「interface damage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve resistance to electrostatic discharge damage to an integrated circuit device including an interface circuit with a separate power source system by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構成によって、別電源系インタフェース回路を含む集積回路装置の静電破壊耐性を向上させること。 - 特許庁

To reasonably and effectively improve resistance to electrostatic discharge damage to an integrated circuit device including an interface circuit with a separate power source system.例文帳に追加

別電源系インタフェース回路を含む集積回路装置の静電破壊耐性を、無理なく、効果的に向上させること。 - 特許庁

The prevention of moisture accumulation at the interface between the reinforcing bar and the closure bar deters potential damage caused by freezing.例文帳に追加

補強バーと閉鎖バーとの間の境界面に水分が蓄積するのを防ぐことで、凍結による潜在的な損傷が防止される。 - 特許庁

The PMA multilayer 23 is deposited with ultra high Ar pressure gas, and thereby impinging energy that could damage each [CoFe/Ni]_X interface is minimized.例文帳に追加

超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

Thereby, dispersion of oxygen is restrained, so that damage of the grain boundary in the vicinity of the joint interface 80 can be reduced, and the joint reliability can be secured.例文帳に追加

これにより酸素の拡散が抑制されるため、接合界面８０近傍の粒界が受けるダメージを小さくでき、接合信頼性を確保することができる。 - 特許庁

After a wafer is subjected to a sintering processing, it is cooled down and taken out from the thermal treatment device, by which the wafer is capable of recovering from its damage on a MOS interface level in a preceding process.例文帳に追加

シンター処理後、いったん冷却してから取り出すことにより、ＭＯＳ界面準位などの前工程のダメージを短時間で回復させうる。 - 特許庁

The ultrasonic flaw detector 7 inspects the peeling damage state at the interface of a ceramic layer X and a corrosion-resistant alloy layer Y at the position of a moving destination in a non-destructive state.例文帳に追加

超音波探傷器７は、移動先位置でセラミック層Ｘと耐食合金層Ｙの界面における剥離損傷状況を非破壊検査する。 - 特許庁

To prevent impartment of damage to a processed fine hole when introducing a raw material by eliminating a gas-liquid interface becoming a hindering factor when introducing the raw material into the fine hole.例文帳に追加

微細孔中に原料を導入する際に阻害要因となる気・液界面を無くし、原料導入の際に加工した微細孔にダメージが入らない様にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which reduces the damage caused to the interface of a gate insulation film and a semiconductor substrate and improves the quality of the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と半導体基板の界面に生じるダメージを低減し、ゲート絶縁膜の膜質を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser of the gain coupling DFB laser structure which does not easily introduce damage to a re-growth interface when temperature rises in the PH_3 atmosphere.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関し、ＰＨ_3 雰囲気昇温時に再成長界面にダメージが導入されにくい利得結合ＤＦＢレーザの構造を提供する。 - 特許庁

If the memory inspection reveals no damage to the memory 20, an arbitrary program input from an interface part 30 of the integrated circuit 10 is permitted to be executed, or if the memory 20 is damaged, a program input from the interface part 30 is prohibited from being executed.例文帳に追加

このメモリ検査の結果、メモリ２０が破損していない場合は、集積回路１０のインターフェース部３０より入力される任意のプログラムの実行が許可され、メモリ２０が破損している場合は、インターフェース部３０より入力されるプログラムの実行が禁止される。 - 特許庁

To provide a catalyst electrode forming a three phase interface which does not damage reaction gas permeability in a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell, and capable of stably supplying reaction gas to the three phase interface during power generation.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散電極における反応ガス透過性を損なうことがない三相界面を形成させ、発電時に安定した反応ガス供給を三相界面に対して行うことができる触媒電極を提供する。 - 特許庁

To provide a cable connection method which improves the interface electric performance of a cold shrinkage type connection and does not damage the workability of a connection assembly and the easiness of quality control.例文帳に追加

常温収縮型接続部の界面電気性能を向上させ、接続部組立の施工性と品質管理の容易さを損なうことのないケーブル接続処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層の表面を平坦とし、かつ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer, which is a stress relaxation layer that may be destroyed during heat circulation for relaxing stress, maintains conductivity and prevents a more crucial mechanical damage at an interface.例文帳に追加

中間層は、応力を緩和する熱循環中に破壊させてもよい応力緩和層であるが、導電性のままであり、より決定的な界面の機械的損傷を防止する。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

A MOS interface of low interface state density is formed through an oxygen radical treatment, and an insulating film is consecutively formed through the deposition of SiO in an oxygen radical atmosphere, causing less damage in a series of processes, and the above processes are applied to a substrate of large area by the use of a substrate scanning-type device.例文帳に追加

酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう一連のプロセスを、基板走査型の装置により大面積基板に適用可能ならしめる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

In this way, the thermal expansion in the integrally formed monolithic refractory 3 is absorbed with the joining interface 4 and the damage caused by crack of the monolithic refractory 3, is restrained and the service life of the molten metal vessel is extended.例文帳に追加

本発明によれば、接合界面によって一体成型された不定形耐火物における熱膨張が吸収され、不定形耐火物の亀裂による損傷が抑制され、該溶湯容器の寿命が延される。 - 特許庁

The [Co/Ni]_x multilayer reference layer 23 is formed by a process using low power and high pressure argon gas to prevent a damage in an interface between Co and Ni and thereby to maintain the vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode junction which is advantageous for suppressing breakage of an electrolyte membrane and damage to a catalyst layer while increasing jointing performance of the interface of the electrode membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との界面の接合性を高めつつ、電解質膜の損傷、触媒層の損傷を抑制するのに有利な膜電極接合体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate.例文帳に追加

結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of controlling a catastrophic optical damage (COD) caused by a photo output of the semiconductor laser device and a production process of the same, in regard to the semiconductor laser device in which the interface state of the interface between the semiconductor laser (oscillator) and a coating film is reduced by a simple method and the production process of the same.例文帳に追加

本発明は、半導体レーザ（共振器）とコーティング膜との界面の界面準位を簡易な方法により低減した半導体レーザ素子とその製造方法に関し、半導体レーザの光出力に起因した瞬時光学損傷（ＣＯＤ）を抑制できる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a multilayer piezoelectric element exhibiting excellent durability in which damage on the interface of an internal electrode layer and a piezoelectric ceramic layer can be suppressed by enhancing the bonding strength of the internal electrode layer and the piezoelectric ceramic layer, and to provide its producing method and an ejector.例文帳に追加

内部電極層と圧電磁器層との接合強度を向上して、内部電極層と圧電磁器層との界面における破損を抑制できる耐久性に優れた積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high output density and stabilizing the performance for a long time without causing damage to an interface between a solid polymer electrolyte membrane and catalyst layer joining material and a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜・触媒層接合体とガス拡散層に生じる界面にダメージを生じることなく、高い出力密度を可能とし、かつ長時間性能が安定する固体高分子電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hard disk drive(HDD) capable of preventing the damage on the part where a connector pin as an outer interface and a connector are mounted and to provide a mechanism which becomes a forcible guide at the time of mounting the hard disk drive(HDD).例文帳に追加

外部インターフェイスとしてのコネクタのピン及びコネクタの取り付け箇所の損傷を防ぐことができる、ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の提供、及び、ハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の取り付けにあたって、強制的なガイドになる機構の提供。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

To combine triggering function for ordinary load and excellent base isolation function for earthquake in the structure of an interface between the upper structure side and the foundation side without separately installing a trigger mechanism and provide structural members with less deformation and damage and excellent long-term durability.例文帳に追加

上部構造体側と基礎側との接面部構成の工夫により別個にトリガー機構を設置しなくても、日常的荷重に対するトリガー機能と地震動に対する優れた免震性能との両立を図れ、また、構成部材の変形や破損なども少なくて長期耐久性に優れたものにする。 - 特許庁

To provide a means of preventing damage at an edge part of an electrode by alleviating stress at an interface of a cathode-opposite part and a non-opposite part of an anode accompanying expansion and contraction of an active material at charging and discharging, in a lithium ion secondary battery with an anode having a cathode-non-opposite part.例文帳に追加

負極が正極非対向部を有するリチウムイオン二次電池において、充放電時の活物質の膨張収縮に伴う負極の正極対向部と非対向部との境界における応力を低減し、負極のエッジ部における破損を防止しうる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby no damage is caused to an Si substrate, controllability of high melting point metallic silicide (Ti silicide)/Si interface is improved, junction leakage is reduced, thin junction is formed, and thermal stability of a silicide film is improved.例文帳に追加

Ｓｉ基板にダメージを与えることがなくなり、高融点金属シリサイド（Ｔｉシリサイド）／Ｓｉ界面の制御性をよくし、接合リークを低減し、浅い接合形成を可能にし、シリサイド膜の熱的安定性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet for a front light eliminating damage and dirt of the surface thereof, easily enhancing contrast of an image, having a form by which various working can be easily performed on the surface and capable of preventing reflection of external light and the occurrence of Newton's rings at an interface between a liquid crystal display and the sheet.例文帳に追加

表面の損傷、汚れの問題を解消し、画像のコントラストの向上が容易で、表面に種々の加工をしやすい形状とし、ディスプレイ界面での外光反射やニュートンリング発生を防止可能なフロントライト用シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an effective solder material by which, an excess interface- reaction caused when a chip component is attached to a package by soldering is controlled, or, in manufacturing, damage caused from a thermal and mechanical variation in operation is prevented, thereby, a semiconductor having a high yield of manufacture and reliability can be attained.例文帳に追加

チップ部品を載置部材にろう付けして固着する際の過剰な界面反応を抑制すると共に、製造時、あるいは、運転時の熱的および機械的な変化によるろう付け部の破損を防ぎ、製造歩留りや信頼性の高い半導体装置を得るに有効なろう材の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a damage or separation never occurs on an interface below bump electrodes at the time of flip-chip bonding even if a low dielectric constant insulating film is used in a semiconductor chip, when the semiconductor chip is flip-chip-mounted on a wiring substrate, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離を発生することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.例文帳に追加

ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a forming method of an adhesive layer, by which a thin film adhesive layer is formed in a suitable position and shape while suppressing damage of an adherend, and the adhesive layer for suppressing generation and remaining of a void in an interface or inside is formed, while suppressing displacement of the adherend at the time of adhesion.例文帳に追加

接着物の損傷を抑制しつつ、適切な位置、形状に薄膜状の接着剤層を形成することができ、さらには接着時の接着物の位置ずれを抑制できるとともに、界面もしくは内部における空隙の発生および残留を抑制できる接着剤層を形成することができる接着剤層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約８００℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁