horizontal driftとは 意味・読み方・使い方

A drift path layer doping comprising the volume integral of doping locations of a horizontal drift path layer of the vertically extending drift path 2 including the drift zone regions and charge compensation zone regions arranged in the drift path layer is greater in the vicinity of the two electrodes 3, 4 than in the direction of the center of the drift path 2.例文帳に追加

ドリフト経路層内に配置された、ドリフトゾーンの領域と電荷補償ゾーンの領域とを含み、垂直に伸びるドリフト経路２に、水平なドリフト経路層のドーピング位置が体積的に重ね合わせられたドリフト経路層ドーピングは、ドリフト経路２の中央の方向よりも、２つの電極３，４の近傍においてのほうがより大きい。 - 特許庁

An n- drift layer 21 is formed on the surface of the channel area 15 by epitaxial growth in the horizontal direction (ELO).例文帳に追加

横方向（ＥＬＯ）エピタキシャル成長によりチャネル領域１５の表面からｎ^−ドリフト層２１を形成する。 - 特許庁

A drift corresponding to the side part of the tunnel is excavated (S21); timbering for supporting natural ground and mid-wall timbering are formed outside and inside the drift; and horizontal timbering, by which the drift is split into two upper and lower parts, is formed between the timbering for supporting the natural ground and the mid-wall timbering (S22-S24).例文帳に追加

トンネル側部に相当する導坑を掘削し（Ｓ２１）、その外側及び内側に地山支持用の支保工及び中壁支保工を形成し、その間に導坑を上下に二分する水平支保工を形成する（Ｓ２２〜Ｓ２４）。 - 特許庁

Thus, magnetic field corresponding to the current S5 is applied to electron beams from a convergence yoke, so that the drift of the horizontal static convergence is reduced as time goes by.例文帳に追加

これにより、コンバーゼンスヨークからＳ５に比例する磁界が電子ビームに対して加えられるので、水平スタティックコンバーゼンスの時間的ドリフトが低減される。 - 特許庁

Consequently, the LDD region 25 is made smaller in length in the horizontal direction by the difference in thickness between the sidewalls 26A and 26B than the drift region 23.例文帳に追加

このため、ＬＤＤ領域２５は、ドリフト領域２３に比べ、サイドウォール２６Ａ、２６Ｂの厚さの差の分だけ水平方向の長さが小さくされている。 - 特許庁

To provide a nucleic acid sequence analyzer equipped with a horizontal drive stage having no possibility to reduce observation accuracy affected by focus drift which adopts an air cooling mechanism for cooling a flow cell.例文帳に追加

フローセルの冷却に空冷機構を採用するフォーカスドリフトの影響で、観察精度が低下する可能性のない、水平駆動ステージを実装する核酸配列解析装置の提供。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁