isolation bufferとは 意味・読み方・使い方

An upper device isolation film filling the groove and the trench is formed on the lower device isolation film, and the hard mask film and the buffer insulation film are removed by etching, until the semiconductor substrate is exposed.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a heterogeneous computing system including a switch/network adapter port interface utilizing an LR-DIMM having an isolation memory buffer built in.例文帳に追加

アイソレーションメモリバッファを組み込んだＬＲ−ＤＩＭＭを利用したスイッチ／ネットワークアダプタ・ポートインターフェースを含むヘテロジニアスコンピューティングシステムを提供する。 - 特許庁

A work floor 7 is disposed around the precision instrument supported and installed by the base isolation device in a base isolating manner, a base isolation clearance 8 is secured between the work floor and the precision instrument, and a buffer 9 restricting the excess horizontal displacement of the precision instrument is installed in the base isolation clearance.例文帳に追加

免震装置により免震支持して設置した精密機器の周囲に作業床７を設けるとともに、作業床と精密機器との間には免震クリアランス８を確保し、免震クリアランスに精密機器の過大水平変位を拘束する緩衝装置９を設置する。 - 特許庁

In the compound semiconductor element, a first element isolation portion 9 reaching a buffer layer 2 from a surface of the element in the thickness direction of a substrate 1 is formed.例文帳に追加

化合物半導体素子において、素子表面から基板１の厚さ方向にバッファ層２まで達する第１の素子分離部９を形成する。 - 特許庁

The fluctuations of the back pressure in the buffer tank 5, which are attendant upon the advance/retreat operations of the ink in the flexible tubes 13 and 34, are absorbed by movement of the isolation member 20.例文帳に追加

可撓性チューブ１３、３４内のインクの進退動に伴うバッファタンク５内の背圧の変動を隔離部材２０の移動により吸収する。 - 特許庁

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13.例文帳に追加

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。 - 特許庁

HETEROGENEOUS COMPUTING SYSTEM INCLUDING SWITCH/NETWORK ADAPTER PORT INTERFACE UTILIZING LOAD REDUCED DUAL-INLINE-MEMORY MODULE (LR-DIMM) HAVING ISOLATION MEMORY BUFFER BUILT IN例文帳に追加

アイソレーションメモリバッファを組み込んだロードリデュースド・デュアル・インライン・メモリ・モジュール（ＬＲ−ＤＩＭＭ）を利用したスイッチ／ネットワークアダプタ・ポートインターフェースを含むヘテロジニアスコンピューティングシステム - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁