interface defectsとは 意味・読み方・使い方

To provide an etching method for a compound semiconductor, by which an embedded re-grown interface having few crystal defects is realized.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化合物半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After interface defects each containing at least one of P_b-center, P_b-H, and P_b-D are introduced to an Si/SiO_2 interface 15 at a concentration of ≥0.1%, the interface 15 is nitrified.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５に、Ｐ_b 中心、Ｐ_b −Ｈ、及び、Ｐ_b −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を少なくとも０．１％以上の密度で導入したのち、Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５を窒化する。 - 特許庁

Thereby, interface states, crystal defects and the like in a semiconductor device using the compound semiconductor can be decreased.例文帳に追加

これにより、化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a direct bonding wafer having less interface defects such as a void and a blister is manufactured.例文帳に追加

ボイドやブリスターなどの界面欠陥が少ない直接接合ウェーハが製造できる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a semiconductor element which a film with few defects and interface, and which is improved in characteristic and reliability.例文帳に追加

欠陥の少ない膜および界面を有し、特性や信頼性が改善された半導体素子の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing, at a high speed, a single crystal SiC scarcely generating micropipe (microvoid) defects, interface defects or the like and having high purity, extremely high quality and high performance.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、純度も高くて非常に高品質、高性能な単結晶ＳｉＣを高速度に成長させることができる単結晶ＳｉＣの育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a SOI wafer whose manufacturing process itself is not complicated, whose number of defects on a bonding interface is at a level of no practical matter and which has a high interface level (Dit) for trapping carriers on an interface between a BOX layer and a base wafer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、ＢＯＸ層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位（Ｄｉｔ）が高いＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁