growing centerとは 意味・読み方・使い方

a slow growing type of brain tumor that occurs in or around the pineal gland, a tiny organ near the center of the brain.発音を聞く 例文帳に追加

増殖の遅い脳腫瘍の一種で、脳の中央部付近に位置する小さな器官である松果体の内部または周辺から発生する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

In the exception processing 2, computation etc., based upon pulse width values and pulse growing directions of peripheral pixels all allowing center growth is carried out.例文帳に追加

例外処理２としては、全て中央成長にする・周辺画素のパルス幅値及びパルス成長方向に基づく算出をする、などの処理を行う。 - 特許庁

Accordingly, the damping effect of the packing material 54 grows weak toward the center, the absorbing effect of ultrasonic waves also growing weak.例文帳に追加

これにより、中心に向かうほど、バッキング材５４のダンピング効果が弱くなり超音波の吸収作用も弱くなる。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。 - 特許庁

To remove an adverse effect in a vehicle maneuverability, which is caused by growing weight imbalance of vehicle for a conventional system, because of the position of the center of gravity for conventional vehicle being too far from that of a vehicle unit as a whole.例文帳に追加

従来の装置は、装置の重心位置がユニット全体の重心位置から十分に離れた位置にあるから、車体の重量バランスが悪化して車両の運動性に悪い影響を与える。 - 特許庁

The temperature distribution of Si melt housed in a crucible for growing a crystal is regulated so that the temperature becomes lower as the level of melt goes upper and as the position in melt is closer to the center.例文帳に追加

結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。 - 特許庁

The temperature gradients along the axial direction at the center and the outer periphery of a silicon single crystal 11 in the temperature range of 1,370-1,310°C are taken as Gc_1 and Ge, and the outer periphery of the growing single crystal is cooled to make the ratio Gc_1/Ge become 1.2-1.3.例文帳に追加

シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配をＧc_1及びＧeとし、この比Ｇc_1／Ｇeが１．２〜１．３となるように上記育成中の単結晶の外周部を冷却する。 - 特許庁

When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁