「isolation buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When a buffer 40 is pinched and fitted between the parallel plate body-shaped sections, vibration isolation and soundproof effects are displayed.例文帳に追加

上記平行板体状部間に緩衝装置を挟装すれば、防振・防音効果が発揮される。 - 特許庁

A pad oxide film 2 and a first polysilicon layer 3 are used as a stress buffer member when an element isolation oxide film 5 is formed.例文帳に追加

パッド酸化膜（２）、第１のポリシリコン層（３）を素子分離酸化膜（５）の形成時にはストレス緩衝部材として用いる。 - 特許庁

An upper device isolation film filling the groove and the trench is formed on the lower device isolation film, and the hard mask film and the buffer insulation film are removed by etching, until the semiconductor substrate is exposed.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a heterogeneous computing system including a switch/network adapter port interface utilizing an LR-DIMM having an isolation memory buffer built in.例文帳に追加

アイソレーションメモリバッファを組み込んだＬＲ−ＤＩＭＭを利用したスイッチ／ネットワークアダプタ・ポートインターフェースを含むヘテロジニアスコンピューティングシステムを提供する。 - 特許庁

A work floor 7 is disposed around the precision instrument supported and installed by the base isolation device in a base isolating manner, a base isolation clearance 8 is secured between the work floor and the precision instrument, and a buffer 9 restricting the excess horizontal displacement of the precision instrument is installed in the base isolation clearance.例文帳に追加

免震装置により免震支持して設置した精密機器の周囲に作業床７を設けるとともに、作業床と精密機器との間には免震クリアランス８を確保し、免震クリアランスに精密機器の過大水平変位を拘束する緩衝装置９を設置する。 - 特許庁

In the compound semiconductor element, a first element isolation portion 9 reaching a buffer layer 2 from a surface of the element in the thickness direction of a substrate 1 is formed.例文帳に追加

化合物半導体素子において、素子表面から基板１の厚さ方向にバッファ層２まで達する第１の素子分離部９を形成する。 - 特許庁

The fluctuations of the back pressure in the buffer tank 5, which are attendant upon the advance/retreat operations of the ink in the flexible tubes 13 and 34, are absorbed by movement of the isolation member 20.例文帳に追加

可撓性チューブ１３、３４内のインクの進退動に伴うバッファタンク５内の背圧の変動を隔離部材２０の移動により吸収する。 - 特許庁

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13.例文帳に追加

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。 - 特許庁

HETEROGENEOUS COMPUTING SYSTEM INCLUDING SWITCH/NETWORK ADAPTER PORT INTERFACE UTILIZING LOAD REDUCED DUAL-INLINE-MEMORY MODULE (LR-DIMM) HAVING ISOLATION MEMORY BUFFER BUILT IN例文帳に追加

アイソレーションメモリバッファを組み込んだロードリデュースド・デュアル・インライン・メモリ・モジュール（ＬＲ−ＤＩＭＭ）を利用したスイッチ／ネットワークアダプタ・ポートインターフェースを含むヘテロジニアスコンピューティングシステム - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

An upper element isolation film for filling the groove and trench is formed on the lower element separation film, and the hard mask film and buffer insulating film are etched until the semiconductor substrate is exposed for removal.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

The isolation layers 12 and the buffer layers 13 are formed dispersedly in lines, and etchant flow holes 16 are provided in the side of t layers 12 and 13 through the intermediary of an SiO2 growth stop film 15.例文帳に追加

分離層１２およびバッファ層１３は線状に分散して形成され、それらの側面にはＳｉＯ_2 よりなる成長防止膜１５を介してエッチング剤の流通孔１６が設けられている。 - 特許庁

The isolation circuit 3 is provided with a photocoupler, which once converts an amplified input signal into an optical signal to electrically isolate the optical signal from the input signal, and restores the optical signal into an electric signal again, which is outputted through a buffer.例文帳に追加

絶縁回路３にはフォトカプラを備え、増幅された入力信号を一度光信号に変換し、電気的に絶縁後再度電気信号に戻してバッファーを通して出力する。 - 特許庁

CONSTRUCTION METHOD FOR INSTALLING SLIDING BRACKET, MAIN BODY SUPPORT BOARD, AND BUFFER CONNECTOR IN FOUNDATION AND BUILDING WITH EXISTING BUILDING HELD IN ITS FIXED POSITION AND IMPROVING EXISTING BUILDING INTO BASE ISOLATION STRUCTURE ISOLATING EARTHQUAKE SHOCK BETWEEN FOUNDATION AND SILL例文帳に追加

既存建築物を定位置のまま、摺動ブラケット、本体支持板、緩衝連結具を基礎部と建築物に設置し、地震の揺れを基礎部と土台間で遮断する既存建築物を免震構造に改良する施工方法。 - 特許庁

Trenches of a block isolation region 22 are formed to reach a semiinsulating buffer layer 12 arranged lower than the active layer 14 thus forming unit blocks isolated electrically while having a plurality of LEDs, respectively.例文帳に追加

そして、活性層１４より下層に配置された半絶縁性のバッファ層１２まで達するブロック分離領域２２の溝を形成して、個々に複数のＬＥＤを有して電気的に分離した単位ブロックを形成する。 - 特許庁

The thin-film solar cell includes a plurality of back electrodes isolated by a plurality of isolation grooves formed on an insulating substrate; photoelectric conversion layers formed on the back electrodes, buffer layers formed on the photoelectric conversion layers; insulating layers formed on the buffer layers; and transparent electrodes formed on the insulating layers.例文帳に追加

薄膜太陽電池は、縁性基板上に形成された複数の分離溝で分離された複数の裏面電極と、裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された透明電極とを有する。 - 特許庁

The buffer structure 1 of the lining body mounted on the upper part of a supporting body (holding girder 6) is constituted of the vibration insulation member (rubber member 3) mounted to the lower surface of the lining body 4 and a buffer protection member (urethane plate 2) lying between the vibration isolation member (rubber member 3) and the supporting body (holding girder 6).例文帳に追加

支持体（受桁６）の上部に載置されている覆工体の緩衝構造１において、覆工板４の下面に設置した防振部材（ゴム部材３）と、この防振部材（ゴム部材３）と支持体（受桁６）との間に介在させた緩衝保護部材（ウレタン板２）とから構成されることを特徴とする。 - 特許庁

As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.例文帳に追加

その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁

A plurality of solar cell units composed of the photoelectric conversion layers, the buffer layers, the insulating layers, and the transparent electrodes are formed by a plurality of opening grooves formed in different positions from the isolation grooves and with a predetermined interval, and reaching the back electrodes from the transparent electrodes.例文帳に追加

分離溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、透明電極から裏面電極に達する開口溝により光電変換層、バッファ層、絶縁層および透明電極により構成される太陽電池ユニットが複数形成される。 - 特許庁

In a free-flow electrophoresis device impressing a voltage vertically to a flow, while making a sample and buffer solution to flow from an upper stream to a lower stream, and implementing electrophoresis, the cross section and the length of a plurality of preparative isolation channels 5(1)-5(n+m) installed in the lower stream side are constituted equal to each other.例文帳に追加

試料および緩衝液を上流から下流へ流しながら、流れと垂直に電圧を印加し電気泳動を行うフリーフロー電気泳動装置において、下流部に設置される複数の分取流路５(1) 〜５(n＋m)の断面および、長さが等しい構成とする。 - 特許庁

The active lightweight sound isolation unit 20 is constituted by stacking a bottom plate section 13 formed by stacking plastic corrugated boards 13a and 13b, on the flat speaker 21 formed by pinching a thin printed coil plate 21e via buffer sheets 21ga and 21gb with permanent magnet plate 21a, 21b, thereby reducing a primary sound source.例文帳に追加

薄型プリントコイル板２１ｅを緩衝シート２１ｇａ、２１ｇｂを介して永久磁石板２１ａ、２１ｂで挟んで形成した平面スピーカ２１に、プラスチックダンボール１３ａ、１３ｂを重ねて形成した底板部１３を重ねたアクティブ軽量遮音ユニット２０を構成することによって、一次音源を低減する。 - 特許庁