grown a pairとは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor laser wherein a plurality of films are grown on a P-GaAs substrate 1 having a ridge 1a, the ridge 1a is formed between a pair of rectilinear trenches 1b formed on the P-GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明は、リッジ１ａを備えるｐ−ＧａＡｓ基板１上に複数の膜を成長して成る半導体レーザにおいて、このリッジ１ａを、ｐ−ＧａＡｓ基板１に形成された一対の線状溝１ｂの間に構成する。 - 特許庁

This accumulation device is configured by arranging at least a pair of polarizable electrodes with or without a separator, a space between the pair of polarizable electrodes is filled with electolyte, and the structure of a polarizable electrode where carbon nano thin film materials are grown on a conductive substrate with surface density and bulk density whose level is almost identical and different is provided.例文帳に追加

少なくとも一対の分極性電極を、セパレータを介して、またはセパレータを介さずに配置するとともに、その一対の分極性電極間に電解液を充填させてなる蓄電デバイスにおいて、カーボンナノ薄膜材料を同程度および異なった表面密度および嵩密度で、導電性基板上に成長させた分極性電極の構造とする。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 9 of 20 μm or more is grown by the temperature difference liquid phase epitaxial growth (LPE) method at a Ga solution temperature stationarily higher than the substrate vicinity temperature on a semiconductor multilayer film, having an active layer 5 sandwiched between a pair of clad layers 4, 6.例文帳に追加

一対のクラッド層４、６で活性層５を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ｇａ溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差ＬＰＥ法により厚さ２０μｍ以上のｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させる。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element having high light-emitting efficiency which can manufacture a vertical element forming a pair of electrodes on the top and bottom of a chip by employing a semiconductor substrate, prevents optical absorption on the substrate while maintaining high heat conductivity and reduces the dislocation density of a nitride semiconductor to be grown thereon.例文帳に追加

半導体基板を用いることでチップの上下に一対の電極を形成する垂直型の素子を作製でき、かつ、高い熱伝導性を維持しながら、基板での光吸収を防止すると共に、その上に成長される窒化物半導体の転位密度を低減し、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser is composed of an active layer 15 formed of the group III nitride semiconductor, a resonator which reflects light emitted from the active layer 15 with a pair of mirrors so as to induce laser oscillation, and a diffraction grating 24 which is formed of the group III nitride semiconductor grown at low temperatures of 600°C or below and selects light emitted from the active layer 15.例文帳に追加

III族窒化物半導体から構成される活性層１５と、活性層１５からの光を一対の鏡によって反射することによって、レーザ発振を誘起する共振器と、６００℃以下の低温で成長したIII族窒化物半導体からなり、活性層１５からの光の波長を選択する回折格子２４を有するIII族窒化物半導体レーザ。 - 特許庁

In the crop weeder equipped with a cutter type weeding apparatus (7) at the rear part of a traveling vehicle, a pair of horizontal cutters (20) and (20) are opposingly arranged at both right and left positions of row lines of crops grown along ridges so as to hold a crop row line from both sides and simultaneously weed from both right and left sides of the crop row line.例文帳に追加

本発明は、走行車両の後部にカッター方式の除草装置（７）を備えた作物除草機において、畝に沿って育成された作物条列の左右両側位置には、作物条列を左右から挟むように一対の水平カッター（２０），（２０）を対向配置して、作物条列の左右側から同時に除草すべく構成してあることを特徴とする。 - 特許庁