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n-type conductionとは 意味・読み方・使い方
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「n-type conduction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
The polarity of the second reference voltage Vss2 is plus when the conduction type of the well is a p-type, but it is minus when the conduction type of the well is an n-type.例文帳に追加
第2の基準電圧Vss2の極性は、ウェルの導電型がP型であるときはプラス、N型であるときはマイナスとする。 - 特許庁
A first epitaxial layer 31 whose conduction type is n-type is formed by epitaxial growth on a first region 2 whose conduction type is p-type.例文帳に追加
導電型がP型の第1領域2の上に、エピタキシャル成長により、導電型がN型である第1エピタキシャル層31が形成される。 - 特許庁
A first contact plug 34 in conduction with the N-type source region 16 and a second contact plug 36 in conduction with the N-type drain region 16 are made.例文帳に追加
N型ソース領域16と導通する第1のコンタクトプラグ34と、N型ドレイン領域18と導通する第2のコンタクトプラグ36とを設ける。 - 特許庁
The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.例文帳に追加
層構造体LSは、順次積層された、反射防止膜2、n型(第一導電型)の高濃度キャリア層3、n型の光吸収層5及びn型のキャップ層7を含む。 - 特許庁
An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加
前記p型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をn型に転換したn型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁
A conduction passage of N type polysilicon is provided to reach a substrate while penetrating the base region and the collector region.例文帳に追加
ベース領域、コレクタ領域を貫通し、基板まで達するN型ポリシリコンの導電路を設ける。 - 特許庁
In the case of the nut N being coated with resin, a spring holding type sensor pin pressed by the nut N is provided at the front face of the conduction sensor.例文帳に追加
ナットNが樹脂コートされている場合には、導通センサの前面にナットNにより押圧されるスプリング保持式のセンサピンを設ける。 - 特許庁
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「n-type conduction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
In the interface of the n-type AlGaN electron-donor layer 3 and the n-type InAlGaN cap layer 4, the bottoms of the conduction bands of the two layers substantially are uninterrupted.例文帳に追加
n型AlGaN電子供給層3とn型InAlGaNキャップ層4との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。 - 特許庁
A preferable system has n- and p-type thermoelectric elements each connected to a common conduction region.例文帳に追加
好ましいシステムは、n型およびp型熱電素子を有し、それぞれが共通の伝導区域に接続している。 - 特許庁
The semiconductor device 100 includes the transistor in which a current flows via first/second N-type embedded regions 106, 108 having the same conduction type as that of an N-type collector region 118.例文帳に追加
半導体装置100は、N型コレクタ領域118と同じ導電型の第一のN型埋込領域106および第二のN型埋込領域108を介して電流が流れるトランジスタを含む。 - 特許庁
In a reverse conduction type semiconductor device B1, an n^+ type trench gate electrode adjacent region 20 formed in an IGBT element region J1 is not formed in a diode element region J2.例文帳に追加
逆導通型の半導体装置B1では、IGBT素子領域J1に形成されているn^+型のトレンチゲート電極隣接領域20が、ダイオード素子領域J2に形成されていない。 - 特許庁
To improve a conduction rate while suitable crystallinity is maintained in an n-type group III nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加
n型III族窒化物系化合物半導体層に好適な結晶性を維持しつつ、その導電率を向上させる。 - 特許庁
The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加
半導体基板11の表層部において、隣接して配置されるn導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13とを有し、n導電型不純物拡散領域12とp導電型不純物拡散領域13の界面でPN接合部Sが形成されてなる表面型ダイオード100dを備える半導体装置100とする。 - 特許庁
When introducing n-type impurities, since the p-n junction diode will not be formed, a current can flow, from the bit line 19 to the source line 17a through conduction of the transistor.例文帳に追加
n型の不純物が導入される場合にはpn接合ダイオードが形成されないので、トランジスタの導通によりビット線19からソース線17aへ電流が流れる。 - 特許庁
The conduction band energy Ecp in the p-type clad layer is set to be higher than the conduction band energy Ecn in the n-type clad layer (Ecp>Ecn) so that the electrons in the active layer do not go out to the clad layer.例文帳に追加
活性層から電子がp型クラッド層へ出て行かないようにp型クラッド層での伝導帯エネルギーEcpを、n型クラッド層での伝導帯エネルギーEcnより高くなるようにした(Ecp>Ecn)。 - 特許庁
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