microfabrication techniqueとは 意味・読み方・使い方

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and few development defects particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming technique capable of efficiently forming a high resolution pattern for use in microfabrication using a radiation sensitive composition as a photoresist which can be developed with an aqueous alkali solution, has high sensitivity characteristics and is reversed from negative type to positive type in accordance with dose.例文帳に追加

アルカリ水溶液によって現像可能であり、高感度な特性を有し、照射量によってネガ型からポジ型に反転する感放射線組成物をホトレジストに用いて、微細加工に用いる高解像度なパターンを効率よく形成することのできるパターン形成技術を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To solve the problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element with a high energy line, an X-ray, an electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance-improving the technique for microfabrication of a semiconductor element or the like that uses ultraviolet radiation, excimer laser light, an electron beam or the like, and to provide a positive photosensitive composition, having high sensitivity and high resolution and satisfying a good pattern profile.例文帳に追加

紫外線、エキシマレーザー光、電子線等を使用する半導体素子等の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度かつ高解像性、良好なパターン形状を満足するポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problems that conventionally performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity, resolution and resist shape, when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁