multilayer growthとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of producing a multilayer film mirror used in a soft X-ray region of 2.3 to 4.4 nm, which comprises stacking the multilayer film by epitaxial growth and by which crystal defects in the multilayer film can be reduced and the reflectivity to soft X-rays can be improved.例文帳に追加

２．３ｎｍ〜４．４ｎｍの軟Ｘ線領域に用いる多層膜ミラーを作製する方法にであり、多層膜をエピタキシャル成長で積層させることにより多層膜内の結晶欠陥を減少させ、軟Ｘ線の反射率を向上させるものである。 - 特許庁

To provide a crystal growth method which restrains generation of cracks and a multilayer structure which is formed by the method.例文帳に追加

クラックの生成を抑制した結晶成長方法およびその結晶成長方法によって形成される多層構造体を提供すること。 - 特許庁

To provide a film multilayer structure in which a polarization is increased by an epitaxial growth while imparting a consistency on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に整合性を持たせながらエピタキシャル成長させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。 - 特許庁

When the semiconductor multilayer reflection film is grown by alternately laminating a first semiconductor layer and a second semiconductor layer on a substrate by an organic metal vapor growth method using an apparatus in which a substrate tray mounting a substrate on a self-rotating mechanism is self-rotated in a reactor, the inclination of the growth effect distribution of the semiconductor multilayer film is set to 3 to 10 (10^-3/mol).例文帳に追加

自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a multilayer ceramic capacitor which does not cause short-circuit defects, resulting from abnormal growth of grains at sintering, even if a dielectric layer is made thin.例文帳に追加

誘電体層を薄膜化しても焼成時に異常粒成長によるショート不良を引き起こさない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After change of the temperature is completed, a III-V compound semiconductor multilayer film 33 for a second semiconductor optical element is grown on the substrate E1 by using a mask 27 in the growth furnace 32.例文帳に追加

温度の変更が完了した後に、第２の半導体光素子のためのIII−Ｖ化合物半導体多層膜３３を成長炉３２で基板Ｅ１上にマスク２７を用いて成長する。 - 特許庁

To suppress the generation of a leakage current accompanying the deterioration of crystallinity on respective layer interfaces of a collector and a base and an emitter and the base in a semiconductor multilayer film, for instance the semiconductor multilayer film for which respective semiconductor layers to be used for the collector, the base and the emitter are continuously formed by epitaxial growth.例文帳に追加

半導体多層膜、例えば、コレクタ、ベース、エミッタに供する各半導体層をエピタキシャル成長により連続して形成する半導体多層膜において、上記コレクタ／ベース及びエミッタ／ベースの各層界面での、結晶性の悪化に伴うリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide an intermediate film for laminated glass, which can provide the laminated glass capable of suppressing generation and growth of foaming; and to provide a multilayer intermediate film for the laminated glass, using the intermediate film.例文帳に追加

発泡の発生及び発泡の成長を抑制できる合わせガラスを得ることができる合わせガラス用中間膜、並びに該中間膜を用いた合わせガラス用多層中間膜を提供する。 - 特許庁