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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Wiktionary英語版 > memory holesの意味・解説 

memory holesとは 意味・読み方・使い方

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Wiktionary英語版での「memory holes」の意味

memory holes

出典:『Wiktionary』 (2014/07/23 21:48 UTC 版)


memory-holes


「memory holes」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 55



例文

The dummy through-holes 23a are arranged so as to surround all the through-holes 23 or a memory cell array region.例文帳に追加

ダミースルーホール23aは、スルーホール23全体すなわちメモリセルアレイ領域を囲むように配置される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device uniform in diameter of memory holes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリホールの直径が均一な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Memory runners 7, 7' are retained at the same positions when memory locks 9, 9' are engaged with holes 8, 8' of memory rails 3, 3' even if first springs 33, 33' separate from the memory runners 7, 7'.例文帳に追加

第1スプリング(33,33’)がメモリーランナー(7,7’)と離反してもメモリーロック(9,9’)がメモリーレール(3,3’)の孔(8,8’)に係合しているときは、同位置にメモリーランナー(7,7’)は保持される。 - 特許庁

Afterwards, contact holes are formed in the memory cell array area and the peripheral area but the interlayer dielectric is thin, the aspect ratio of the contact holes can be reduced.例文帳に追加

その後、メモリセルアレイ領域及び周辺領域にコンタクトホールを形成するが、層間絶縁膜の膜厚が小さいためコンタクトホールのアスペクト比を低減できる。 - 特許庁

In the charge storage layer 3B of a memory transistor 1, for example, electrons are injected at writing and holes are injected easily.例文帳に追加

メモリトランジスタ1の電荷蓄積層3Bに、たとえば、書き込み時に電子を注入し、消去時に正孔を注入する。 - 特許庁

In the case of implanting the holes to the lamination film 15, voltage pulses for implanting the holes to the lamination film 15 are applied to the memory gate 17 and the impurity diffusion layer 20 for a plurality of number of times.例文帳に追加

積層膜15にホールを注入する際には、積層膜15へのホール注入のための電圧パルスをメモリゲート17および不純物拡散層20に複数回印加する。 - 特許庁

例文

On the undersurface of the lower rail, a memory plate 12 is installed which has an engaging hole 10 and an engaging piece 11 and stores the seat position, and a number of locking holes 13 are bored in which the locking teeth 8 of the locking member 9 are engaged through the engaging holes in the memory plate.例文帳に追加

ロアレールの下面には係合孔10と係合片11とを有するシート位置を記憶するメモリプレート12を配設させかつロック部材9のロック歯8がメモリプレートの係合孔を介して係合する多数のロック孔13を穿設してある。 - 特許庁

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「memory holes」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 55



例文

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with a memory laminate in a memory array region and with a dummy laminate in a peripheral circuit region, wherein dummy holes 31a and 31b are formed in the dummy laminate, and insulating members are buried therein.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、メモリアレイ領域にメモリ積層体を設け、周辺回路領域にダミー積層体を設け、ダミー積層体にダミーホール31a,31bを形成し、その内部に絶縁部材を埋め込む。 - 特許庁

An element active area 1 is formed, a pair of memory cells are formed, word lines 2, 2a, 2b... of the memory cell are arranged, and capacitor contact holes 3, 3a are formed in the capacitor part of the memory cell respectively to fill them with contact plugs.例文帳に追加

素子活性領域1が形成され一対のメモリセルが形成され、メモリセルのワード線2,2a,2b…が配設され、メモリセルのキャパシタ部に容量用コンタクト孔3,3aがそれぞれ形成されコンタクトプラグが充填されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a flash memory element which can achieve stable decrease of the size of contact holes, improving the reliability of the element.例文帳に追加

コンタクトホールのサイズの安定した減少を実現でき、素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which allows a recovery anneal after forming wiring contact holes and can realize good ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加

配線コンタクト開口後の回復アニールが可能となり、良好な強誘電体キャパシタ特性が実現できる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To spatially separate holes generated in quantum dots in an optical semiconductor memory from electrons to the extent that their recombination do not occurs.例文帳に追加

光半導体記憶装置に関し、量子ドットにおいて発生した正孔を電子から再結合が生じない程度に空間的に分離する。 - 特許庁

The CPU chip 301 and the flash memory 302 are connected through a transmission line 620 including through-holes 621, 622 formed in the laminated substrate 101.例文帳に追加

CPUチップ301とフラッシュメモリ302とは、積層基板101に形成されたスルーホール621,622を含む伝送線路620により接続される。 - 特許庁

Through holes 37 are formed in the board body 24 so as to correspond to all memory circuit parts which are formed on all the chips formed on the wafer 1.例文帳に追加

ボード本体24には、ウェハ1に形成された全てのチップに形成された全てのメモリ回路部に対応して貫通孔37が形成されている。 - 特許庁

例文

The heat sink 10 contains binding means 20 for binding the heat sink 10 to the memory module substrate 30 and holes into which the binding means 20 penetrate.例文帳に追加

ヒートシンク10は、メモリモジュール基板30にヒートシンク10を締結するための締結手段20と、締結手段20が貫通する孔とを含む。 - 特許庁

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