「interface defects」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This way, defects caused by oxygen vacancy (defects of generating excessive electron donors) in the oxide semiconductor film 14, in the insulation films 12 and 18, or in the interface therebetween can be controlled.例文帳に追加

酸化物半導体膜１４や絶縁膜１２，１８、あるいはこれらの界面における酸素空孔起因の欠陥（過剰電子ドナーを生成する欠陥）を制御できる。 - 特許庁

The void aggregate defects in a silicon layer 3 is set to 1×10^4/cm^2 or more, and the interface defects 6 on the interface at least between a surface oxide film 4 and the silicon layer 3 is set to 1×10^11/cm^2 or less.例文帳に追加

シリコン層３中の空孔集合体欠陥５を１×１０^4 個／ｃｍ^2 以上にするとともに、少なくとも、表面酸化膜４／シリコン層３の界面の界面欠陥６を１×１０^11個／ｃｍ^2 以下にする。 - 特許庁

To provide an etching method for a compound semiconductor, by which an embedded re-grown interface having few crystal defects is realized.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化合物半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After interface defects each containing at least one of P_b-center, P_b-H, and P_b-D are introduced to an Si/SiO_2 interface 15 at a concentration of ≥0.1%, the interface 15 is nitrified.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５に、Ｐ_b 中心、Ｐ_b −Ｈ、及び、Ｐ_b −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を少なくとも０．１％以上の密度で導入したのち、Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５を窒化する。 - 特許庁

Thereby, interface states, crystal defects and the like in a semiconductor device using the compound semiconductor can be decreased.例文帳に追加

これにより、化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a direct bonding wafer having less interface defects such as a void and a blister is manufactured.例文帳に追加

ボイドやブリスターなどの界面欠陥が少ない直接接合ウェーハが製造できる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a semiconductor element which a film with few defects and interface, and which is improved in characteristic and reliability.例文帳に追加

欠陥の少ない膜および界面を有し、特性や信頼性が改善された半導体素子の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing, at a high speed, a single crystal SiC scarcely generating micropipe (microvoid) defects, interface defects or the like and having high purity, extremely high quality and high performance.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、純度も高くて非常に高品質、高性能な単結晶ＳｉＣを高速度に成長させることができる単結晶ＳｉＣの育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a SOI wafer whose manufacturing process itself is not complicated, whose number of defects on a bonding interface is at a level of no practical matter and which has a high interface level (Dit) for trapping carriers on an interface between a BOX layer and a base wafer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、ＢＯＸ層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位（Ｄｉｔ）が高いＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI wafer that removes an organic material existing on a lamination interface and reduces defects referred to as a void and a blister.例文帳に追加

貼り合わせ界面に存在する有機物を除去し、ボイドおよびブリスタと呼ばれる欠陥を低減するＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a user interface system having interchangeability with an Internet for supporting a process including the sequence of sub-tasks by preventing the defects of a conventional technology.例文帳に追加

従来技術の欠点を回避してサブタスクのシーケンスを含むプロセスを支援するインターネットとの互換性を有するユーザインタフェースシステムを提供することである。 - 特許庁

To provide a body provided with a separating membrane, which is difficult to generate seal defects on the interface part between a separating membrane provided on the surface of a porous substrate and a seal part.例文帳に追加

多孔質基体の表面に配設された分離膜とシール部との境界部分においてシール不良が生じ難い分離膜配設体を提供する。 - 特許庁

To provide a device structure and a manufacturing method which reduce surface and interface defects, which become the causes for reducing efficiency, in a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力デバイスにおいて、効率を低下させる原因となる表面及び界面欠陥を低減するデバイス構造、および製造方法を提供する。 - 特許庁

Crystal defects are repaired by RTA without affecting an impurity profile, and a reduction is made in interface level through an interface level reduction treatment, whereby a leakage current occurs less in an element isolation insulating film.例文帳に追加

ＲＴＡにより不純物プロファイルに影響を与えることなく結晶欠陥を修復し、かつ界面準位低減処理による界面準位の低減とあいまって、素子分離絶縁膜におけるリーク電流を低減する。 - 特許庁

The copy of the test pattern may exhibit readily-detectable image defects, manifest as 'readings' which the user can communicate to a computer, such as through a user interface.例文帳に追加

このテストパターンのコピーは、容易に検出可能な画像欠陥を示し、また、「読み取り値」として現れ、ユーザインタフェースのようなものを通じてユーザがコンピュータに伝達することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a compound semiconductor which can decrease interface states and crystal defects in a semiconductor device using a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することが可能な化合物半導体の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a functional thin film having a small amount of defects by easily and completely carrying out peeling on the interface between functional thin-film structure and a separation layer by a substrate using the separation layer.例文帳に追加

分離層を用いた基板を用いることで、機能性薄膜構造と分離層の界面で容易かつ完全に剥離させ、欠陥の少ない機能性薄膜を得る方法である。 - 特許庁

To obtain a flat laminating surface by reducing the occurrence of defects and irregularities on the lamination interface that is apprehended when two silicon wafers having different plane orientations are laminated directly.例文帳に追加

面方位の異なる２枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた場合に懸念される貼り合わせ界面での欠陥や凹凸の発生を低減して、フラットな貼り合わせ面とする。 - 特許庁

According to the junction wafer inspection method, since defects caused by foreign matters generated on the interface of the junction wafer can be inspected by a simple method, high work efficiency can be expected.例文帳に追加

この接合ウェハ検査方法によれば、簡単な方法で接合ウェハの界面に発生する異物による欠陥を検査することができるので高い作業性が期待できる。 - 特許庁

To make it possible to substantially reduce interface defects between a semiconductor substrate and an insulating film by means of heat treatment for obtaining excellent reliability as a device.例文帳に追加

熱処理により半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。 - 特許庁

Due to the existence of the thin film 41, an epitaxial growth is prevented from starting from the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 61, thereby reducing the generation and growth of crystal defects near the interface between the conductor 56 and the semiconductor region 69.例文帳に追加

薄膜４１の存在により導電体５６と半導体領域６１の界面からエピタキシャル成長が開始されるのが抑制され、導電体５６と半導体領域６９との界面近傍における結晶欠陥の発生と成長が低減される。 - 特許庁

To make the occurrence of defects on the surface and in the vicinity of the surface of a wafer less likely, to reduce crystal defects and to prevent the occurrence of leak, by making metallic contaminants attach to a gettering site near the interface between an active side wafer and an insulating film, even when the metal contaminants attach to the active side of the wafer.例文帳に追加

活性側に金属汚染が付着した場合も、汚染物が活性側ウェーハと絶縁膜との界面付近のゲッタリングサイトにゲッタリングされ、表面および表面近傍に欠陥を発生しにくくし、結晶欠陥を少なくしリーク不良を発生しにくくする。 - 特許庁

Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.例文帳に追加

従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer.例文帳に追加

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。 - 特許庁

To provide a method of forming an oxide dielectric film having superior adhesion and few interface defects on a metal film.例文帳に追加

酸化物誘電体膜の成膜方法に関し、金属膜上に、密着性に優れ、界面欠陥の少ない酸化物誘電体膜を形成しうる酸化物誘電体膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To permit uniform and higher temperature gradient of a single crystal in the crystal pulling direction in the vicinity of the solid-liquid interface by reducing the thermal stress and controlling the distribution of point defects uniformly in the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内の熱的ストレスを低減し、点欠陥濃度分布を均一に制御し、固液界面付近での引上げ方向の結晶温度勾配を径方向に均一で高くできる。 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical fiber preform which is free of fluctuation in refractive index distribution after vitrification, has a refractive index distribution precisely measurable, and does not cause the occurrence of defects at the interface with a glass rod during vitrification.例文帳に追加

ガラス化後に屈折率分布の揺らぎがなく、屈折率分布を正確に測定することができ、またガラス化時にガラスロッドとの界面に欠陥を発生することもない光ファイバ母材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Imprecisely located defects are imaged by milling a series of slices and performing a light, preferential etching to provide a topographical interface between materials having similar secondary electron emission characteristics.例文帳に追加

不正確に発見された欠陥が、一連のスライスをミリングし、軽い優先的エッチングを行って、類似する二次電子放出特性を有する材料間の形状的界面を提供することによって画像化される。 - 特許庁

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element.例文帳に追加

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。 - 特許庁

To provide a forming method of multilayer interconnection that inhibits generation of electromigration on interface, and improves the reliability of a semiconductor device by reducing defects occurring in the interface between the wiring part of the multilayer interconnection and a via, when the multilayer interconnection is formed in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における多層配線の形成に際し、前記多層配線の配線部とビアとの界面において発生する欠陥を低減することにより、前記界面におけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる多層配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve the contllability of the line width of a resist pattern, to suppress occurrence of microbubbles on the interface between the resist and developer, and to decrease developing defects.例文帳に追加

レジストパターニングの線幅制御性が高く、かつ、レジストと現像液の界面におけるマイクロバブルの発生を抑制し、現像欠陥の低減が可能である露光塗布現像装置、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can realize element characteristics predicted from a semiconductor region by preventing the occurrence of defects and levels, which may cause leakage currents or yield points in the interface between the semiconductor region and an oxide film covering the region.例文帳に追加

半導体領域を覆う酸化膜との界面において、漏れ電流や降伏点の発生源となる欠陥、準位の発生を防止し、半導体領域から予測される素子特性を実現できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

Therefore, the interface between the light-emitting layer 10a and the hole-blocking layer 10b is stabilized, so that element defects such as crystallization at the time of forming of the hole-blocking layer 10b will not be given rise to, and the element will be excellent in stability and enjoy a longer life.例文帳に追加

従って、発光層１０ａとホールブロッキング層１０ｂとの界面が安定するし、ホールブロッキング層１０ｂを形成したときに結晶化等の素子欠陥も生じず、素子の安定性に優れ、素子寿命が長くなる。 - 特許庁

By making MnS of a nonmetallic inclusion concentratively generate especially in the neighborhood of the center part of a continuously cast billet and catching gaseous hydrogen in interface voids between the MnS and the ground iron, to suppress the raise of the pressure of the gaseous hydrogen and prevent the blister defects.例文帳に追加

非金属介在物であるMnS を特に連続鋳造鋳片の中心部付近に集中して生成させ、MnS と地鉄との界面空隙に水素ガスを捕捉しセンターポロシティ内の水素ガス圧が高圧になるのを抑制して膨れ欠陥を防止する。 - 特許庁

To provide a film-like silicone rubber adhesive that is excellent in long-term storage stability, does not cause the occurrence of defects such as a void or the like in the interior of the adhesive or at the adhesive interface after curing and can produce a bonded structure with a small variation in adhesive strength.例文帳に追加

長期保存安定性に優れ、硬化後に接着剤内部や接着界面にボイドなどの欠陥の発生がなく、接着強度のばらつきが少ない接着構造体を得ることができるフィルム状シリコーンゴム接着剤を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform film for improving film characteristics by reducing defects of a film interface in such a way that an oxide film may be formed by oxidizing a base surface with an oxidizing fluid, and the thin film may be formed on the oxide film.例文帳に追加

酸化性を有する液体によって基体表面を酸化することで酸化膜を形成し、その酸化膜上に薄膜を形成することで、膜界面の欠陥を少なくして膜特性を向上させた均一な成膜を可能とする。 - 特許庁

The hydrogen forms an atomic hydrogen by a catalyst action of a noble metal, such as Pt and Pd, of the gate electrode and performs annealing, and the interface between the semiconductor compound 11 and the gate dielectric 19 is passivated and further defects are repaired.例文帳に追加

水素はゲート電極のＰｔやＰｄのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物１１とゲート誘電体１９との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device whose capacitance of a capacitor is large, which can suppress the occurrence of defects in the interface of a lower metal electrode and a capacitance insulating film and in the film of the capacitance insulating film in the process to form the capacitance insulating film.例文帳に追加

容量絶縁膜を形成する過程で、下部金属電極と容量絶縁膜との界面および容量絶縁膜の膜中における欠陥が生じるのを抑えることができ、キャパシタ容量の大きな半導体装置を製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a propylene resin multi-layer sheet and a packaging body for heat treatment, which have excellent characteristics such as transparency, flexibility, and impact resistance at very low temperatures; reduced thickness fluctuation during laminating; reduced interface roughness and other appearance defects; and improved reduction in thickness during secondary processing.例文帳に追加

透明性、柔軟性、極低温化での耐衝撃性等に優れ、かつ、積層時の厚み変動の低下、界面荒れなどの外観悪化を抑え、二次加工時の薄肉化を改良したプロピレン系樹脂多層シートおよび加熱処理用包装体を提供する。 - 特許庁

To solve a problem in high-speed operating the external interface of a semiconductor circuit that, though measures are taken for the high-speed operation such as: to increase a current; to reduce a voltage; and to eliminate a protective diode, the measures have defects such as: being increased in heat generation; weak for noise; and likely causing electrostatic breakage.例文帳に追加

半導体回路の外部インターフェースを高速動作させるには、電流を増やす、電圧を下げる、保護ダイオードを削除する等の手段があるが、それぞれ、発熱量が増える、ノイズに弱い、静電破壊が起こり易いなどの欠点を有する。 - 特許庁