defect dopingとは 意味・読み方・使い方

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide an optimized manufacturing method of a silicon wafer which can obtain the silicon wafer in which oxygen doping concentration having low defect density is at least 4 × 10^17/cm^3 in especially near front surface region.例文帳に追加

特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３ であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor crystal which is free from composition separation and subjected to carbon doping with good crystallinity small in hole-type defect density, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the manufacturing method.例文帳に追加

組成分離がなく、かつ空孔型欠陥密度が小さい良好な結晶性で炭素ドーピングを行ったIII−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法及び該製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide an apparatus for depositing an epitaxial semiconductor layer with which auto-doping of a front surface of a substrate as well as a back surface defect of the substrate possibly occurring during an epitaxial deposition process for forming the epitaxial layer on the front surface of the substrate are reduced, and to provide a method of using the apparatus.例文帳に追加

基板の前面にエピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル堆積プロセス中に、該基板の該前面のオートドープを減少させ、かつ該基板の裏面の欠陥を減少させるエピタキシャル半導体層を堆積するための装置及びその装置を使用するための方法を提供する。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁