「nm 23」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The third light emitting means 23 emits light having a wavelength of 1,750 nm.例文帳に追加

第３の発光手段２３は１７５０ｎｍの波長を有する光を放射する。 - 特許庁

MEASURING METHOD FOR nm 23 PROTEIN AND DIAGNOATIC METHOD FOR MALIGNANT TUMOR BY USING IT例文帳に追加

ｎｍ２３タンパク質の測定方法及びそれを用いた悪性腫瘍の診断方法 - 特許庁

A target 23 is subjected to abrasion by irradiating the target 23 with a laser beam from a laser light source 22, and fine particles (with particle sizes of about several nm to several tens of nm) containing a target component are generated.例文帳に追加

ターゲット２３にレーザ光源２２からレーザ光を照射してターゲット２３をアブレーションし、ターゲット成分を含む微粒子（粒径数ｎｍ〜数十ｎｍ程度）を生成させる。 - 特許庁

However, Re[450], Re[550] and Re[650] are in-plane phase difference values measured with light of wavelengths of 450 nm, 550 nm and 650 nm at 23°C, and Rth[550] is a phase difference value in a thickness direction measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C.例文帳に追加

（ただし、Ｒｅ［４５０］、Ｒｅ［５５０］およびＲｅ［６５０］は、それぞれ、２３℃における波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍの光で測定した面内の位相差値であり、Ｒｔｈ［５５０］は、２３℃における波長５５０ｎｍの光で測定した厚み方向の位相差値である。） - 特許庁

A titanium nitride film 23 (film thickness is 30 nm) is formed continuously without exposing the substrate to the atmosphere.例文帳に追加

基板を大気に曝すことなく連続的にチタン窒化膜２３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

A Co layer 21 having a thickness of 10 nm is continuously deposited on the Fe(001) upper electrode 23.例文帳に追加

連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極２３上に堆積した。 - 特許庁

The layer thickness D1 of the part coating the side face 23 of the mesa in the semiconductor layer is set in 850 nm or more.例文帳に追加

半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 - 特許庁

When the green LED 23 is lighted, the hinge part 27 is irradiated with green light of about 540 nm.例文帳に追加

緑色ＬＥＤ２３が点灯すると、約５４０ｎｍの緑色光がヒンジ部２７に照射される。 - 特許庁

In the case of a reflective element, the peak wavelength of the reflectance is 510-600 nm, average reflectance in the range of 400-510 nm is ≤10%, average reflectance in the range of 510-600 nm is ≥23%, and average reflectance in the range of 600-800 nm is ≤15%.例文帳に追加

反射型素子の場合、反射率のピーク波長が５１０〜６００ｎｍにあり、４００〜５１０ｎｍの平均反射率が１０％以下、５１０〜６００ｎｍの平均反射率が２３％以上、６００〜８００ｎｍの平均反射率が１５％以下である。 - 特許庁

Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output.例文帳に追加

半導体レーザ素子31からの８１０ｎｍの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約９８０ｎｍのレーザ光37が出力される。 - 特許庁

In the color filter comprising color pixels of red (R) and yellow (Y), red pixels have a transmittance of 55 to 90% at 600 nm and have a transmittance of 80 to 98% at 650 nm, and yellow pixels have a transmittance of ≤23% at 500 nm and have a transmittance of 90 to 98% at 650 nm.例文帳に追加

赤（Ｒ）、黄（Ｙ）の着色画素で構成されるカラーフィルタで、赤色画素の６００ｎｍでの透過率が５５％〜９０％、６５０ｎｍでの透過率が８０％〜９８％で、黄色画素の５００ｎｍでの透過率が２３％以下、６５０ｎｍでの透過率が９０％〜９８％である。 - 特許庁

The film thickness of the catalyst layer 23 is 1 nm to 50 nm, and the catalyst layer is made of Fe, Co or an alloy including at least one kind of these metals.例文帳に追加

この触媒層２３の膜厚を１ｎｍから５０ｎｍまでの範囲とし、また、この触媒層をＦｅ、Ｃｏ又はこれらの金属の少なくとも１種類を含む合金から形成する。 - 特許庁

The first inner protective film 23 is a biaxial resin film of which the absolute value of an in-plane phase difference value is within a range from 40 to 500 nm and the absolute value of the phase difference value in a thickness direction at a wavelength of 590 nm is within a range from 20 to 500 nm.例文帳に追加

また、第１の内側保護フィルム２３は、面内の位相差値の絶対値が４０〜５００ｎｍの範囲にあり、波長５９０ｎｍにおける厚み方向の位相差値の絶対値が２０〜５００ｎｍの範囲にある二軸性樹脂フィルムからなる。 - 特許庁

A liquid repellent layer 24 of several nm thicknesses is formed of CFx or siloxane resin on the upper electrode 23.例文帳に追加

上部電極２３の上には撥液層２４がＣＦｘあるいはシロキサン樹脂によって数ｎｍの厚さで形成されている。 - 特許庁

An IrO_X film 24 having a thickness of 5 to 50 nm is formed on an Ir film 23 as a film constituting a lower electrode film.例文帳に追加

下部電極膜を構成する膜として、Ｉｒ膜２３上に、厚さが５ｎｍ〜５０ｎｍのＩｒＯ_X膜２４を形成する。 - 特許庁

An Fe(001) upper electrode (second electrode) 23 of a thickness of 10 nm is formed on the barrier layer 21 at the room temperature.例文帳に追加

ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。 - 特許庁

In addition, on the outer circumferential face of the clad 22 of this optical fiber 2, there is provided a copper coating layer 23 with a thickness of 2 nm, on which a gold coating layer 24 with a thickness of 200 nm is provided.例文帳に追加

また、この光ファイバ２のクラッド２２の外周面上には厚さが２ｎｍの銅コーティング層２３が設けられ、この上には厚さが２００ｎｍの金コーティング層２４が設けられている。 - 特許庁

An anti-reflection film 28 with reflection spectrum characteristics showing the least reflectance at a wavelength of 580 nm up to a wavelength of 600 nm is provided at the one of the main faces 25 of the light guide plate 23.例文帳に追加

導光板２３の一方の主面２５には、波長５８０ｎｍないし波長６００ｎｍに反射率が最も少ない反射分光特性を有する反射防止膜２８を設ける。 - 特許庁

By adjusting the thickness of the substrate 23 and the incident angle of the laser beam, the optical path of the laser beam of 650 nm wavelength is matched with that of the laser beam of 780 nm wavelength.例文帳に追加

基板２３の厚みおよびレーザ光の入射角を調整することにより、波長６５０ｎｍのレーザ光の光路と波長７８０ｎｍのレーザ光の光路とを一致させることが可能となる。 - 特許庁

A parallel flat plate 2 includes a first wavelength selecting film 24 for reflecting the laser beam of 650 nm wavelength and transmitting the laser beam of 780 nm wavelength, a substrate 23 for transmitting a light, and a second wavelength selecting film 22 for reflecting the laser beam of 780 nm wavelength in this order.例文帳に追加

平行平板２は、波長６５０ｎｍの光を反射しかつ波長７８０ｎｍの光を透過する第１波長選択膜２４、光を透過する基板２３および波長７８０ｎｍの光を反射する第２波長選択膜２２を順に含む。 - 特許庁

In the recording medium having a recording layer including inorganic particles having an average primary particle diameter of not more than 10 nm and a water soluble polyvalent metal compound, the median diameter measured by a mercury pressing-in method of the recording layer is ≥23 nm and <100 nm.例文帳に追加

平均１次粒子径が１０ｎｍ以下の無機微粒子と水溶性多価金属化合物を含有する記録層を有する記録媒体において、記録層の水銀圧入法で測定されるメディアン径が２３ｎｍ以上１００ｎｍ未満である記録媒体。 - 特許庁

The n-type clad layer 21 has a thickness Dn of 2 μm or more, and the p-type clad layer 23 has a thickness Dp of 500 nm or more.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 - 特許庁

When engine speed Ne is decided to be less than an electric oil pump stop engine speed Noff in 22, a motor 3 of the electric oil pump is driven at target engine speed Nm of every oil temperature TEMP in 23 to 25.例文帳に追加

22でエンジン回転数Ｎｅが電動オイルポンプ停止回転数Ｎｏｆｆ未満と判定する場合、23〜25で電動オイルポンプのモータ3 を油温ＴＥＭＰごとの目標回転数Ｎｍで駆動する。 - 特許庁

A bonding thin layer 23 of iron oxide as thick as a few nm to a few hundred μm is formed between the adjacent magnetic plate pieces 22.例文帳に追加

隣接する磁性板片２２同士の間に、数ｎｍから数百μｍ程度の厚みの酸化鉄の接合薄層２３が形成されている。 - 特許庁

An optical catalyst containing layer 25 is formed on the mirror face 22 of a mirror face body 23, and the layer thickness of the layer 25 is in the range of 30-2000 nm.例文帳に追加

鏡面体２３の鏡面２２に光触媒含有層２５を形成し、該光触媒含有層２５の層厚を３０〜２０００ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

The cobalt-containing ferromagnetic layer 23 contains at least Co in a group of Ni, Co, and Fe and is formed thicker that 1 nm.例文帳に追加

コバルト含有強磁性層２３は、Ｎｉ，ＣｏおよびＦｅからなる群のうち少なくともＣｏを含んでおり、１ｎｍより厚く形成されている。 - 特許庁

On the surface of the PS layer 22, a film of Au is deposited through a mask to 10 nm to form a thin-film electrode 23, thus completing an electric charge generating element.例文帳に追加

そして、ＰＳ層２２表面にＡｕをマスクデポにより１０ｎｍ成膜して薄膜電極２３を形成することで電荷発生素子が完成する。 - 特許庁

A converging lens 15 is fitted in front of an emission screen of a semiconductor laser diode LD with a light output of 500 mW-2000 mW and a peak wavelength of 700 nm-1000 nm, and an emission time adjusting means 23 is provided for adjusting the energy level of laser beams.例文帳に追加

半導体レーザダイオードＬＤは、光出力５００ｍＷ〜２０００ｍＷ、ピーク波長７００ｎｍ〜１０００ｎｍのもので、このような半導体レーザダイオードＬＤの発光面前方に集光レンズ１５を取り付ける。 - 特許庁

A condenser lens 15 is fitted in front of a light emission surface of the semiconductor laser diode LD with a light output of 500 mW-2,000 mW and a peak wavelength of 700 nm-1,000 nm, and an emission time adjusting means 23 is provided for adjusting the energy level of laser beams.例文帳に追加

半導体レーザダイオードＬＤは、光出力５００ｍＷ〜２０００ｍＷ、ピーク波長７００ｎｍ〜１０００ｎｍのもので、このような半導体レーザダイオードＬＤの発光面前方に集光レンズ１５を取り付ける。 - 特許庁

The pair of substrates 15, 25 includes substrates 11, 23 and alignment layers 12, 22 formed on the surfaces of the substrates 11, 23, respectively, and in contact with the liquid crystal layer 30, wherein the surface roughness of the substrates 11, 23 where the alignment layers 12, 22 are formed is less than 4 nm.例文帳に追加

一対の基板１５，２５の各々は、基材部１１，２３と、基材部１１，２３の表面に形成され液晶層３０に接する配向膜１２，２２と、を含んでおり、基材部１１，２３における配向膜１２，２２が形成される面の表面粗さが４ｎｍ未満となっている。 - 特許庁

In the image display device, a lower electrode 11 is formed on a main face of a first insulating substrate 10, and an electron accelerating layer 12 is formed on the surface of the lower electrode 11 with a maximum height of a surface ruggedness by oxidation of an anode of 23 nm to 25 nm.例文帳に追加

第１絶縁基板１０の主面に下部電極１１を形成して、当該下部電極１１の表面に陽極酸化により該表面凹凸の最大高さを略２３ｎｍ乃至２５ｎｍとした電子加速層１２を形成する。 - 特許庁

A second coating liquid 23 containing second particles 42 having a particle diameter of 1-100 nm is supplied to a first coating film 30 containing first particles 32 having a particle diameter of 1-100 nm formed by a web W running at a predetermined conveying speed.例文帳に追加

所定の搬送速度で走行するウェブＷに形成された粒子径１〜１００ｎｍの第１の粒子３２を含む第１の塗膜３０に、粒子径１〜１００ｎｍの第２の粒子４２を含む第２の塗布液２３を供給する。 - 特許庁

The feed material injection generates a surface 25 gas flow of at least 0.04 Nm^3/s/m^2 in the molten baths 22 and 23 at least in part by reactions of the material injected in the baths 22 and 23.例文帳に追加

供給材料の注入は、前記溶融浴２２及び２３中に少なくとも０．０４Ｎｍ^3／秒／ｍ^2の表面２５ガス流を、少なくとも一つには前記浴２２及び２３中に注入された材料の反応により発生させる。 - 特許庁

The particles are nanoparticles formed to have grain sizes of several tens of nm and mixed in the base 23a to occupy about 3 to 10% of the electrostatic capacity medium 23.例文帳に追加

粒径が数十ｎｍとなるように形成されたナノ粒子であり、静電容量媒体２３の３〜１０％程度を占めるように基剤２３ａ内に混入されている。 - 特許庁

A perpendicular reinforcement layer 26 for enhancing perpendicular orientation nature between a substrate 21 and the perpendicular magnetic recording(PMR) layer 23 is laminated in the thickness of 15 nm or more.例文帳に追加

基板２１と垂直磁気記録（ＰＭＲ）層２３との間に、垂直配向性を高めるための垂直補強層２６を１５ｎｍ以上の層厚にて積層する。 - 特許庁

The main part of the waveguide 20 is laminated structure consisting of an InP layer 22, an AlInAs layer 23 having 100 nm thickness, a GaInAsP layer 24, an AlInAs layer having 50 nm thickness, a GaInAsP layer 26, an AlInAs layer 27 having 100 nm thickness, and an InP layer 28 and formed on the InP substrate as a ridge 30.例文帳に追加

本半導体光導波路２０の要部は、ＩｎＰ基板２１上に形成され、ＩｎＰ層２２、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２３、ＧａＩｎＡｓＰ層２４、厚さ５０ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２５、ＧａＩｎＡｓＰ層２６、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２７、及び、ＩｎＰ層２８の積層構造であって、リッジ３０として形成されている。 - 特許庁

The heat sink layer 103 is formed at a distance of 20 nm or shorter from the magnetic recording layer 105 and between the intermediate layer 104 and the substrate 101, uses a material with a thermal conductivity of 23 to 90 W/m k, and has a roughness Ra of 0.35 nm or lower.例文帳に追加

ヒートシンク層１０３は磁気記録層１０５から２０ｎｍ以内の距離、かつ中間層１０４と基板１０１間に形成され、熱伝導率が２３Ｗ／ｍ ｋ以上、９０Ｗ／ｍ ｋ以下の材料を用い、ラフネスＲａは０．３５ｎｍ以下とする。 - 特許庁

A lighting system 23 is embedded in a handle section 11 to emit light having a peak wavelength of more than 380 nm and less than 550 nm from a light emitting section 22 formed on a bristle implanted surface 20 of a head section 10 through a light guiding section 12 in a neck section 12.例文帳に追加

ハンドル部１１には光源装置２３が内蔵されており、３８０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下のピーク波長を有する光が、ネック部１２内の導光部１２を介して、ヘッド部１０の植毛面２０に形成された出光部２２から出射される。 - 特許庁

The laser light output portion 1 comprises a first laser light generating portion 1a having Pr fiber amplifiers 21, 22, 23, and outputting a first laser light La of 460-500 nm; and a second laser light generating portion 1b having a Yb fiber amplifier, and outputting a second laser light of 1000-1200 nm.例文帳に追加

レーザ光出力部１は、Ｐｒファイバアンプ２１，２，２３を有して460〜500ｎｍの第１レーザ光Ｌａを出力する第１レーザ光発生部１ａと、Ｙｂファイバアンプを有して1000〜1200ｎｍの第２レーザ光を出力する第２レーザ光発生部１ｂとを備える。 - 特許庁

A thickness of oxide films formed on a raceway track face 23a of the inner ring 23, a raceway track face 22a of the outer ring 22, and a rolling face 24a of the ball 24 is set to be 100 nm or less.例文帳に追加

そして、内輪２３の軌道面２３ａ，外輪２２の軌道面２２ａ，及び玉２４の転動面２４ａに形成された酸化膜の厚さは１００ｎｍ以下とされている。 - 特許庁

Specially, the insulating undercoat thin film layer covers a silicon nitride film 22 covering the glass substrate 21 and a silicon oxide film 23 which covers the silicon nitride film 22 and ≥100 nm thick.例文帳に追加

特に、絶縁性アンダーコート薄膜層はガラス基板２１を覆う窒化シリコン膜２２およびこの窒化シリコン膜２２を覆い１００ｎｍ以上の厚さを持つ酸化シリコン膜２３を含む。 - 特許庁

At least a part of the electrode systems 19, 20 is equipped with gold films 11, 23 having the thickness below 45 nm and metal base films 10, 22 provided between the gold films and the vibrator.例文帳に追加

電極系１９、２０の少なくとも一部が、厚さ４５ｎｍ以下の金膜１１、２３と、金膜と振動子との間に設けられている金属下地膜１０、２２とを備えている。 - 特許庁

When an incident light is made incident on a liquid crystal layer 31 and when the incident light is reflected by a pixel electrode (reflection electrode) 23 and then emitted from an incident side substrate 11, transmissivity is high on the short wavelength side of 380 nm-480 nm as well in addition to the long wavelength side of a visible area.例文帳に追加

入射光が液晶層３１に入射する際、及び該入射光が画素電極（反射電極）２３において反射したのち入射側基板１１から出射する際、可視領域の長波長側に加えて、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの短波長側においても透過率が高い。 - 特許庁

The silicone microemulsion composition contains (A) 100 pts.mass of a specific carboxy-modified organopolysiloxane, (B) 25-75 pts.mass of a specific polyether-modified organopolysiloxane, (C) 0.1-10 pts.mass of anionic surfactant, and (D) 23-6,000 pts.mass of water, wherein an average diameter of an emulsion particle is not over 100 nm.例文帳に追加

（Ａ）特定のカルボキシ変性オルガノポリシロキサン 100質量部、（Ｂ）特定のポリエーテル変性オルガノポリシロキサン 25〜75質量部、（Ｃ）アニオン性界面活性剤 0.1〜10質量部、及び（Ｄ）水 23〜6000質量部、を含み、エマルション粒子の平均粒径が100nm以下であるシリコーンマイクロエマルション組成物。 - 特許庁

Silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b are formed at a thickness of ≥23 [nm] by thermal oxidation processing and an LP-CVD method along the internal surface of the element isolation grooves 9, 19.例文帳に追加

素子分離溝９、１９の内面に沿って、それぞれ熱酸化処理、ＬＰ−ＣＶＤ法によって２３［ｎｍ］以上の膜厚でシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが形成されている。 - 特許庁