窒化物−酸化物で形成し、光散乱層と保護層との間に結晶学的ミスマッチを防止することが可能なキャッピング層を形成することにより、従来の問題点を解消することが可能な光素子用構造物及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The at least one layer of interfacial dielectric material has a short-range crystallographic bonding structure, typically hexagonal, that is the same as that of the carbon-based material and, as such, the at least one layer of interfacial dielectric material does not change the electronic structure of the carbon-based material.例文帳に追加

少なくとも一層の界面誘電体材料は、炭素ベース材料のものと同じである、典型的には六方晶短距離結晶結合構造を有し、従って、少なくとも一層の界面誘電体材料が、炭素ベース材料の電子構造を変えることはない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LCD having a more uniform crystallographic orientation and a method of manufacturing an LCD, using a mainly <100> oriented polycrystalline silicon for forming a circuit structure or a pixel structure.例文帳に追加

より均一な結晶学的配向を有する多結晶シリコン膜を用いてＬＣＤを製造する方法、および回路構造物またはピクセル構造物を形成するために主として＜１００＞配向した多結晶シリコンを用いてＬＣＤを製造することが可能な方法を提供すること。 - 特許庁