inductive coupling typeとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma etching device capable of reducing particles generated during etching process in an inductive coupling type plasma etching device, and the cleaning method of the device.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマエッチング装置において、エッチング処理中に発生するパーティクルを低減することができるプラズマエッチング装置及び当該装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

An electric circuit for use in power transmission based on inductive coupling can be used to supply power inductively from a printer engine to an exchange type printer part, such as a toner cartridge.例文帳に追加

誘導結合による電力伝送に使用される電気回路は、プリンタ・エンジンからトナー・カートリッジなどの交換式プリンタ部品に電力を誘導的に送るために使用することができる。 - 特許庁

The inductive detection type rotary encoder 4 is provided with first to third transmitting windings 411-413, first to third receiving windings 414-416, and first to third magnetic flux coupling windings 421, 422, 511.例文帳に追加

誘導検出型ロータリーエンコーダ４は、第１〜第３の送信巻線４１１〜４１３、第１〜第３の受信巻線４１４〜４１６、第１〜第３の磁束結合巻線４２１、４２２、５１１を有する。 - 特許庁

To provide a laminated type band-pass filter which can secure sufficient inductive coupling using a conductor pattern arranged face-to-face in a laminating direction, and obtain a large attenuation amount at a high frequency side of the pass band.例文帳に追加

積層方向に対向配置される導体パターンを用いて十分な誘導結合を確保でき、通過帯域の高域側で大きな減衰量を得られる積層型バンドパスフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device of an inductive coupling type capable of various and arbitrary controls not depending on process conditions or plasma states for a current distribution inside an RF antenna, with a burden made light of a high-frequency power feeding system.例文帳に追加

高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the chamber of an inductive coupling type plasma etching apparatus, selective etching is made to the second insulating film 105 by a first etching gas using a fluorocarbon gas having a ring structure as a main constituent, and an upper section 108a of the hole is formed.例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置のチャンバー内において、第２の絶縁膜１０５に対して、環構造を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第１のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの上部１０８ａを形成する。 - 特許庁

An SOI substrate having a three-layer structure of the conductive silicon layer/silicon oxide layer/conductive silicon layer is prepared, and inductive coupling type plasma etching for removing selectively only silicon from the upper layer is performed, and L-shaped slits S1-S4 are carved, thereby to separate the substrate into a cross-shaped member 120 and fixed members 121-124.例文帳に追加

導電性シリコン層／酸化シリコン層／導電性シリコン層の３層構造をもったＳＯＩ基板を用意し、上層からシリコンのみ選択除去可能な誘導結合型プラズマエッチングを行い、Ｌ字形スリットＳ１〜Ｓ４を掘り、十字形部材１２０と固定部材１２１〜１２４とに分離する。 - 特許庁