linewidth variationとは 意味・読み方・使い方

To reduce variation of linewidth of resist patterns between, for example, shot areas.例文帳に追加

例えば、ショット領域間でのレジストパターンの線幅ばらつきを低減する。 - 特許庁

To control linewidth variation and bias resulting from MEF changes and reticle linewidth variations in a printed substrate by correcting exposure dose and partial coherence at different spatial locations.例文帳に追加

基板におけるＭＥＦ変化およびレチクルライン幅変動から生じるライン幅変動およびバイアスを種々異なる空間的位置での露光量と部分可干渉性の補正によってコントロールする。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of reducing variation in linewidth of an obtained pattern, and to provide a method for manufacturing a device.例文帳に追加

得られるパターンの線幅の変動を低減することができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-column electron beam exposure device and an electron beam exposure method capable of correcting variation in the linewidth between column cells even when proximity effect correction is performed.例文帳に追加

近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。 - 特許庁

To suppress variation in the luminous intensity distribution for realizing a narrow spectrum line width, and to suppress increase of the spectrum linewidth due to hole burning at high output, in a distributed feedback type semiconductor laser device, where a low reflectance film and a high reflectance film are respectively formed on the output plane and the rear end plane of a resonator.例文帳に追加

共振器の出射面に低反射率膜が、後端面に高反射率膜が夫々形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、光強度分布の変化を抑制して狭いスペクトル線幅を実現し、また、高出力下でのホールバーニングによるスペクトル線幅の増大を抑制する。 - 特許庁

In EGA optimization simulation, the alignment processing parameters are optimized while taking account of the linewidth variation of a pattern formed, using results of EGA simulation performed using measurement results of first time wafer alignment(EGA measurement), and results of EGA simulation performed using measurement results of second time wafer alignment(EGA measurement) (steps S38, S39, S42, S43).例文帳に追加

ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、第１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、第２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いて、形成されたパターンの線幅変動も考慮して、アライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition which contains a compound good also in compatibility with other components, can optimally control radiation transmittance particularly as a chemically amplified positive resist effectively sensitive to far-ultraviolet radiation, in particular, can effectively suppress a linewidth change of a resist pattern due to a thickness variation of a resist film on a highly reflecting substrate, and excels also in depth of focus latitude.例文帳に追加

他の成分との相溶性も良好な化合物を含有し、特に遠紫外線に有効に感応する化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線透過率を最適にコントロールすることができると共に、特に、高反射基板上でのレジスト被膜の膜厚変動によるレジストパターンの線幅変化を有効に抑えることが可能で、かつ焦点深度余裕にも優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁