low-work function metalとは 意味・読み方・使い方

In the method of manufacturing the electron emitting element, a metal oxide layer is formed on a surface of a structure before coating the underlying structure with the low work function material.例文帳に追加

構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 - 特許庁

Conversion efficiency is improved by forming a base metal layer having a low work function between a power generation layer and an electrode.例文帳に追加

発電層と電極との間に、仕事関数の低い下地金属層を設けることにより変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative electrode 5 has a first metal layer 6a containing a first metal and a low work-function metal, a second metal layer 6b containing a second metal the same as or different from the first metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.例文帳に追加

陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む第１金属層６ａと、第１の金属と同じまたは異なる第２の金属を含む第２金属層６ｂと、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁

To prevent the switch of an etching step according to film quality from being delayed when a gate electrode composed of a work function metal film and a low-resistance film is plasma-etched.例文帳に追加

仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。 - 特許庁

To improve emission current density in a metal coated impregnated cathode by making the best of advantage of low work function.例文帳に追加

メタルコートタイプの含浸型陰極構体において、仕事関数が低いという特性を最大限に生かして、同一温度での放出電流密度を向上させる。 - 特許庁

According to this constitution, electron impregnating property from the cathode into the light emitting layer can be improved without employing a low work function metal inactive in reaction.例文帳に追加

この構成によれば、反応活性な低仕事関数金属を用いることなく、陰極から発光層への電子注入性を向上させることができる。 - 特許庁

In a MIS transistor in which a gate electrode formed on the high-k film 4 is constituted by a work function metal film 5 and first and second low resistance films 6 and 7 above it, the grain size of the first low resistance film 6 made of tungsten on the work function metal film 5 is made smaller than the grain size of the second low resistance film 7 on the first low resistance film 6.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜４上に形成されるゲート電極を、仕事関数金属膜５とその上部の第一の低抵抗膜６、第二の低抵抗膜７で構成したＭＩＳトランジスタにおいて、仕事関数金属膜５上の、タングステンからなる第一の低抵抗膜６のグレインサイズを前記第一の低抵抗膜６上の第二の低抵抗膜７のグレインサイズより小さくする。 - 特許庁