「low-work function metal」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To design a thin film EL element to make improvement in luminosity and long life, in the element which contains a low work function metal excellent in the electron injection characteristics in an electron injection electrode, by preventing degradation of low work function metal.例文帳に追加

電子注入特性に優れた低仕事関数金属を、電子注入電極に含む薄膜ＥＬ素子に於いて、低仕事関数金属の劣化を防止することにより、素子の高輝度化及び長寿命化を図る。 - 特許庁

The cathode 5 has a metal layer 6 containing a first metal and a low work-function metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.例文帳に追加

陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む金属層６と、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the electron emitting element, a metal oxide layer is formed on a surface of a structure before coating the underlying structure with the low work function material.例文帳に追加

構造体に低仕事関数材料を被覆する前に、構造体表面に金属酸化物層を形成する。 - 特許庁

Conversion efficiency is improved by forming a base metal layer having a low work function between a power generation layer and an electrode.例文帳に追加

発電層と電極との間に、仕事関数の低い下地金属層を設けることにより変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative electrode 5 has a first metal layer 6a containing a first metal and a low work-function metal, a second metal layer 6b containing a second metal the same as or different from the first metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.例文帳に追加

陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む第１金属層６ａと、第１の金属と同じまたは異なる第２の金属を含む第２金属層６ｂと、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁

To prevent the switch of an etching step according to film quality from being delayed when a gate electrode composed of a work function metal film and a low-resistance film is plasma-etched.例文帳に追加

仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。 - 特許庁

To improve emission current density in a metal coated impregnated cathode by making the best of advantage of low work function.例文帳に追加

メタルコートタイプの含浸型陰極構体において、仕事関数が低いという特性を最大限に生かして、同一温度での放出電流密度を向上させる。 - 特許庁

According to this constitution, electron impregnating property from the cathode into the light emitting layer can be improved without employing a low work function metal inactive in reaction.例文帳に追加

この構成によれば、反応活性な低仕事関数金属を用いることなく、陰極から発光層への電子注入性を向上させることができる。 - 特許庁

In a MIS transistor in which a gate electrode formed on the high-k film 4 is constituted by a work function metal film 5 and first and second low resistance films 6 and 7 above it, the grain size of the first low resistance film 6 made of tungsten on the work function metal film 5 is made smaller than the grain size of the second low resistance film 7 on the first low resistance film 6.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜４上に形成されるゲート電極を、仕事関数金属膜５とその上部の第一の低抵抗膜６、第二の低抵抗膜７で構成したＭＩＳトランジスタにおいて、仕事関数金属膜５上の、タングステンからなる第一の低抵抗膜６のグレインサイズを前記第一の低抵抗膜６上の第二の低抵抗膜７のグレインサイズより小さくする。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface state of the metal including a work function value using the discharge phenomenon of a photoelectron from the surface of the metal due to the irradiation with ultraviolet rays of low energy, the surface state of the metal is analyzed using a formula (3) obtained from a formula (1) and a formula (2).例文帳に追加

低エネルギー紫外線照射による金属表面からの光電子放出現象を用いた仕事関数値を含む表面状態解析方法において、式（１）と式（２）から得た式（３）を用いて解析する。 - 特許庁

The metal layer 6 has a first surface at the side of the organic EL layer 9, and a second surface at the side of the oxide conductive layer 7, and the concentration of the low work-function metal on the first surface is larger than that of the one on the second surface.例文帳に追加

金属層６は、有機ＥＬ層９の側の第１表面および酸化物導電層７の側の第２表面を有し、第１表面における前記低仕事関数金属の濃度は、第２表面における前記低仕事関数金属の濃度よりも大きい。 - 特許庁

When a metal material such as Mg having a small work function is used as the material serving as an electron and hole source, any problem on luminous efficiency is not substantially caused if an area ratio of the metal material to the phosphor surface is made as low as about 20-30%.例文帳に追加

又、電子及び正孔の供給源となる材料として仕事関数の小さなMgなどの金属材料を用いる時は、蛍光体表面に占める面積比率を２０％〜３０％程度に低くすれば、発光効率上ほとんど問題がなくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has the thermal stability, while being capable of restricting a threshold voltage low when a metal film having a work function to such a degree that adhesive properties do not get worse or a film composed of a metal component is used as a gate electrode.例文帳に追加

熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method which enables another aquisition of the data related to the state produced on the surface of a metal such as adsorption or the like simultaneously with the automatic determination of the work function of the metal from a measuring result of the discharge of a photoelectron due to the irradiation with ultraviolet rays of low energy.例文帳に追加

低エネルギ−の紫外線照射による光電子放出測定の結果から、金属の仕事関数を自動的に決定すると同時に、吸着などの表面に生じた状態に関連する情報を新たに得ることができる方法を提供する。 - 特許庁

To readily provide a good modified electrode having a large work function, which can be processed at a relatively low temperature and can be prepared simply and safely by not using a noble metal but by using metal conductor of small thin-film forming energy and an organic compound which possesses metallic conductivity.例文帳に追加

貴金属を用いることなく、薄膜形成エネルギーの小さい金属的導電体と金属的導電性を有する有機化合物を用いて、比較的低温で加工でき、簡易かつ安全に仕事関数の大きい良好な修飾電極を容易に提供する。 - 特許庁

To suppress low the amount of variation of threshold voltage by suppressing variation of a work function when adopting a high dielectric gate insulating film and a metal gate electrode, and hence restrain the increase of a gate leak current for preventing reliability from being lowered.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲート電極を採用する場合に、仕事関数の変動を抑えて閾値電圧の変動量を低く抑えることができるようにし、ゲートリーク電流の増大を抑えて、信頼性の低下を招かないようにする。 - 特許庁

The common negative electrode 50 is composed of a first negative electrode 50a made of metal with low work function formed on the electron injection layer 52, and a second negative electrode 50b formed on and protecting the first negative electrode 50a.例文帳に追加

共通陰極５０が、電子注入層５２上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極５０ａと、第１陰極５０ａ上に設けられて第１陰極５０ａを保護する第２陰極５０ｂとからなっている。 - 特許庁

The metal with the low work function is calcium, or metal or an alloy with the work function lower than calcium.例文帳に追加

発光ダイオードの製造方法は、ｉ）高い仕事関数を有し、ホール放出電極として作用する透明な導電性の第１層を用いて基板をプレコートする工程と、ｉｉ）可溶性の半導体性発光性共役系高分子からなる透明層を、第１層の上に溶液から直接キャストする工程と、ｉｉｉ）電子放出コンタクトを、半導体性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程とを包含し、仕事関数の低い金属がカルシウムである。 - 特許庁

The metal gate electrode having a structure in which a work function control layer 5 containing N etc., an intermediate layer 6 containing Si or Al, and a low resistance layer 7 of MoN layer etc. are laminated through a gate insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。 - 特許庁

By executing low bias treatment using a halogen-based gas when etching the polysilicon film, a metal electrode having an independent work function is formed on the N-ch transistor and the P-ch transistor while improving the film quality of the High-k film which is a base.例文帳に追加

該ポリシリコン膜をエッチングする際にハロゲン系ガスを用いた低バイアス処理を施すことにより、下地のＨｉｇｈ−ｋ膜の膜質を改善しながら、Ｎ−ｃｈトランジスタ及びＰ−ｃｈトランジスタに独立した仕事関数を持つ金属電極を形成する。 - 特許庁

The emitter 26 has a metal plating layer 42 formed on the cathode electrode 22, and plural granular or bar-shaped fine bodies 44 composed of a material selected from a group composed of fullerene, a carbon nanotube, graphite, a low work function material, a negative electronic affinity material, and a metallic material, and supported by the metal plating layer 42 in a dispersive state.例文帳に追加

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。 - 特許庁

The emitter 26 is composed of a metal-plated layer 42 formed on the cathode electrode 22 and a plurality of grain-shaped or stick-shaped fine bodies 44, supported on the metal plated layer 42 in a scattered state, made of a material chosen from fullerene, carbon nanotube, graphite, a material with a low work function, a material with negative electron affinity force, and a metallic material.例文帳に追加

エミッタ２６は、カソード電極２２上に形成された金属メッキ層４２と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層４２に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体４４と、を有する。 - 特許庁

Also, by forming a low resistance layer on a layer having a different N concentration composed of the same metal, the resistance of the n-type gate electrode and the p-type gate electrode is decreased while controlling a work function of them, and the CMOS field effect semiconductor device of further high performance is provided.例文帳に追加

また、そのように同一のメタルで構成されたＮ濃度の異なる層上に低抵抗層を形成することにより、ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極の仕事関数を制御しつつそれらの低抵抗化を図ることが可能になり、より高性能のＣＭＯＳ電界効果半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

An electron transporting layer 61 formed from an electron transporting material, and an electron injection layer 62 formed from a material prepared by mixing a metal material having a low work function into an electron transmitting compound or electron transporting material are sequentially laminated between the organic layer 4 and the negative electrode 5 from the side of adjacency to the organic layer 4.例文帳に追加

有機層４と陰極５との間に有機層４に近い側から電子輸送材料から成る電子輸送層６１及び電子伝達化合物又は電子輸送材料に仕事関数の低い金属材料をドープした材料から成る電子注入層６２を順次積層形成する。 - 特許庁

A progress monitor layer 5, which is sensitive for plasma light emission monitoring and contains nitrogen, is provided in the low-resistance film 6 and nearby an interface formed with the work function metal film 4 to detect change of plasma light emission during etching, and progress of the etching is monitored to prevent the etching step change from being delayed.例文帳に追加

低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition, suitably used for forming an organic insulating film which has satisfactory alkali resistance and contributes toward prolonging the service life of an organic EL (electroluminescent) element by restraining reactivity with a basic material and an electrode, comprising a metal having a low work function, and to provide an insulating film formed from the composition.例文帳に追加

塩基性の材料や、低仕事関数の金属からなる電極との反応性を抑制することにより有機ＥＬ素子の寿命の向上に資し、十分な耐アルカリ性を有する有機絶縁膜を形成するために好適に使用される感放射線性樹脂組成物およびこの組成物から形成された絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

Deuterium is run from the side of one surface 11A of a structure 11 to the side of the other surface 11B of it to a substance 14 to be nuclide-transformed which is put into contact with the one surface 11A of the structure 11 that has palladium or palladium alloy or hydrogen occluding metal other than palladium or that other than palladium alloy and a substance of a low work function.例文帳に追加

パラジウム又はパラジウム合金、或いは、パラジウム以外の水素吸蔵金属又はパラジウム合金以外の水素吸蔵合金と仕事関数が低い物質とを有する構造体１１の一方の表面１１Ａ上に接触させられた核種変換を施す物質１４に対して、構造体１１の一方の表面１１Ａ側から他方の表面１１Ｂ側へ向けて重水素を流すことを特徴とする。 - 特許庁