no biasとは 意味・読み方・使い方

To provide an Nb solid electrolytic capacitor having no bias dependence, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バイアス依存性のないＮｂ固体電解質コンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gain control terminal Vc1 applies such a bias as varies no gain of the saturation amplifiers according to a temperature.例文帳に追加

利得制御端子Vc1は飽和増幅器の利得が温度によって変化しないようなバイアスを加える。 - 特許庁

In the reception signal line 30, a bias level when there is no signal to be received in the MCU substrate 20 is set at H level, and a bias level, when there is no data to be outputted in the coupler substrate 50 is set at L level.例文帳に追加

受信信号線３０は、ＭＣＵ基板２０内において受け取る信号のないときのバイアスレベルがＨレベルとされ、カプラー基板５０においては出力するデータのないときのバイアスレベルがＬレベルとされる。 - 特許庁

The bias circuit 40 varies the voltage at the node N2 with the same polarity with the voltage at the output node No according to voltage variation at the output node No.例文帳に追加

バイアス回路４０は、出力ノードＮｏの電圧変化に応じて、ノードＮ２の電圧を同じ極性で変化させる。 - 特許庁

In a buffer layer provided between a substrate having an electrooptical effect and the bias electrode, the buffer layer is not provided and the bias electrode is formed directly on the surface of the substrate in a region where no optical waveguide is present on the substrate under the bias electrode.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。 - 特許庁

An extension electrode part 431 is electrically connected to a high-voltage wire 432 in a domain having no photoconductive layer on a glass substrate 408, and a bias voltage is applied from the extension electrode part 431 to a photoconductive layer 404 through a bias electrode 401.例文帳に追加

延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a high-frequency power amplifier circuit having a satisfactory transmission spectrum by composing a bias control circuit, so that a bias current having no inflection points flows to a stage for amplifying a high-frequency signal.例文帳に追加

高周波信号を増幅する増幅段に変曲点を持たないバイアス電流を流すことができるようにバイアス制御回路を構成して送信スペクトラムの良好な高周波電力増幅回路を提供する。 - 特許庁

No current leak occurs because the bias between the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven, and the p^+ diffusion layer 43 is reverse to the bias between the n^- diffusion 42 and the p-substrate 50.例文帳に追加

駆動対象のセルを除くセル中のＮ^＋拡散層４１とＰ^＋拡散層４３との間のバイアスおよびＮ^—拡散層４２とＰ^—基板５０との間のバイアスは逆バイアスとなり、漏れ電流は発生しない。 - 特許庁