ga 101とは 意味・読み方・使い方

Therefore, the hydroxyl group is removed from the Ga oxide film 108 by heating the GaAs substrate 101 by a hot plate after an etching process in order to change the Ga oxide film 108 into the Ga oxide film 109 having a higher insulation property.例文帳に追加

このため、エッチング後、このＧａＡｓ基板１０１をホットプレートで加熱することにより、このＧａ酸化膜１０８から水酸基を取り除き、絶縁性の高いＧａ酸化膜１０９に変質させる。 - 特許庁

On the occasion of conducting etching to form a recess 107 to a GaAs substrate 101, a Ga oxide film 108 including a large amount of hydroxyl group is formed on the surface of the recess 107.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１にリセス１０７を形成するためのエッチングを行う際に、このリセス１０７の表面に、水酸基を多く含むＧａ酸化膜１０８が形成される。 - 特許庁

In a reaction vessel 101, a mixed liquid 102 of Ga as group III metal and Na as flux is filled, a heating device 106 is provided so as to control the temperature suitable for crystal growth, and nitrogen gas is used as raw material of nitrogen.例文帳に追加

反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。 - 特許庁

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element.例文帳に追加

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。 - 特許庁

When the feature information 102 is quality NG, a gain element rate determination part 250 changes a control value (light quantity Gl, accumulation time Gt, diaphragm quantity Gs, analog gain Ga, digital gain Gd, image addition number of sheets Gn, software gain Gs1) of the imaging apparatus 100, and makes the imaging apparatus 100 re-pick up the living body image 101.例文帳に追加

特徴情報１０２が品質ＮＧの場合、ゲイン要素比率決定部２５０は撮像装置１００の制御値（光量Ｇｌ、蓄積時間Ｇｔ、絞り量Ｇｓ、アナログゲインＧａ、デジタルゲインＧｄ、画像加算枚数Ｇｎ、ソフトウェアゲインＧｓ１）を変更し、撮像装置１００に生体画像１０１を再撮像させる。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁