interface damageとは 意味・読み方・使い方

To sufficiently utilize the convenience of a noncontact interface function while minimizing damage resulting from illegal use by a third person.例文帳に追加

第三者の不正利用による被害を最小限にとどめつつ、非接触インタフェース機能の利便性を十分活用すること。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

To provide a catalyst electrode forming a three phase interface which does not damage reaction gas permeability in a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell, and capable of stably supplying reaction gas to the three phase interface during power generation.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散電極における反応ガス透過性を損なうことがない三相界面を形成させ、発電時に安定した反応ガス供給を三相界面に対して行うことができる触媒電極を提供する。 - 特許庁

A MOS interface of low interface state density is formed through an oxygen radical treatment, and an insulating film is consecutively formed through the deposition of SiO in an oxygen radical atmosphere, causing less damage in a series of processes, and the above processes are applied to a substrate of large area by the use of a substrate scanning-type device.例文帳に追加

酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう一連のプロセスを、基板走査型の装置により大面積基板に適用可能ならしめる。 - 特許庁

If the memory inspection reveals no damage to the memory 20, an arbitrary program input from an interface part 30 of the integrated circuit 10 is permitted to be executed, or if the memory 20 is damaged, a program input from the interface part 30 is prohibited from being executed.例文帳に追加

このメモリ検査の結果、メモリ２０が破損していない場合は、集積回路１０のインターフェース部３０より入力される任意のプログラムの実行が許可され、メモリ２０が破損している場合は、インターフェース部３０より入力されるプログラムの実行が禁止される。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser of the gain coupling DFB laser structure which does not easily introduce damage to a re-growth interface when temperature rises in the PH_3 atmosphere.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関し、ＰＨ_3 雰囲気昇温時に再成長界面にダメージが導入されにくい利得結合ＤＦＢレーザの構造を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode junction which is advantageous for suppressing breakage of an electrolyte membrane and damage to a catalyst layer while increasing jointing performance of the interface of the electrode membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との界面の接合性を高めつつ、電解質膜の損傷、触媒層の損傷を抑制するのに有利な膜電極接合体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁