「nm 23」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.例文帳に追加

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁

The layer of the sandwich structure is formed of a lower Al_xGa_1-xN barrier layer 23, an intermediate AlN barrier layer 24 having ≥2 nm thickness and an upper Al_xGa_1-xN cap layer 25.例文帳に追加

サンドイッチ構造の層は、下層のＡｌ_ｘＧａ_１ーｘＮバリア層２３と、厚さ２ｎｍ以上の中間のＡｌＮバリア層２４と、上層側のＡｌ_ｘＧａ_１ーｘＮキャップ層２５とにより形成されている。 - 特許庁

The phase difference film comprises the oriented film of the polymer film in which an absolute value (m^2/N) of the photoelastic coefficient measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C is 50×10^-12 or less, and satisfies Re[450]<Re[550]<[650] and Rth[550]<Re[550].例文帳に追加

２３℃における波長５５０ｎｍの光で測定した光弾性係数の絶対値（ｍ^2／Ｎ）が、５０×１０^-12以下である高分子フィルムの延伸フィルムからなり、Ｒｅ［４５０］＜Ｒｅ［５５０］＜Ｒｅ［６５０］およびＲｔｈ［５５０］＜Ｒｅ［５５０］を満足する、位相差フィルム。 - 特許庁

In the particle laminated film laminate, particles having an average partiucle size of 1-23 nm and an electrolyte polymer are adsorbed alternately on the surface of a solid substrate having polar groups in the surface.例文帳に追加

表面に極性基を有する固体基材の表面に平均一次粒子径が１ｎｍ以上２３ｎｍ以下である微粒子および電解質ポリマーを交互に吸着させてなる微粒子積層膜積層体。 - 特許庁

After forming a backing layer 22 of a soft magnetic material on a substrate 21, an oxidation preventive layer 23 is formed in 0.1-1.0 nm thick by using rare earth metals, such as Tb, Gd, Sm, and Y on the backing layer 22.例文帳に追加

基板２１上に軟磁性体により裏打層２２を形成した後、裏打層２２の上にＴｂ、Ｇｄ、Ｓｍ及びＹ等の希土類金属により酸化防止層２３を０．１〜１．０ｎｍの厚さに形成する。 - 特許庁

After a silicon oxidation film 23 of a thickness approximately 10-50 nm is formed on the surface of the SiOC constituting an insulation film 22 for wiring formation, the increase of the dielectric constant of the SiOC film is suppressed by forming a photoresist film 24 for forming a wiring groove on the insulation film on the silicon oxidation film 23.例文帳に追加

配線形成用の絶縁膜２２を構成するＳｉＯＣ膜の表面に１０〜５０ｎｍ程度の厚さのシリコン酸化膜２３を形成した後、絶縁膜２２に配線溝を形成するためのフォトレジスト膜２４をシリコン酸化膜２３上に形成することによって、ＳｉＯＣ膜の比誘電率の上昇を抑える。 - 特許庁

The microelectronic mechanical system (MEMS) element has a substrate side electrode 23, a beam 27 having a driving side electrode 26 which double as a reflection film driven by an electrostatic force acting between the substrate side electrode 23 and the driving side electrode 26 and a wiring layer 28 connected to the driving side electrode, and the surface roughness of the driving side electrode 26 is 10 nm or smaller.例文帳に追加

基板側電極２３と、この基板側電極２３との間に働く静電力により駆動する反射膜を兼ねる駆動側電極２６を有するビーム２７と、駆動側電極に接続された配線層２８とを有し、駆動側電極２６の表面祖度が１０ｎｍ以下に設定されて成る。 - 特許庁

The polishing composition is obtained by mixing ion-exchanged water filtered through a 0.5μm cartridge filter with a polishing material comprising colloidal silica 30 nm in mean particle size and polymethyl methacrylate(PMMA) particles 30 nm in mean size and 60° in contact angle with water at 23°C, benzotriazole, hydrogen peroxide and an organic acid, and agitating the mixture with a high-speed homogenizer to effect homogeneous dispersion.例文帳に追加

研磨材として、平均粒径３０ｎｍのコロイダルシリカ、平均粒径３０ｎｍで２３℃の水の接触角が６０度のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）粒子、ベンゾトリアゾール、過酸化水素、有機酸を０．５μｍのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。 - 特許庁

The optical compensator 20 is constituted by laminating a transparent film 21 of ≤10% in transmissivity at a wavelength of 380 nm and ≤2% in reflection factor at a wavelength of 550 nm on a surface coming into contact with air, an optical compensating film formed by coating a base material film 31 with a liquid crystal compound layer 32, and a transparent glass plate 23.例文帳に追加

波長３８０nmにおける透過率が１０％以下であり、空気と接触する面の波長５５０nmにおける反射率が２％以下である透明フィルム２１と、基材フィルム３１に液晶性化合物層３２を塗布してなる光学補償フィルム３０と、透明なガラス板２３とが積層された光学補償板２０が提供される。 - 特許庁

In the cage type mesoporous carbon, a space group is Fm3m, a lattice constant is maximum 23 nm, a specific surface area is maximum 1.9×10^3 m^2/g and a specific pore volume is maximum 3 cm^3/g.例文帳に追加

ケージ型メソポーラスカーボンは、空間群がＦｍ３ｍであり、格子定数が最大２３ｎｍであり、比表面積が最大１．９×１０^３ｍ^２／ｇであり、比孔容量が最大３ｃｍ^３／ｇであることを特徴とする。 - 特許庁

The λ/4 plate is extended in a direction crossing the longitudinal direction and its in-plane retardation Ro (550), measured with a measurement wavelength 550 nm under the temperature 23°C and the relative humidity 55%RH, falls within the range of 100-160 nm and its orientation angle θ falls within the range of 40-50°.例文帳に追加

特定一般式で表される化合物とセルロースエステル樹脂を含有するλ／４板であって、長手方向に対して斜交する方向に延伸されており、温度２３℃・相対湿度５５％ＲＨにおいて、測定波長５５０ｎｍで測定した面内リターデーションＲｏ（５５０）が１００〜１６０ｎｍの範囲内にあり、配向角θが４０〜５０°の範囲内にあることを特徴とするλ／４板。 - 特許庁

Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像素子の光電変換部２３上において半導体基板２０と遮光膜３２との間に、厚さ例えば４０ｎｍ以下の第１シリコン酸化膜３０（下層膜３０−１と上層膜３０−２）のみが介在するようにする。 - 特許庁

The sewage dewatered sludge 21 is gasified by the hydrothermal gasification operation in a low-oxygen atmosphere with a hydrothermal device 5 to mix a generated hydrothermal gas 23 with a fuel gas 25 and make a mixture gas 26 having an energy density of 4,000 kcal/Nm^3 or more.例文帳に追加

下水脱水汚泥２１を水熱装置５で低酸素雰囲気中の水熱ガス化操作によりガス化し、発生した水熱ガス２３に燃料ガス２５を混合してエネルギー密度が４０００ｋｃａｌ/Ｎｍ^３以上の混合ガス２６とする。 - 特許庁

The system is equipped with a green laser oscillator 10 which oscillates coherent light of 532 nm in wavelength and single-crystal lithium tetraborate LB4 (hereinafter LB4) crystal box 23 where the light from the green laser oscillator 10 is made incident as the incident light.例文帳に追加

波長５３２ｎｍのコヒーレント光を発振するグリーンレーザー発振器１０と、このグリーンレーザー発振器１０からの光を入射光として入射する単結晶四ホウ酸リチウム，ＬＢ４（以下ＬＢ４と言う）結晶ボックス２３とを備える。 - 特許庁

The adhesive composition is configured such that the followings are contained in an adhesive: a carbon nano material having an average outer circumferential diameter of 1 to 1,000 nm and an average length of 0.01 to 100 μm; and an epoxy group-containing compound that has viscosity at 23°C of 7,000 to 18,000 mPa_s.例文帳に追加

粘着剤中に、平均外周径が１〜１０００ｎｍ、平均長さが０．０１〜１００μｍであるカーボンナノ材料および２３℃のおける粘度が７０００〜１８０００ｍＰａ・ｓであるエポキシ基含有化合物が含有されてなる粘着剤組成物。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has the undercoat layer 23 and a photosensitive layer in this order on a conductive support 21, wherein the undercoat layer contains a metal oxide surface-treated with a silane coupling agent and having a volume average primary particle size of 1-9 nm and a polyolefin resin.例文帳に追加

導電性支持体の上に下引き層と感光層をこの順に有する電子写真感光体であって、下引き層が、シランカップリング剤で表面処理され体積平均一次粒径が１ｎｍ〜９ｎｍの金属酸化物と、ポリオレフィン樹脂を含有する。 - 特許庁

In an LB4 crystal box 23, LB4 which converts the incident light and emits projection light of 266 nm is arranged satisfying a phase matching angle and a heating device which heats and holds this LB4 crystal at 200 to 600°C is incorporated.例文帳に追加

ＬＢ４結晶ボックス２３には、入射光を変換して２６６ｎｍの出射光を出射させるＬＢ４が、位相整合角度を満足するように配置されていると共に、このＬＢ４結晶を２００〜６００℃に加熱保持する加熱装置が内蔵されている。 - 特許庁

This optical film is characterized in that the retardation value (Rt) in the thickness direction which is defined by formula (1): Rt value = {(Nx+Ny)/2-Nz}×d is in the range of 50≤Rt≤300 nm when measured at 23°C and 55% RH.例文帳に追加

下記一般式（１）で定義される、厚み方向のレターデーション値（Ｒｔ）が２３℃、５５％ＲＨにおいて、５０≦Ｒｔ≦３００ｎｍであり、且つ、２３℃、２０％ＲＨと２３℃、８０％ＲＨにおけるＲｔ値の差が４０以下である事を特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

This polyester film comprises 2 to 60 wt.% of a plasticizer finely dispersed in the film with a mean dispersion size less than 20 nm, and the modulus of the film is 0.01 to 1 GPa at 23°C.例文帳に追加

本発明の柔軟性ポリエステルフィルムは、ポリエステルに可塑剤を２〜６０重量％含有するポリエステルフィルムであって、そのポリエステルフィルムの弾性率は２３℃で０．０１〜１ＧＰａであり、そしてフィルム中の可塑剤平均分散径が２０ｎｍ未満であることを特徴とするものである。 - 特許庁

The surface of the substrate 19 formed with the humps 23 has a thickness of ≥5 to ≤25 nm on the surface of the substrate and is held covered by a bump holding layer 25 reduced in the thickness by utilizing the progression of the crosslinking of the resin from a crosslinked synthetic rein layer 20.例文帳に追加

バンプ２３が形成された基板１９の表面において、バンプ以外の基板の表面が、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の厚みを有し、かつ、架橋合成樹脂層２０から樹脂の架橋進行による収縮を利用して厚みが縮小されたバンプ保持層２５で覆われている。 - 特許庁

The flattened layers 23 or 27 formed on at least one of a driving element substrate 11 or a counter substrate 13 of the liquid crystal panel is constituted of an organic film having ≥97% transmittance to the light having 380-520 nm wavelength to prevent the decomposition and the gasification of the flattened layer by UV light.例文帳に追加

液晶パネルの駆動素子基板11または対向基板13の少なくとも一方に形成される平坦化層23,27を、波長３８０〜５２０nmの光に対して９７％以上の透過率をもつ有機膜で構成することにより、紫外光による平坦化層の分解・ガス化を防止する。 - 特許庁

Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.例文帳に追加

さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁

A first organic layer 22 including a light-emitting layer 22C, a half-penetrating reflective film 23 with thickness of 3 to 6 nm, a second organic layer 24 made of 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (ADN), and a resistance layer 25 made of niobium oxide are included sequentially from a first electrode 21 side, between a first electrode 21 and a second electrode 26.例文帳に追加

第１電極２１と第２電極２６との間に、第１電極２１側から順に、発光層２２Ｃを含む第１有機層２２と、厚さ３ｎｍ以上６ｎｍ以下の半透過反射膜２３と、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）からなる第２有機層２４と、酸化ニオブからなる抵抗層２５とを含む。 - 特許庁

This heat fusion transfer medium comprises the heat fusion colored layer containing a carbon black, formed on one of the surfaces of a base material, wherein the carbon black has 45 to 90 cm^3/100 g DBP absorption and 30 to 55 nm particle diameter, and 15 to 23 wt% of the carbon lack is added to the heat fusion colored layer.例文帳に追加

基材の一方の面に、カーボンブラックを含有する熱溶融着色層を設けてなる熱溶融転写媒体において、該カーボンブラックとしてＤＢＰ吸収量が４５〜９０ｃｍ^３／１００ｇであり、粒子径が３０〜５５ｎｍであるカーボンブラックを該熱溶融着色層に１５〜２３重量％含有させて構成した。 - 特許庁

The gradation voltage supply circuit 13 of this liquid crystal display device comprises a ladder resistive circuit 20 for generating 64 gradation voltages V1 to V64 by dividing power source voltage, a capacitive element 22 connected across an intermediate node NM of the ladder resistive circuit 20 and the node of the ground voltage GND, and switches 23, 24 for changing over the polarities of the power source voltage.例文帳に追加

この液晶表示装置の階調電圧供給回路１３は、電源電圧を分圧して６４の階調電圧Ｖ１〜Ｖ６４を生成するラダー抵抗回路２０と、ラダー抵抗回路２０の中間ノードＮＭと接地電圧ＧＮＤのノードとの間に接続された容量素子２２と、電源電圧の極性を切換えるためのスイッチ２３，２４とを含む。 - 特許庁

The printing plate material having at least a thermal recording layer and a back coat layer on a plastic support has a surface specific resistance of 1×10^11 to 2×10^13 Ω at 23°C, 20% RH on the back coat layer, and has a light absorbance of 1.0 to less than 1.8 at a wavelength of 805 nm.例文帳に追加

プラスチック支持体上に少なくとも感熱記録層及び裏塗り層を有する印刷版材料において、裏塗り層側の２３℃、２０％ＲＨにおける表面比抵抗が１×１０^11〜２×１０^13Ωであり、かつ波長８０５ｎｍにおける吸光度が１．０以上１．８未満であることを特徴とする印刷版材料。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁