defect annealingとは 意味・読み方・使い方

To restrain the bending defect of a deformed strip steel by constituting it so that the temperature of each portion in a coil is uniformly lowered in a bell-type annealing furnace.例文帳に追加

ベル型焼鈍炉において、コイルの各部が均一に降温するように構成することで、異形帯鋼の曲がり不良を抑制する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 11 is characterized in that the defect occurrence frequency is reduced to 1/3 or below compared with the frequency when annealing treatment is not performed by performing the annealing treatment.例文帳に追加

アニール処理を行うことによって、アニール処理を行わない場合に比べて欠陥の発生頻度を１／３以下に減少したことを特徴とする磁気記録媒体１１。 - 特許庁

Subsequently, the wafer is subjected to continuous annealing for 10 seconds at 1,150°C under an atmosphere of oxidizing gas in the lamp furnace, as a second annealing step for injecting interstitial silicon into the void defect.例文帳に追加

その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。 - 特許庁

To make a size of void defect small with a nitrogen dopant into a silicon single crystal bar and make the void defect extinct by using hydrogen annealing of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコン単結晶棒への窒素ドープにてボイド状欠陥のサイズを小さくし、シリコンウェーハの水素アニール処理にてボイド状欠陥を消滅させる。 - 特許庁

A high defect density layer 12 having a high oxygen concentration is formed in the interior of a semiconductor substrate 11, simultaneously with which it is subjected to a hydrogen annealing process to form a non-defect layer 13 on the surface layer.例文帳に追加

半導体基板１１の内部に酸素濃度の高い高欠陥密度層１２を形成すると共に表面層に無欠陥層１３を形成するための水素アニール処理を行う。 - 特許庁

By using laser annealing which is a relatively low temperature process, only the minute defect of the surface of the mold can be annealed, so that only the minute defect can be corrected without deforming the pattern shape of the mold.例文帳に追加

比較的低温プロセスであるレーザアニールを用いることで、モールド表面の微小欠陥のみをアニールが可能となり、モールドのパターン形状を変形させることなく、微小欠陥のみを修復することが出来る。 - 特許庁

To obtain a method for producing a grain-oriented electrical steel sheet having no forsterite coating with which in the case of using magnesia adding halide as a separating agent for annealing, the development of fine surface defect feared at finish-annealing time, is effectively prevented and thus, the increase of a core loss is not brought about.例文帳に追加

ハロゲン化物を添加したマグネシアを焼鈍分離剤として使用する場合に、仕上焼鈍の際に懸念される微細な表面欠陥の発生を効果的に防止して、鉄損の増大を招くことのない、フォルステライト被膜のない方向性電磁鋼板の製造方法を得る。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes the steps of: forming copper layers 5, 12 with plating; forming a defect capturing film 13 on the copper layers 5, 12; shifting a defect of the copper layers 5, 12 into the defect capturing film 13 by e.g., annealing; and removing the defect capturing film 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、銅層５、１２をメッキにより形成する工程と、その銅層５、１２上に欠陥捕獲膜１３を形成する工程と、たとえばアニールにより銅層５、１２中の欠陥を欠陥捕獲膜１３中に移動させる工程と、欠陥捕獲膜１３を除去する工程とを備えている。 - 特許庁