nitride Dとは 意味・読み方・使い方

Silicon nitride film 5 is deposited on the silicon oxide film 4, silicon oxide film 6 is formed on the surface of silicon nitride film 5 (Fig.(c)) by using a method, by which the surface of the silicon nitride film 5 is oxidized, and the like, and upper layer electrode 7 is formed thereon (Fig.(d)).例文帳に追加

そして、そのシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を堆積し、そのシリコン窒化膜５の表面を酸化させる方法などにより、シリコン窒化膜５の表面にシリコン酸化膜６を形成し（図（ｃ））、その上に上層電極７を形成する（図（ｄ））ものである。 - 特許庁

The method is further provided with: a step (c) of forming a nitride film 7 covering the normal and dummy laminate structure patterns 13 and 16; a step (d) of forming an oxide film 8 on the nitride film 7; and a step (e) of etching the oxide film 8 and the nitride film 7 to expose the upper part of the cap layer 6.例文帳に追加

そして、（ｃ）正規およびダミー積層構造パターン１３，１６を覆う窒化膜７を形成する工程と、窒化膜７上に酸化膜８を形成する工程と、（ｅ）酸化膜８および窒化膜７をエッチングして、キャップ層６の上部を露出させる工程とを備える。 - 特許庁

The silicon nitride film 404 is etched and the resist pattern 402 and the antireflection film pattern 403 are removed, and a silicon nitride film pattern 405 is formed on the processed film 400 (Fig. 10(d)).例文帳に追加

シリコン窒化膜４０４がエッチングされ、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３が除去されて、被処理膜４００上にシリコン窒化膜パターン４０５が形成される（図１０（ｄ））。 - 特許庁

(d) After the silicon nitride film 38 is removed, an ONO film comprising a silicon oxide film 12, silicon nitride film 14, and silicon oxide film 16 is formed on the polysilicon film 10a.例文帳に追加

（ｄ）シリコン窒化膜３８を除去した後、ポリシリコン膜１０ａ上にシリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１６からなるＯＮＯ膜を形成する。 - 特許庁

(d) A second group III nitride semiconductor layer 34 is formed on the first group III nitride semiconductor layer 33 while reducing the temperature of the substrate 31 in a temperature range of less than the first temperature.例文帳に追加

（ｄ）基板３１の温度を第１の温度以下の温度範囲で下げながら、第１の３族窒化物半導体層３３上に第２の３族窒化物半導体層３４を形成する。 - 特許庁

The upper part of the plug 8 is exposed (c), and a silicon nitride 9 is formed (d) and etched back to form a silicon nitride film sidewall 10 on the sidewall of the plug 8.例文帳に追加

コンタクトプラグ８の上部を露出させた後に（ｃ）、シリコン窒化膜９を形成し（ｄ）、エッチバックしてコンタクトプラグ８の側壁にシリコン窒化膜サイドウォール１０を形成する（ｅ）。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

(e) A third group III nitride semiconductor layer 41 emitting light due to the conduction is formed on the second group III nitride semiconductor layer 34, by reducing the temperature of the substrate 31 to a second temperature less than the temperature in the step (d).例文帳に追加

（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。 - 特許庁