nm 23とは 意味・読み方・使い方

A target 23 is subjected to abrasion by irradiating the target 23 with a laser beam from a laser light source 22, and fine particles (with particle sizes of about several nm to several tens of nm) containing a target component are generated.例文帳に追加

ターゲット２３にレーザ光源２２からレーザ光を照射してターゲット２３をアブレーションし、ターゲット成分を含む微粒子（粒径数ｎｍ〜数十ｎｍ程度）を生成させる。 - 特許庁

However, Re[450], Re[550] and Re[650] are in-plane phase difference values measured with light of wavelengths of 450 nm, 550 nm and 650 nm at 23°C, and Rth[550] is a phase difference value in a thickness direction measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C.例文帳に追加

（ただし、Ｒｅ［４５０］、Ｒｅ［５５０］およびＲｅ［６５０］は、それぞれ、２３℃における波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍの光で測定した面内の位相差値であり、Ｒｔｈ［５５０］は、２３℃における波長５５０ｎｍの光で測定した厚み方向の位相差値である。） - 特許庁

A titanium nitride film 23 (film thickness is 30 nm) is formed continuously without exposing the substrate to the atmosphere.例文帳に追加

基板を大気に曝すことなく連続的にチタン窒化膜２３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

A Co layer 21 having a thickness of 10 nm is continuously deposited on the Fe(001) upper electrode 23.例文帳に追加

連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極２３上に堆積した。 - 特許庁

The layer thickness D1 of the part coating the side face 23 of the mesa in the semiconductor layer is set in 850 nm or more.例文帳に追加

半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 - 特許庁

When the green LED 23 is lighted, the hinge part 27 is irradiated with green light of about 540 nm.例文帳に追加

緑色ＬＥＤ２３が点灯すると、約５４０ｎｍの緑色光がヒンジ部２７に照射される。 - 特許庁

In the case of a reflective element, the peak wavelength of the reflectance is 510-600 nm, average reflectance in the range of 400-510 nm is ≤10%, average reflectance in the range of 510-600 nm is ≥23%, and average reflectance in the range of 600-800 nm is ≤15%.例文帳に追加

反射型素子の場合、反射率のピーク波長が５１０〜６００ｎｍにあり、４００〜５１０ｎｍの平均反射率が１０％以下、５１０〜６００ｎｍの平均反射率が２３％以上、６００〜８００ｎｍの平均反射率が１５％以下である。 - 特許庁

Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output.例文帳に追加

半導体レーザ素子31からの８１０ｎｍの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約９８０ｎｍのレーザ光37が出力される。 - 特許庁